gaas – Traduction – Dictionnaire Keybot

  14 Résultats www.scubaqua.com  

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Electrical Transport in Low Dimensional Systems Fabricated in a (110) GaAs Quantum Well, Tomohiro Nakagawa, Rio Fukai, Yuji Sakai, Haruki Kiyama, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,and Akira Oiwa，International School and Symposium on nanoscale transport and photonics (ISNTT2017), NTT Atsugi R&D Center, Atsugi Kanagawa, JAPAN, Nov 13-17, 2017, 2017.11, International Conference(Non Proceeding)

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Electrical Transport in Low Dimensional Systems Fabricated in a (110) GaAs Quantum Well，Tomohiro Nakagawa, Rio Fukai, Yuji Sakai, Haruki Kiyama, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,and Akira Oiwa，International School and Symposium on nanoscale transport and photonics (ISNTT2017), NTT Atsugi R&D Center, Atsugi Kanagawa, JAPAN, Nov 13-17, 2017，2017年11月，国際会議（proceedingsなし）

  breathefree.com  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	G. Bussone, H. Schäfer-Eberwein, E. Dimakis, A. Biermanns, D. Carbone, A. Tahraoui, L. Geelhaar, P. Haring Bolívar, T. U. Schülli, and U. Pietsch "Correlation of Electrical and Structural Properties of Single As-Grown GaAs Nanowires on Si (111) Substrates," Nano Letters vol.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir hqe.eti.uni-siegen.de comme domaine prioritaire	G. Bussone, H. Schäfer-Eberwein, E. Dimakis, A. Biermanns, D. Carbone, A. Tahraoui, L. Geelhaar, P. Haring Bolívar, T. U. Schülli, and U. Pietsch "Correlation of Electrical and Structural Properties of Single As-Grown GaAs Nanowires on Si (111) Substrates," Nano Letters vol. 15, 2 , pp. 981-989 (2015) [doi.org] [www] [BibTeX]

  2 Résultats www.unibas.ch  

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Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir unibas.ch comme domaine prioritaire	Illustration eines Halbleiter-Quantenpunkts aus Indiumarsenid/Galliumarsenid (Indium, Gallium, Arsen in gelb, blau und lila). Zwei entferne Kernspins (gelbe Pfeile) sind durch den Spin eines Elektrons miteinander gekoppelt, das um die Atome im roten Bereich kreist. (Bild: Universität Basel, Departement Physik)

  5 Résultats www.chemie.de  

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Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir chemeurope.com comme domaine prioritaire	04.04.2013 | Dae-Seon Kim, Sung-Hwa Eo, and Jae-Hyung Jang, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2013

  4 Résultats ackordscentralen.se  

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The speed of optical switches is limited by the properties of the underlying materials. In modern science and technology, cavities fabricated from semiconductor materials such as GaAs and AlAs have become highly popular.

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De snelheid van de optische schakelaars wordt beperkt door de eigenschappen van de onderliggende materialen. In moderne wetenschap en technologie worden vaak halfgeleidende materialen zoals GaAs en AlAs gebruikt met kleine holtes erin. Die kunnen op een schaal van enkele micrometers gemaakt worden (slechts één honderdste van de dikte van een mensenhaar). Deze 'microholtes' kunnen geïntegreerd worden op chips, maar ze worden ook gebruikt om e-mail, internet en Tv-signalen te verzenden als optische signalen.

  4 Résultats www.ioap.tu-berlin.de  

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Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir ioap.tu-berlin.de comme domaine prioritaire	T. Niermann, F. Kießling, M. Lehmann, J.-H. Schulze, T.D. Germann, K. Pötschke, A. Strittmatter, and U.W. Pohl

  2 Résultats www.irdq.ca  

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Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir irdq.ca comme domaine prioritaire	Si <111>, Oxide, Nitrure, GaAs

  2 Résultats nb.lv  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	ABTF's mandate is to carry out all of your audit and year end financial statement needs efficiently in accordance with French GAAS and International Audit Standards (ISAs). In doing so, we tailor our services to each client's individual needs.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir abtf-france.com comme domaine prioritaire	ABTF garantiert Ihnen eine effiziente Durchführung der Jahresabschlussprüfung nach französischem und internationalem Recht. Dabei orientieren wir uns an den Belangen jedes einzelnen Mandanten und betreuen Sie somit das ganze Jahr und nicht nur zur Jahresabschlussprüfung.

  www.cfpc.ca  

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Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir cfpc.ca comme domaine prioritaire	Edmonton, AB

  www.lenntech.com  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	Analog integrated circuits are the most common application for gallium, with optoelectronic devices (mostly laser diodes and light-emitting diodes) as the second largest end use. Gallium has semiconductor properties, especially as gallium arsendite (GaAs).
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir lenntech.com comme domaine prioritaire	Reines Gallium ist keine schädliche Substanz bei Hautkontakt durch den Menschen. Es wird häufig berührt, weil man davon beeindruckt ist, dass es in der Hand schmilzt, woraufhin es Flecken auf dieser hinterlässt. Die radioaktive Verbindung 67-Ga-Citrat kann sogar in den Körper eingespritzt werden und für Galliumabtastung ohne schädliche Effekte benutzt werden. Obgleich es nicht schädlich ist, sollte Gallium nicht in großen Dosen gebraucht werden.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir lenntech.com comme domaine prioritaire	El galio es semejante químicamente al aluminio. Es anfótero, pero poco más ácido que el aluminio. La valencia normal del galio es 3+ y forma hidróxidos, óxidos y sales. El galio funde al contacto con el aire cuando se calienta a 500ºC (930ºF). Reacciona vigorosamente con agua hirviendo, pero ligeramente con agua a temperatura ambiente. Las sales de galio son incoloras; se preparan de manera directa a partir del metal, dado que la purificación de éste es más simple que la de sus sales.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir lenntech.com comme domaine prioritaire	Circuiti integrati analogici costituiscono l'impiego più comune del gallio, insieme ai dispositivi optoelettronici (soprattutto diodi laser e diodi luminescenti) che sono il secondo inpiego piu' diffuso del gallio. Il gallio ha proprietà semiconduttrici, particolarmente in forma di arsendite di gallio (GaAs), che e' in grado di convertire elettricita' in luce ed è usata nei diodi luminescenti (LED) per la visualizzazione elettronica e di orologi.

  salanguages.com  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) overcome the limitations of silicon microchips and opens a new era in the design of electronic components, which are integrated circuits that operate in the microwave frequency. These types of circuits are based on semiconductor compounds, such as Gallium Arsenide (GaAs), which downsize dramatically, up to 1 - 10 mm2.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir televes.es comme domaine prioritaire	As far as TV distribution, Televes will complete the range of successful T.0X headends with the presentation of HEXA, compact transmodulators that can allocate up to six satellite transponders into six independent QAM channels. The company will also announce new references for NevoSwitch multiswitches for potential scenarios involving the transition from DBV-T to DVB-T2.

  14 Résultats www.satohshuzo.co.jp  

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Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir aiacanada.com comme domaine prioritaire	Date limite : le 15 juin 2016

  6 Résultats www.lar.lu  

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Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir gaas.ee comme domaine prioritaire	Вся энергия из одного источника

  5 Résultats www.lelieuunique.com  

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Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir qdot.iis.u-tokyo.ac.jp comme domaine prioritaire	Effect of metal side claddings on emission decay rates of single quantum dots embedded in a sub-wavelength semiconductor waveguide

  www.hc-sc.gc.ca  

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  hc-sc.gc.ca  

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  www.vanwylick.de  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	Promotion of local initiatives for natural resource protection (PILPRN project), implemented by the NGO GAAS MALI.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir staging.gcca.eu comme domaine prioritaire	Le Développement de la filière gomme arabique dans la région de Kayes est mis en œuvre par l’ONG AVSF.

  2 Résultats www.philhist.uni-augsburg.de  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	German Association for American Studies (GAAS)
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  2 Résultats www.zumsteinbock.com  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	After the antenna input two MGA-81 GaAs MMIC amplifiers follow, one serves the input, the other the output path. The amplifiers ICs can be selected in and out of the signal path by RF switches (SKY13317).
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir wimo.de comme domaine prioritaire	Après l'entrée de l'antenne, deux amplificateurs MMIC MGA-81 GaAs se suivent, l'un sert à l'entrée, l'autre la sortie. Les circuits intégrés des amplificateurs peuvent être sélectionnés dans et hors du parcours du signal par des commutateurs HF (SKY13317).
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir wimo.de comme domaine prioritaire	Dopo l'ingresso dell'antenna sono presenti due amplificatori GaAs MMIC MGA-81, uno serve l'ingresso, l'altro il percorso di uscita. Gli IC amplificatori possono essere inseriti o esclusi dal percorso del segnale tramite gli interruttori RF (SKY13317).

  signon-project.eu  

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His key contributions are development of the Poisson brackets method of design of nonimaging optics, the development of the SMS design method for nonimaging optics, the first rigorous proof of the Edge Ray Principle for continuous systems, the introduction of a new etendue invariant in the field (for 2D-subdomains of phase space) in nonimaging optics, the calculation of the thermodynamic limits of concentration for non-homogeneous extended sources, and development of the theory and applications of internal and external confinement limits in solar cells, which allowed the construction of a concentration system with GaAs and Si cells

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Miñano ha hecho muchas contribuciones significativas al campo de la óptica sin formación de imagen. Sus trabajos en el área de ópticas para iluminación y concentración son incontables, innovadores y prácticos. Su investigación ha tenido un enorme impacto en el área de los concentradores solares, y en la eficiencia de la iluminación con fuentes LED. Sus contribuciones principales son: el desarrollo del método de diseño de ópticas sin formación de imágenes de lodsparéntesis de Poisson el desarrollo del sistema de diseño SMS para ópticas sin formación de imagen, la primera demostración rigurosa del principio del rayo del borde para sistemas continuos, la introducción de una nueva invariancia en el campo de la eficacia óptica (para subdominios 2D del espacio de fases) en ópticas sin formación de imagen, el cálculo de los límites termodinámicos de la concentración para fuentes extensas no homogéneas, y el desarrollo de la teoría y aplicaciones de los límites de confinamiento interno y externo en células solares, que ha hecho posible la construcción de un sistema de concentración con células de GaAs y Si.

  www.jaxa.jp  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	GaAs Solar Cell - Flexible Solar Paddle: Approx. 5.3kW(EOL)
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir jaxa.jp comme domaine prioritaire	楕円軌道：2日9周回準回帰軌道（当初計画：静止衛星軌道（東経121度））

  www.labussola.mo.it  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	Today, ASELSAN’s radar product portfolio includes air defense, reconnaissance and surveillance, airborne imaging and weapon locating radar systems. ASELSAN radar system expertise covers frequency bands L through Ka Band and encompasses advanced radar technologies such as active phased array, GaAs and GaN based Transmit/Receive Modules.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir aselsan.com.tr comme domaine prioritaire	ASELSAN, 1991 yılında alınmış olan Savunma Sanayi İcra Komitesi kararı doğrultusunda ülkemizin Radar Teknoloji Merkezi olarak Silahlı Kuvvetlerimizin radar ihtiyaçlarının gelişmiş teknolojiye sahip radar sistemleri ile karşılanması için bu alandaki faaliyetlerini artırarak sürdürmektedir.

  www.eschsintzel.ch  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	Since the width of the band gap represents a certain energy corresponding to a particular wavelength, one tries to alter the width selective in order to obtain certain colors of light emitting diodes (LED). This may be achieved by combining different materials. Gallium arsenide (GaAs) has a band gap of 1.4 eV (electron volts, at room temperature) and thus emits red light.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir halbleiter.org comme domaine prioritaire	Da die Breite der Bandlücke einer bestimmten Energie und somit einer bestimmten Wellenlänge entspricht, versucht man, die Bandlücke gezielt zu verändern um so bestimmte Farben bei Leuchtdioden zu erhalten. Dies kann u.a. durch Kombination verschiedener Stoffe erreicht werden. Galliumarsenid (GaAs) hat eine Bandlücke von 1,4 Elektronenvolt (eV, bei Raumtemperatur) und strahlt somit rotes Licht ab.

  www.reviveourhearts.com  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	Activities of the department are focused on the characterization of materials and structures destined for use in optoelectronics and microelectronics. Major attention has been paid to III-V materials, binaries GaP, InP, GaAs and GaSb, ternaries InGaP, AlGaAs and quaternary InGaAsP.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir ufe.cz comme domaine prioritaire	Výzkumný tým se zaměřuje na studium elektronických a optických jevů na povrchu a rozhraní nanomateriálů vyvolané dopadem fotonů, iontů, elektronů a adsorbcí plynů za účelem jejich využití pro senzorické aplikace, jako zdrojů světelného záření a pro vylepšení nanodiagnostických schopností analytických metod.

  5 Résultats www.morinagamilk.co.jp  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	The resulting structure is free from dislocations at the interfaces as long as the liquid gold nanodroplet measures less than 40 nm. The researchers are now working on growing GaAs on InAs. They plan to use the technique to grow nanowires with integrated quantum dots that can be positioned at will for new photonic transmitters.
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  www.lovail.ca  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	GaAs and GaP Wafer Scribing
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  2 Résultats www.neworleanslatours.com  

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Its radiation has unconventional (for existing lasers) spectro-dynamical and correlation properties, since it is produced in a low-Q multi-mode resonator, where the lifetime of photons is short compared with the lifetime of an optical polarization of the quantum dots (E. R. Kocharovskaya, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky). Such lasers, which are called D-class lasers and have not been realized before, can be made of the GaAs/InGaAs heterostructures with several layers of submonolayer quantum dots.

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Впервые показано также, что на основе последних достижений нанотехнологии выращивания массивов субмонослойных квантовых точек и разработанных в ИПФ методов нелинейной динамической селекции мод благодаря распределенной обратной связи возможно создание уникального сверхизлучающего гетеролазера миллиметровой длины с КПД более 50 %. Он способен генерировать последовательности мощных (мультиваттных) сверхкоротких (пикосекундных) импульсов когерентного излучения при непрерывной инжекционной или оптической накачке в отсутствие специальной синхронизации мод и рассчитан на решение сложных задач динамической спектроскопии и обработки информации. Его излучение обладает необычными (для существующих лазеров) корреляционными и спектрально-динамическими свойствами, поскольку возникает в низкодобротном многомодовом резонаторе, время жизни фотонов в котором мало по сравнению со временем жизни оптической поляризации квантовых точек (Е. Р. Кочаровская, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский). Для подобных лазеров, называемых лазерами класса D и ранее не реализованных, спроектированы (совместно с ФТИ РАН) необходимые GaAs/InGaAs-гетероструктуры с несколькими слоями субмонослойных квантовых точек, обладающие рекордной спектральной и пространственной плотностью состояний с достаточно большим временем релаксации их оптической поляризации.