gaas – -Translation – Keybot Dictionary
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www.zumsteinbock.com
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After the antenna input two MGA-81
GaAs
MMIC amplifiers follow, one serves the input, the other the output path. The amplifiers ICs can be selected in and out of the signal path by RF switches (SKY13317).
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wimo.de
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Après l'entrée de l'antenne, deux amplificateurs MMIC MGA-81 GaAs se suivent, l'un sert à l'entrée, l'autre la sortie. Les circuits intégrés des amplificateurs peuvent être sélectionnés dans et hors du parcours du signal par des commutateurs HF (SKY13317).
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wimo.de
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Dopo l'ingresso dell'antenna sono presenti due amplificatori GaAs MMIC MGA-81, uno serve l'ingresso, l'altro il percorso di uscita. Gli IC amplificatori possono essere inseriti o esclusi dal percorso del segnale tramite gli interruttori RF (SKY13317).
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www.morinagamilk.co.jp
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The resulting structure is free from dislocations at the interfaces as long as the liquid gold nanodroplet measures less than 40 nm. The researchers are now working on growing
GaAs
on InAs. They plan to use the technique to grow nanowires with integrated quantum dots that can be positioned at will for new photonic transmitters.
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minatec.org
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La structure ne présente aucune dislocation aux interfaces quand le diamètre de la nanogoutte d’or est inférieur à 40 nm. Les chercheurs travaillent désormais sur la croissance de GaAs sur InAs. Ils réaliseraient ainsi des boites quantiques intégrées dans des nanofils, positionnées sur demande, pour de nouveaux émetteurs photoniques.
www.reviveourhearts.com
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Activities of the department are focused on the characterization of materials and structures destined for use in optoelectronics and microelectronics. Major attention has been paid to III-V materials, binaries GaP, InP,
GaAs
and GaSb, ternaries InGaP, AlGaAs and quaternary InGaAsP.
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ufe.cz
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Výzkumný tým se zaměřuje na studium elektronických a optických jevů na povrchu a rozhraní nanomateriálů vyvolané dopadem fotonů, iontů, elektronů a adsorbcí plynů za účelem jejich využití pro senzorické aplikace, jako zdrojů světelného záření a pro vylepšení nanodiagnostických schopností analytických metod.
www.eschsintzel.ch
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Since the width of the band gap represents a certain energy corresponding to a particular wavelength, one tries to alter the width selective in order to obtain certain colors of light emitting diodes (LED). This may be achieved by combining different materials. Gallium arsenide (
GaAs
) has a band gap of 1.4 eV (electron volts, at room temperature) and thus emits red light.
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halbleiter.org
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Da die Breite der Bandlücke einer bestimmten Energie und somit einer bestimmten Wellenlänge entspricht, versucht man, die Bandlücke gezielt zu verändern um so bestimmte Farben bei Leuchtdioden zu erhalten. Dies kann u.a. durch Kombination verschiedener Stoffe erreicht werden. Galliumarsenid (GaAs) hat eine Bandlücke von 1,4 Elektronenvolt (eV, bei Raumtemperatur) und strahlt somit rotes Licht ab.
www.labussola.mo.it
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Today, ASELSAN’s radar product portfolio includes air defense, reconnaissance and surveillance, airborne imaging and weapon locating radar systems. ASELSAN radar system expertise covers frequency bands L through Ka Band and encompasses advanced radar technologies such as active phased array, GaAs and GaN based Transmit/Receive Modules.
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aselsan.com.tr
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ASELSAN, 1991 yılında alınmış olan Savunma Sanayi İcra Komitesi kararı doğrultusunda ülkemizin Radar Teknoloji Merkezi olarak Silahlı Kuvvetlerimizin radar ihtiyaçlarının gelişmiş teknolojiye sahip radar sistemleri ile karşılanması için bu alandaki faaliyetlerini artırarak sürdürmektedir.
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www.philhist.uni-augsburg.de
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German Association for American Studies (
GAAS
)
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philhist.uni-augsburg.de
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Deutsches Gesellschaft für Amerikastudien (DGfA)
salanguages.com
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MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) overcome the limitations of silicon microchips and opens a new era in the design of electronic components, which are integrated circuits that operate in the microwave frequency. These types of circuits are based on semiconductor compounds, such as Gallium Arsenide (
GaAs
), which downsize dramatically, up to 1 - 10 mm2.
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televes.es
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As far as TV distribution, Televes will complete the range of successful T.0X headends with the presentation of HEXA, compact transmodulators that can allocate up to six satellite transponders into six independent QAM channels. The company will also announce new references for NevoSwitch multiswitches for potential scenarios involving the transition from DBV-T to DVB-T2.
www.saltmoney.org
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Dr. Christoph Hassel received one of the Sparkasse Duisburg awards for outstanding dissertations. The title of his dissertation was “Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf
GaAs
(110)”.
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forschungsbericht.uni-due.de
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Einen der Preise der Sparkasse Duisburg für herausragende Dissertationen hat Dr. Christoph Hassel erhalten. Das Thema der Dissertation lautet „Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf GaAs(110)“.
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www.lelieuunique.com
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Highly uniform, multi-stacked InGaAs/
GaAs
quantum dots embedded in a
GaAs
nanowire
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qdot.iis.u-tokyo.ac.jp
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Effect of metal side claddings on emission decay rates of single quantum dots embedded in a sub-wavelength semiconductor waveguide
www.jaxa.jp
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GaAs
Solar Cell - Flexible Solar Paddle: Approx. 5.3kW(EOL)
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jaxa.jp
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楕円軌道:2日9周回準回帰軌道(当初計画:静止衛星軌道(東経121度))
www.hc-sc.gc.ca
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Gallium arsenide (
GaAs
)
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hc-sc.gc.ca
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Arseniure de gallium
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www.satohshuzo.co.jp
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Now accepting
GAAS
Scholarship applications!
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aiacanada.com
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Date limite : le 15 juin 2016
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www.lar.lu
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klienditugi@gaas.ee
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gaas.ee
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Вся энергия из одного источника
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www.chemie.de
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Direct integration of subwavelength structure on a
GaAs
solar cell by using colloidal lithography and dry etching process
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chemeurope.com
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04.04.2013 | Dae-Seon Kim, Sung-Hwa Eo, and Jae-Hyung Jang, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2013
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www.irdq.ca
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Si <111>, Oxide, Nitride,
GaAs
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irdq.ca
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Si <111>, Oxide, Nitrure, GaAs
signon-project.eu
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His key contributions are development of the Poisson brackets method of design of nonimaging optics, the development of the SMS design method for nonimaging optics, the first rigorous proof of the Edge Ray Principle for continuous systems, the introduction of a new etendue invariant in the field (for 2D-subdomains of phase space) in nonimaging optics, the calculation of the thermodynamic limits of concentration for non-homogeneous extended sources, and development of the theory and applications of internal and external confinement limits in solar cells, which allowed the construction of a concentration system with
GaAs
and Si cells
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cedint.upm.es
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Miñano ha hecho muchas contribuciones significativas al campo de la óptica sin formación de imagen. Sus trabajos en el área de ópticas para iluminación y concentración son incontables, innovadores y prácticos. Su investigación ha tenido un enorme impacto en el área de los concentradores solares, y en la eficiencia de la iluminación con fuentes LED. Sus contribuciones principales son: el desarrollo del método de diseño de ópticas sin formación de imágenes de lodsparéntesis de Poisson el desarrollo del sistema de diseño SMS para ópticas sin formación de imagen, la primera demostración rigurosa del principio del rayo del borde para sistemas continuos, la introducción de una nueva invariancia en el campo de la eficacia óptica (para subdominios 2D del espacio de fases) en ópticas sin formación de imagen, el cálculo de los límites termodinámicos de la concentración para fuentes extensas no homogéneas, y el desarrollo de la teoría y aplicaciones de los límites de confinamiento interno y externo en células solares, que ha hecho posible la construcción de un sistema de concentración con células de GaAs y Si.
hc-sc.gc.ca
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Gallium arsenide (
GaAs
)
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hc-sc.gc.ca
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Arseniure de gallium
www.lovail.ca
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GaAs
and GaP Wafer Scribing
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ipgphotonics.com
comme domaine prioritaire
Ritzen von GaAs- und GaP-Wafern
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ipgphotonics.com
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およびGaPウェハーのスクライビング
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ipgphotonics.com
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GaAs 和 GaP晶圆划线
actualincesttube.org
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04/06/18 Kehtestati Harku Valla ehitustingimusi, miljööväärtuslikke alasid ja...
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