gaas – Traduction – Dictionnaire Keybot

  7 Hits goldenbyte.org  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Tags: blue corridor @enblue corridor eesti gaascng stationeesti gaaseesti gaas cngeesti gaas estoniaeesti gaas gazpromRaul KotovRaul Kotov eesti gaasTallinn cngTartu cng
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ngvjournal.com as primary domain	Tags: blue corridor 2014 @esEesti Gaas @esEesti Gaas estonia @esEesti Gaas gnvestacion de biometano @esestacion de gasestacion de gnv @esestonia gnv @esRaul Kotov @esRaul Kotov eesti gaas @estallin gnvtartu gnv

  www.aaaglassbeads.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL

The study of semiconductor materials has been an important issue since the beginning of CMAM and a large list of IV, III-V and II-VI systems have been analyzed: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc.

Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine cmam.uam.es as primary domain

El estudio de materiales semiconductores ha sido un tema importante desde el inicio del CMAM y se han analizado hasta la actualidad un extenso número de sistemas IV, III-V y II-VI: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc. En los últimos años, el CMAM ha estado especialmente involucrado en proyectos para el desarrollo de semiconductores de gap ancho, en colaboración con el ISOM de la Universidad Politécnica de Madrid.

  www.airwatec.be  

Show textShow cached sourceOpen source URL

Very critical are the thermal processes, as for the processing of SiC circuits very high temperature is required, especially for electrical activation of dopants Al, B (p-doping), N or P (n-doping). The furnaces for silicon carbide processing must be able to reach up to 2000°C, while for the production of circuits from silicon or GaAs temperatures up to 1200°C are usually sufficient.

Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine crystec.com as primary domain

Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse, da für die Prozessierung von SiC-Schaltkreisen sehr hohe Temperaturen erforderlich sind, insbesondere für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung). Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es Hochtemperatur-Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi2-Heizern bzw. Graphit-Heizern erreichen können.

  36 Hits postmaster.gmx.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL

Most of the previous experiments were conducted at low temperatures because, even though strong coupling can be achieved up to room temperature in GaAs and CdTe systems, their low excitonic stability greatly limits their applications at ambient temperature and / or high density.

Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine crhea.cnrs.fr as primary domain

La plupart des expériences précédentes ont été menées à basse température car, même si le couplage fort peut être obtenu jusqu’à température ambiante dans les systèmes GaAs et CdTe, leur faible stabilité excitonique limite fortement leurs applications à température ambiante et/ou sous forte densité de particules. Pour y remédier, il faut développer des matériaux à grande force de liaison excitonique, comme le GaN et le ZnO, qui sont les matériaux de choix au CRHEA.

  7 Hits www.akm.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs (Low Drift)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine akm.com as primary domain	GaAs（低ドリフト）

  3 Hits www.amerikanistik.uni-bayreuth.de  

Show textShow cached sourceOpen source URL	German Association for American Studies (GAAS)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine amerikanistik.uni-bayreuth.de as primary domain	Deutsche Gesellschaft für Amerikastudien (DGfA)

  www.truenorthinsight.org  

Show textShow cached sourceOpen source URL

Established semiconductor materials like GaAs, InP, and GaN, silicon-based (Si, SiGe) are of special interest, as they allow the additional integration of electronic read-out circuitry and signal processing.

Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine grk1564.uni-siegen.de as primary domain

Ziel dieses Teilprojektes ist die Entwicklung und grundlegende Evaluierung von THz-Detektoren, die eine Realisierung von kompakten THz-Kamerasystemen ermöglichen. Dabei sollen transistorbasierte Konzepte und bolometrische Ansätze untersucht werden. Entsprechende Detektoren und Hochfrequenzschaltungen werden es erlauben, THz-Signale mit hoher Effizienz und Bandbreite zu detektieren. Es sollen neuartige Detektionskonzepte für bildgebende THz-Systeme realisiert werden. Neben Halbleitermaterialien wie GaAs, InP, GaN sind besonders Silizium-basierte (Si, SiGe) Bauelemente von Interesse, die eine kosteneffiziente Integration von Ausleseelektronik und Signalverarbeitung ermöglichen. Silizium-basierte Sensoren erlauben eine hohe System-Integration und ermöglichen Single-Chip Lösungen bei niedrigen Kosten.

  12 Hits www.caminosurf.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Luminescent properties of GaAsBi /GaAs double quantum well heterostructures
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ikz-berlin.de as primary domain	Strain Engineering of Monoclinic Domains in KxNa1-xNbO3 Epitaxial Layers: A Pathway to Enhanced Piezoelectric Properties

  4 Hits www.futaba-ac.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Broadband GaAs amplifier technology
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine pbnglobal.com as primary domain	支持 PBN NMSE 网管软件和 ASMM Web 界面远程管理

  2 Hits www.acoa-apeca.gc.ca  

Show textShow cached sourceOpen source URL	ACOA will ensure consistency in the understanding and application of the annual reviews related to external auditors’ management letters from CBDCs which are a requirement of generally accepted auditing standards (GAAS) and also our contribution agreements.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine acoa-apeca.gc.ca as primary domain	Réponse de la direction:  Accueillie favorablement.  L’APECA assurera l’uniformité concernant la compréhension et l’application des examens annuels liés aux lettres des vérificateurs externes à l’intention de la direction provenant des CBDC, lesquelles sont exigées en vertu des normes de vérification généralement reconnues (NVGR) et aussi des ententes de contribution.

  4 Hits parl.gc.ca  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Rather than being given the ability to override GAAP and GAAS, OSFI can, we believe, continue to receive information to make decisions relative to capital adequacy through the provision of separate reporting.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine parl.gc.ca as primary domain	Plutôt que de donner au BSIF la possibilité de déroger aux PCGR et aux NVGR, nous pensons qu'on devrait au contraire lui permettre de continuer à recevoir des informations lui permettant de se prononcer sur le caractère adéquat ou non du capital sous forme de rapports distincts.

  www.st-barths.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Kick-off Les Voiles de Saint Barth 2012 Caribbean regatta in the magical French West Indies sailing paradise! Today the pres­ti­gious and top-class Caribbean sail­ing regatta Les Voiles de St. Barth 2012 with Gaas­tra Sports­wear as the offi­cial part­ner starts: At the third edi­tion run...
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine st-barths.com as primary domain	Tempête Tropicale MARIA : St Barth et St Martin en vigilance ORANGE. A 11 heures locales, le centre est localisé par 14.2 Nord et 57.5 Ouest soit à environ 717 km au sud est de l’archipel des îles du nord.. Caractéristiques du cyclone Maria : Intensité du cyclone : Tempête Tropicale Vent...

  2 Hits www.bacatec.de  

Show textShow cached sourceOpen source URL

This project focuses on the further development of integrated semiconductor quantum optical circuits in which quantum dot single photon sources, passive optical elements (cavities, waveguides, beam splitters) and superconducting single photon detectors (SSPDs) are combined on a single semiconductor chip. The participating groups at TUM and Stanford pool their expertise in the development of NbN SSPDs (TUM) and the design and realization of GaAs based photonic nanostructures (Stanford).

Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine bacatec.de as primary domain

Das Ziel dieses Projekts ist die Weiterentwicklung eines auf Halbleiter basierten, quanten-photonischen Schaltkreises, in dem Quantenpunkt-Einzelphotonenemitter, passive optische Elemente (Resonatoren, Wellenleiter, Strahlteiler) und supraleitende, Einzelphotonendetektoren (SSPDs) auf einem gemeinsamen Chip kombiniert werden. Die beiden Partner dieses Projekts, TU München und Stanford University, vereinen darin ihre jeweilige Expertise in der Entwicklung von NbN SSPDs (TUM) und in Design und Entwicklung von GaAs-basierten photonischen Nanostrukturen (Stanford). Die SSPD-Technologie vereint hierbei mehrere Vorteile, wie etwa geringe Größe, hohe Quanteneffizienz, hohe Zeitauflösung, niedrige Dunkelzählrate und große Wellenlängen-Bandbreite. Die grundlegende Machbarkeit dieser NbN/GaAs-Quantenphotonischen-Hybridtechnologie wurde bereits in einem vorangehenden BaCaTeC-Projekt demonstriert. Die Partner werden nun im Rahmen des gegenwärtigen Projekts versuchen den nächsten Schritt, nämlich die deterministische Erzeugung eines photonischen Quantenzustands auf einem gemeinsamen Chip, in Angriff zu nehmen.

  www.croftport.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL

The extremely high process stability realized by this way of working is the supposition for high First Pass Yields (FPY) and volume on one side, but for TESAT the decisive point is to satisfy highest quality requirements in space projects with low volume. Existing production experience is 67,000 highly integrated TRX-RF-modules using LTCC-multilayer-technology and includes attach of roughly 890,000 GaAs-MMICs.

Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine tesat.de as primary domain

Die bestehende Produktionserfahrung umfasst 67.000 hoch integrierte TRX-RF-Module in LTCC-Mehrlagen-Technologie und die Verarbeitung von 890.000 Gallium-Arsenid-MMICs. Dieses Volumen wurde bei einem First Pass Yield (FPY) von >90 % gefertigt. Neueste Prozessentwicklungsschritte versprechen einen stabilen FPY von >95 %.

  15 Hits petroleleger.ca  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Information Gaas (Eberau)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine strassensuche.at as primary domain	Información Gaas (Eberau)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine strassensuche.at as primary domain	Informazione Gaas (Eberau)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine strassensuche.at as primary domain	Információ Gaas (Eberau)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine strassensuche.at as primary domain	Informacja Gaas (Eberau)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine strassensuche.at as primary domain	Информа́ция Gaas (Eberau)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine strassensuche.at as primary domain	Informácie Gaas (Eberau)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine strassensuche.at as primary domain	Informacija Gaas (Eberau)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine strassensuche.at as primary domain	Enformasyon Gaas (Eberau)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine strassensuche.at as primary domain	信息 Gaas (Eberau)

  www.cap.ca  

Show textShow cached sourceOpen source URL

The high precision light scattering technique has been important in advancing the physics of low-dimensional semiconductor structures in Canada. Lockwood’s measurements demonstrated opening of gaps in phonon bands in Si/SiGe and GaAs/GaAlAs superlattices grown at the NRC.

Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine cap.ca as primary domain

M. Lockwood a largement contribué au domaine de la diffusion inélastique de la lumière appliquée à l’élucidation des excitations électroniques des solides magnétiques. Le livre sur la diffusion de la lumière dans les solides magnétiques (Light scattering in magnetic solids), dont M. Cottam est coauteur, est devenu un ouvrage de référence en ce domaine. La technique de diffusion de la lumière à haute précision a été importante pour l’avancement de la physique des structures de semi-conducteurs de faibles dimensions au Canada. Les mesures de M. Lockwood ont démontré l’ouverture d’intervalles de bande de phonons dans les super-réseaux Si/SiGe et GaAs/GaAlAs, mis au point au CNRC. Ses expériences électroniques de résonance Raman étaient parmi les premières à démontrer les phonons et les excitations électroniques quantifiées dans des structures de dimension zéro, points quantiques des semiconducteurs.

  11 Hits posada-real-puerto-escondido-puerto-escondido.hotelspuertoescondido.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Cruising in Gaas
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine gays-cruising.com as primary domain	Drague à Gaas
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine gays-cruising.com as primary domain	Homosexuell Cruising in Gaas
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine gays-cruising.com as primary domain	Cruising en Gaas
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine gays-cruising.com as primary domain	Battuage a Gaas
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine gays-cruising.com as primary domain	Pegação em Gaas
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine gays-cruising.com as primary domain	Cruisen in Gaas