gaas – Übersetzung – Keybot-Wörterbuch

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Keybot      1'228 Ergebnisse   230 Domänen   Seite 7
  2 Treffer www.czechleaders.com  
GaAs - Gallium Arsenide
GaAs - Galliumarsenid
  15 Treffer www.dailysummit.net  
GaAs nanowires
Nanofils de GaAs
  6 Treffer www.nims.go.jp  
COHERENT PHONONS: GaAs
コヒーレントフォノン:ガリウム砒素
  childalert.be  
In future, spectroscopic methods such as ICP-OES, FAAS and GAAS will predominate in the determination of heavy metals.
À l’avenir, le dosage des métaux lourds se fera essentiellement à l’aide de méthodes spectroscopiques de type ICP-OES, FAAS ou GAAS.
  2 Treffer www.hkfw.org  
Gaas Oleg
Гаас Олег
  2 Treffer www.sunplazahotel.co.jp  
Highly productive compound semiconductor crystals such as GaAs, InP, germanium or CaF2
hoch produktiven Verbindungshalbleiterkristallen, wie GaAs, InP, Germanium oder CaF2
  4 Treffer www.deib.polimi.it  
analytical and experimental studies of elemental and compound semiconductor devices (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) and organic devices
studi teorico-sperimentali di dispositivi a semiconduttore semplice e composto (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) e organici
  www.soitec.com  
Acquisition by IntelliEPI of the gallium arsenide (GaAs) epitaxy business from Soitec's Specialty Electronics subsidiary
IntelliEPI acquiert l’activité épitaxie d'arséniure de gallium (GaAs) de la filiale Specialty Electronics de Soitec
  67 Treffer www.brl.ntt.co.jp  
Optical Properties of GaAs Quantum Dots Formed in (Al,Ga)As Nanowires
(Al,Ga)Asナノワイヤ中に形成されたGaAs量子ドットの光学特性
  3 Treffer www.iis.fraunhofer.de  
SiGe and III-V for professional applications: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT
SiGe and III-V für professionelle Anwendungen: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT
  5 Treffer researchers.adm.konan-u.ac.jp  
English , “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” (共著) , Phys. Rev. B , vol.61 (8) (p.5535 - 5539) , 2000 , T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
英語 、 “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” (共著) 、 Phys. Rev. B 、 61巻 8号 (頁 5535 ~ 5539) 、 2000年 、 T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
  4 Treffer akitauinfo.akita-u.ac.jp  
GaAs-pin/Ferroelectric liguid crystal spatial light modulator and its applications
Thresholding Characteristics of an Optically Addressable GaAs-pin/Ferroelectric Liquid Crystal Spatial Light Modulator and Its Applications
  3 Treffer www.izm.fraunhofer.de  
Process steps for GaAs TC bonding
Thermocompression Bonding
  32 Treffer www.kyosemi.co.jp  
GaAs Photodiodes
GaAs光电二极管
  energia.elmedia.net  
International experts from public and private sectors will gather at the 4th Annual Baltic Energy Summit sponsored by Gasum, Eesti Gaas, Roedl & Partner, Fortum, E.ON Ruhrgas, ABB and Vopak ...
Топлофикация София ЕАД предлага в бизнес плана за тази година програма за стабилизиране на производството и модернизация на съоръженията в топлоизточниците. ...
  www.cap.ca  
The high precision light scattering technique has been important in advancing the physics of low-dimensional semiconductor structures in Canada. Lockwood’s measurements demonstrated opening of gaps in phonon bands in Si/SiGe and GaAs/GaAlAs superlattices grown at the NRC.
M. Lockwood a largement contribué au domaine de la diffusion inélastique de la lumière appliquée à l’élucidation des excitations électroniques des solides magnétiques. Le livre sur la diffusion de la lumière dans les solides magnétiques (Light scattering in magnetic solids), dont M. Cottam est coauteur, est devenu un ouvrage de référence en ce domaine. La technique de diffusion de la lumière à haute précision a été importante pour l’avancement de la physique des structures de semi-conducteurs de faibles dimensions au Canada. Les mesures de M. Lockwood ont démontré l’ouverture d’intervalles de bande de phonons dans les super-réseaux Si/SiGe et GaAs/GaAlAs, mis au point au CNRC. Ses expériences électroniques de résonance Raman étaient parmi les premières à démontrer les phonons et les excitations électroniques quantifiées dans des structures de dimension zéro, points quantiques des semiconducteurs.
  www.croftport.com  
The extremely high process stability realized by this way of working is the supposition for high First Pass Yields (FPY) and volume on one side, but for TESAT the decisive point is to satisfy highest quality requirements in space projects with low volume. Existing production experience is 67,000 highly integrated TRX-RF-modules using LTCC-multilayer-technology and includes attach of roughly 890,000 GaAs-MMICs.
Die bestehende Produktionserfahrung umfasst 67.000 hoch integrierte TRX-RF-Module in LTCC-Mehrlagen-Technologie und die Verarbeitung von 890.000 Gallium-Arsenid-MMICs. Dieses Volumen wurde bei einem First Pass Yield (FPY) von >90 % gefertigt. Neueste Prozessentwicklungsschritte versprechen einen stabilen FPY von >95 %.
  11 Treffer posada-real-puerto-escondido-puerto-escondido.hotelspuertoescondido.com  
Cruising in Gaas
Drague à Gaas
Homosexuell Cruising in Gaas
Cruising en Gaas
Battuage a Gaas
Pegação em Gaas
Cruisen in Gaas
  2 Treffer www.acoa-apeca.gc.ca  
ACOA will ensure consistency in the understanding and application of the annual reviews related to external auditors’ management letters from CBDCs which are a requirement of generally accepted auditing standards (GAAS) and also our contribution agreements.
Réponse de la direction:  Accueillie favorablement.  L’APECA assurera l’uniformité concernant la compréhension et l’application des examens annuels liés aux lettres des vérificateurs externes à l’intention de la direction provenant des CBDC, lesquelles sont exigées en vertu des normes de vérification généralement reconnues (NVGR) et aussi des ententes de contribution.
  www.st-barths.com  
Kick-off Les Voiles de Saint Barth 2012 Caribbean regatta in the magical French West Indies sailing paradise! Today the pres­ti­gious and top-class Caribbean sail­ing regatta Les Voiles de St. Barth 2012 with Gaas­tra Sports­wear as the offi­cial part­ner starts: At the third edi­tion run...
Tempête Tropicale MARIA : St Barth et St Martin en vigilance ORANGE. A 11 heures locales, le centre est localisé par 14.2 Nord et 57.5 Ouest soit à environ 717 km au sud est de l’archipel des îles du nord.. Caractéristiques du cyclone Maria : Intensité du cyclone : Tempête Tropicale Vent...
  4 Treffer parl.gc.ca  
Rather than being given the ability to override GAAP and GAAS, OSFI can, we believe, continue to receive information to make decisions relative to capital adequacy through the provision of separate reporting.
Plutôt que de donner au BSIF la possibilité de déroger aux PCGR et aux NVGR, nous pensons qu'on devrait au contraire lui permettre de continuer à recevoir des informations lui permettant de se prononcer sur le caractère adéquat ou non du capital sous forme de rapports distincts.
  3 Treffer www.amerikanistik.uni-bayreuth.de  
German Association for American Studies (GAAS)
Deutsche Gesellschaft für Amerikastudien (DGfA)
  12 Treffer www.caminosurf.com  
Luminescent properties of GaAsBi /GaAs double quantum well heterostructures
Strain Engineering of Monoclinic Domains in KxNa1-xNbO3 Epitaxial Layers: A Pathway to Enhanced Piezoelectric Properties
  7 Treffer www.akm.com  
GaAs (Low Drift)
GaAs(低ドリフト)
  4 Treffer www.futaba-ac.com  
Broadband GaAs amplifier technology
支持 PBN NMSE 网管软件和 ASMM Web 界面远程管理
  15 Treffer petroleleger.ca  
Information Gaas (Eberau)
Información Gaas (Eberau)
Informazione Gaas (Eberau)
Információ Gaas (Eberau)
Informacja Gaas (Eberau)
Информа́ция Gaas (Eberau)
Informácie Gaas (Eberau)
Informacija Gaas (Eberau)
Enformasyon Gaas (Eberau)
信息 Gaas (Eberau)
  40 Treffer toshiba.semicon-storage.com  
C-Band Internally Matched Power GaAs FETs
Comunicaciones inalámbricas
Komunikacja bezprzewodowa
  www.adco.gr  
There is a great breadth of semiconductors on the market. The most important features here include: Silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) or gallium arsenide (GaAs). Which of these semiconductors are best will be determined by the material properties, the requirements to the device and the costs.
Il existe un très grand éventail de semi-conducteurs sur le marché. Les matériaux les plus importants comprennent ici : Le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC), le nitrure de gallium (GaN) ou l’arséniure de gallium (GaAs). Les caractéristiques du matériau, les exigences de l’appareil et les coûts déterminent quel semi-conducteur est le plus adapté. Chacune de ces matières s’est établie dans sa propre niche.
Auf dem Markt gibt es eine sehr große Bandbreite von Halbleitern. Zu den wichtigsten Materialien gehören hier: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) oder Galliumarsenid (GaAs). Welche dieser Halbeiter am besten geeignet sind, entscheiden die Materialeigenschaften, die Anforderungen des Geräts und die Kosten. Jeder dieser Stoffe hat sich in seiner Nische etabliert.
Existe una gama muy amplia de semiconductores en el mercado. Los materiales más importantes incluyen: Silicio (Si), carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN) o arseniuro de galio (GaAs). Cuál de estos materiales es el más adecuado, lo deciden las propiedades del material, los requisitos del dispositivo y los costes. Cada una de estas sustancias se ha consolidado en su nicho.
La gamma dei semiconduttori disponibili sul mercato è molto ampia. I materiali più importanti sono silicio (Si), carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN) o arseniuro di gallio (GaAs). L'individuazione dei semiconduttori più adeguati dipende dalle proprietà del materiale, dai requisiti dell'apparecchio e dai costi. Ognuno di questi materiali si è affermato in una propria nicchia.
Existe uma gama muito ampla de semicondutores no mercado. Os materiais mais importantes incluem: Silício (Si), carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN) ou arsenieto de gálio (GaAs). As propriedades do material, os requisitos do dispositivo e o custo decidem quais destes materiais são os mais adequados. Cada uma destas substâncias tem o seu próprio nicho de mercado.
На рынке представлен очень большой выбор полупроводников. Наиболее важными материалами являются: кремний (Si), карбид кремний (SiC), нитрид галлия (GaN) или арсенид галлия (GaAs). Какие из этих полупроводников подходят лучше всего, зависит от свойств материала, требований к устройству и стоимости. Каждый из этих материалов нашел признание в своей области.
  2 Treffer www.perimeterinstitute.ca  
quantum Hall effect (FQHE). The materials in question include GaAs wide quantum
interactions in a number of low-dimensional systems exhibiting the fractional
  www.hepp.ch  
Unintentional High-Density p-Type Modulation Doping of a GaAs/AlAs Core–Multishell Nanowire
Fort dopage en trous de coeurs/nanofils multicouches GaAs/AlAs
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