psi – Übersetzung – Keybot-Wörterbuch

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20 MeV Si beams with fluencies as low as 1013 ions /cm2 suffice to increase the electrical conductivity of p type c-Si with an initial resistivity of 0.05 to 0.1 ohm.cm, inhibiting the formation of porous silicon (PSi) in the irradiated region [1].
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En el CMAM usamos varios haces de iones especialmente He y Si en el rango de energías de MeV/amu para modificar las propiedades superficiales de silicio cristalino (c-Si). Los haces de Si de 20 MeV con fluencias tan bajas como 1.013 iones/cm2 son suficientes para aumentar la conductividad eléctrica del tipo p c-Si con una resistencia inicial de 0.05 a 0.1 ohm.cm, inhibiendo la formación de silicio poroso (PSi) en la región irradiada [1]. Para tales fluencias de naturaleza cristalina de c-Si persisten, al memos, medidas detectadas por canalización, además éste incremento de resistividad puede ser asignado a defectos puntuales inducidos por el proceso de irradiación. La irradiación a través de máscaras de micro-y nano-tamaño permite crecimiento PSi en patrones predeterminados.
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