gaas – Übersetzung – Keybot-Wörterbuch

Spacer TTN Translation Network TTN TTN Login Français English Spacer Help
Ausgangssprachen Zielsprachen
Keybot      1'228 Ergebnisse   230 Domänen   Seite 6
  www.wimo.com  
Show textShow cached sourceOpen source URL
The MVV 1296-VOX has two stages to gain enough amplification for longer feed lines, also. The input stage is equipped with a low-noise microwave GaAs FET, the second stage uses a microwave IC (MMIC). The amplification is continuously adjustable, which helps to adjust to particular cable lengths.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine wimo.com as primary domain
The MVV 1296-VOX mast pre-amp is a low-noise antenna pre-amplifier in a double-shelled housing. The outer housing made of ABS is weatherproof and suited for mast mounting. The inner metal housing ensures a high shielding factor against unwanted irradiation and protects the components of the amplifier against harmful environmental influences effectively.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine wimo.com as primary domain
L'MVV 1296-VOX è un preamplificatore d'antennaa a basso rumore in un alloggiamento a doppia schermatura. L'involucro esterno in ABS è resistente alle intemperie e adatto per il montaggio a palo. Il contenitore metallico interno assicura un elevato fattore di schermatura contro le interferennze e protegge efficacemente i componenti dell'amplificatore dalle condizioni ambientali più estreme.
  2 Hits assemblysys.com  
Show textShow cached sourceOpen source URL
Sol Voltaics: GaAs Nanowires for Solar Cells Get $6M
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine prothius.com as primary domain
Nissan TeRRA destaca en el Salón de París 2012
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine prothius.com as primary domain
Carlos Ghosn en Moncloa i La Zarzuela
  29 Hits hilton-batumi.batumihotels.net  
Show textShow cached sourceOpen source URL
S. Koh, T. Kondo, Y. Shiraki, and R. Ito: “GaAs/Ge/GaAs sublattice reversal epitaxy and its application to nonlinear optical devices,” J. Cryst. Growth 227−228 (2001) 183−192.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine castle.t.u-tokyo.ac.jp as primary domain
Y. Hase, K. Kumata, S.S. Kano, M. Ohashi, T. Kondo, R. Ito, and Y. Shiraki: “A New Method for Determining the Nonlinear Optical Coefficients of Thin Films,” Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 145−146.
  13 Hits www.dma.jim.osaka-u.ac.jp  
Show textShow cached sourceOpen source URL
Highly p-typed superlattices consist of undoped InAs and carbon-doped GaAs layers, Kazuo Uchida, Heisuke Kanaya, Hiroshi Imanishi, Atsushi Koizumi, and Shinji Nozaki, 2012.07, Papers
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine dma.jim.osaka-u.ac.jp as primary domain
Highly p-typed superlattices consist of undoped InAs and carbon-doped GaAs layers，Kazuo Uchida, Heisuke Kanaya, Hiroshi Imanishi, Atsushi Koizumi, and Shinji Nozaki，2012年07月，学術論文
  26 Hits samurai.nims.go.jp  
Show textShow cached sourceOpen source URL
T. Kaizu, Y. Imanaka, K. Takehana, T. Takamasu : “Magnetotransport properties of Ytterbium doped AlxGa1-xAs/GaAs two-dimensional electron systems” EP2DS-18/MSS-14 PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES 42[4] (2010) 1126-1129
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine samurai.nims.go.jp as primary domain
2009/12/12 : 木俣基, 山口尚秀, 薩川秀隆, 原田淳之, 小玉恒太, 寺嶋太一, 宇治進也, 今中康貴, 竹端寛治, 高増正, 今井基晴, 佐藤晃, 松田真生, 田島裕之, 内藤俊雄, 稲辺保, 木方邦宏, 李哲虎, 鬼頭聖, 永崎洋, 伊豫彰, 深澤英人, 小堀洋, 播磨尚朝 : “低次元強相関系の強磁場物性測定” 神戸大学物性研究室セミナー
  asiangirlvideo.com  
Show textShow cached sourceOpen source URL
two independent final power amplifiers based on GaAs hybrid circuit,
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine telmor.pl as primary domain
Каталог - для сетей КТВ и для систем SMATV
  2 Hits lotusbedding.com  
Show textShow cached sourceOpen source URL
1 Laser Diodes (GaAs)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine age-attraction.de as primary domain
Termine I Anfahrt
  www.cloetta.com  
Show textShow cached sourceOpen source URL
Materials of Photonic Technologies (LiNbO3, Si, Ge, GaAs, InP, Polymers)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine physics.auth.gr as primary domain
Προκήρυξη εκλογών για την ανάδειξη Διευθυντών Τομέων του Τμήματος
  3 Hits www.tudelft.nl  
Show textShow cached sourceOpen source URL
The work presented in this thesis is initiated by this major goal of merging III-V semiconductor technology with Si technology. The focus was primitively placed on development of a Si-compatible tool for chemical vapor deposition (CVD) of gallium arsenide (GaAs).
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine tudelft.nl as primary domain
gebied. Het werk dat gepresenteerd wordt in deze thesis is tot stand gekomen in de licht van dit doel: het samenbrengen van III-V halfgeleider technologie met Si technologie. De focus was eerst gelegd op de ontwikkeling van een Si compatible apparaat voor Chemical VaporDeposition (CVD) van galliumarseen (GaAs). Hiervoor is een Si/SiGe CVD reactor, de ASMI Epsilon 2000, uitgebreid met een TriMethylGallium (TMGa) bubblersysteem met extra buizen om de depositie van zowel GaAs als de standaard Si en SiGe deposities toe te staan. Van groot belang was het toepassen van een lage arseenconcentratie (AsH3): 0.7%, een minstens tien keer zo lage hoeveelheid als wat normaal wordt gebruikt in MOCVDs. De bijbehorende lage concentratie van TMGa betekent dat de vervuiling van de reactor kamer met gallium of arseen zo laag is dat de gebruikelijke hoge kwaliteit van gedopeerd Si- en SiGe-deposities nog steeds kunnen worden behaald in dezelfde reactorkamer. Hierdoor kon het onderzoek gericht op het ontwikkelen van unieke halvegeleidercomponenten waar de samenvoeging van materialen zoals gallium (Ga), arseen (As) en boor (B), met Si en Ge, in een de zelfde reactor, worden bewerkstelligd. Voor het eerst konden depositiecycli met lagen van verschillende combinaties van deze III, IV, V elementen worden uitgevoerd zonder vacuümonderbreking. Dit was belangrijk, niet alleen voor de groei van goede kwaliteit GaAs epitaxie en kristallijn Ge-op-Si, maar ook voor het realiseren van junctiediodes met deze materialen. Voornamelijk de realisatie van p+n Si diodes van uitzonderlijke kwaliteit was mogelijk gemaakt door de depositie van puur gallium (PureGa) of puur boor (PureB) voor het p+ gebied. De combinatie van zowel PureGa als PureB technieken op kristallijn Ge-op-Si is geïmplementeerd voor ideale Ge-op-Si p+n juncties met wereldrecord lage verzadigingsstromen. De term PureGaB is geïntroduceerd voor deze technologie.
Arrow 1 2 3 4