gaas – -Translation – Keybot Dictionary

Spacer TTN Translation Network TTN TTN Login Deutsch Français Spacer Help
Source Languages Target Languages
Keybot      1'228 Results   230 Domains   Page 10
  3 Hits www.tudelft.nl  
Show textShow cached sourceOpen source URL
The work presented in this thesis is initiated by this major goal of merging III-V semiconductor technology with Si technology. The focus was primitively placed on development of a Si-compatible tool for chemical vapor deposition (CVD) of gallium arsenide (GaAs).
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine tudelft.nl as primary domain
gebied. Het werk dat gepresenteerd wordt in deze thesis is tot stand gekomen in de licht van dit doel: het samenbrengen van III-V halfgeleider technologie met Si technologie. De focus was eerst gelegd op de ontwikkeling van een Si compatible apparaat voor Chemical VaporDeposition (CVD) van galliumarseen (GaAs). Hiervoor is een Si/SiGe CVD reactor, de ASMI Epsilon 2000, uitgebreid met een TriMethylGallium (TMGa) bubblersysteem met extra buizen om de depositie van zowel GaAs als de standaard Si en SiGe deposities toe te staan. Van groot belang was het toepassen van een lage arseenconcentratie (AsH3): 0.7%, een minstens tien keer zo lage hoeveelheid als wat normaal wordt gebruikt in MOCVDs. De bijbehorende lage concentratie van TMGa betekent dat de vervuiling van de reactor kamer met gallium of arseen zo laag is dat de gebruikelijke hoge kwaliteit van gedopeerd Si- en SiGe-deposities nog steeds kunnen worden behaald in dezelfde reactorkamer. Hierdoor kon het onderzoek gericht op het ontwikkelen van unieke halvegeleidercomponenten waar de samenvoeging van materialen zoals gallium (Ga), arseen (As) en boor (B), met Si en Ge, in een de zelfde reactor, worden bewerkstelligd. Voor het eerst konden depositiecycli met lagen van verschillende combinaties van deze III, IV, V elementen worden uitgevoerd zonder vacuümonderbreking. Dit was belangrijk, niet alleen voor de groei van goede kwaliteit GaAs epitaxie en kristallijn Ge-op-Si, maar ook voor het realiseren van junctiediodes met deze materialen. Voornamelijk de realisatie van p+n Si diodes van uitzonderlijke kwaliteit was mogelijk gemaakt door de depositie van puur gallium (PureGa) of puur boor (PureB) voor het p+ gebied. De combinatie van zowel PureGa als PureB technieken op kristallijn Ge-op-Si is geïmplementeerd voor ideale Ge-op-Si p+n juncties met wereldrecord lage verzadigingsstromen. De term PureGaB is geïntroduceerd voor deze technologie.
  www.frontier.phys.nagoya-u.ac.jp  
Show textShow cached sourceOpen source URL
GaAs Triple Junction cell
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine frontier.phys.nagoya-u.ac.jp as primary domain
GaAsトリプルジャンクション型セル
  4 Hits laurencejenk.com  
Show textShow cached sourceOpen source URL
13. M. M. de Lima, Jr., W. Seidel, F. Alsina and P. V. Santos. Focusing of surface-acoustic-wave fields on [100] GaAs surfaces. Journal of Applied Physics. 94, 7848-7855 (2003).
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ejta.org as primary domain
9. A. Gantner, Mathematical modeling and numerical simulation of piezoelectrical agitated surface acoustic waves. Ph.D. Thesis. Faculty of Mathematics and Natural Sciences, University of Augsburg, Germany (2005).
  16 Hits nutritionstudies.org  
Show textShow cached sourceOpen source URL
Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire --- quantum dot system for single photon sources
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine man.dtu.dk as primary domain
Presented at: Nanostructures: Physics and Technology
  10 Hits research02.jimu.kyutech.ac.jp  
Show textShow cached sourceOpen source URL
English , Photoluminescence dynamics due to exciton and free carrier transport in GaAs/AlAs superlattices , Physica E , vol.42 (10) (p.2655 - 2657) , 2010.09 , R. Kido,A. Satake,and K. Fujiwara
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine research02.jimu.kyutech.ac.jp as primary domain
英語 、 Photoluminescence dynamics due to exciton and free carrier transport in GaAs/AlAs superlattices 、 Physica E 、 42巻 10号 （頁 2655 ～ 2657） 、 2010年09月 、 R. Kido,A. Satake,and K. Fujiwara
  10 Hits www.bavariaworldwide.de  
Show textShow cached sourceOpen source URL
Goals of the GAAS
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine gaas.dsl.ge as primary domain
gaasgeorgia@gmail.com
  www.vanwylick.de  
Show textShow cached sourceOpen source URL
Promotion of local initiatives for natural resource protection (PILPRN project), implemented by the NGO GAAS MALI.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine staging.gcca.eu as primary domain
Le Développement de la filière gomme arabique dans la région de Kayes est mis en œuvre par l’ONG AVSF.
  2 Hits j-deite.jp  
Show textShow cached sourceOpen source URL
KU PA 10201050-30 A, GaAs-FET Power Amplifier
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine kuhne-electronic.de as primary domain
KU PA 510590-10 A, Leistungsverstärker
  2 Hits www.whale-watching-label.com  
Show textShow cached sourceOpen source URL
Its radiation has unconventional (for existing lasers) spectro-dynamical and correlation properties, since it is produced in a low-Q multi-mode resonator, where the lifetime of photons is short compared with the lifetime of an optical polarization of the quantum dots (E. R. Kocharovskaya, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky). Such lasers, which are called D-class lasers and have not been realized before, can be made of the GaAs/InGaAs heterostructures with several layers of submonolayer quantum dots.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine iapras.ru as primary domain
Впервые показано также, что на основе последних достижений нанотехнологии выращивания массивов субмонослойных квантовых точек и разработанных в ИПФ методов нелинейной динамической селекции мод благодаря распределенной обратной связи возможно создание уникального сверхизлучающего гетеролазера миллиметровой длины с КПД более 50 %. Он способен генерировать последовательности мощных (мультиваттных) сверхкоротких (пикосекундных) импульсов когерентного излучения при непрерывной инжекционной или оптической накачке в отсутствие специальной синхронизации мод и рассчитан на решение сложных задач динамической спектроскопии и обработки информации. Его излучение обладает необычными (для существующих лазеров) корреляционными и спектрально-динамическими свойствами, поскольку возникает в низкодобротном многомодовом резонаторе, время жизни фотонов в котором мало по сравнению со временем жизни оптической поляризации квантовых точек (Е. Р. Кочаровская, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский). Для подобных лазеров, называемых лазерами класса D и ранее не реализованных, спроектированы (совместно с ФТИ РАН) необходимые GaAs/InGaAs-гетероструктуры с несколькими слоями субмонослойных квантовых точек, обладающие рекордной спектральной и пространственной плотностью состояний с достаточно большим временем релаксации их оптической поляризации.
  2 Hits www.neworleanslatours.com  
Show textShow cached sourceOpen source URL
Its radiation has unconventional (for existing lasers) spectro-dynamical and correlation properties, since it is produced in a low-Q multi-mode resonator, where the lifetime of photons is short compared with the lifetime of an optical polarization of the quantum dots (E. R. Kocharovskaya, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky). Such lasers, which are called D-class lasers and have not been realized before, can be made of the GaAs/InGaAs heterostructures with several layers of submonolayer quantum dots.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ipfran.ru as primary domain
Впервые показано также, что на основе последних достижений нанотехнологии выращивания массивов субмонослойных квантовых точек и разработанных в ИПФ методов нелинейной динамической селекции мод благодаря распределенной обратной связи возможно создание уникального сверхизлучающего гетеролазера миллиметровой длины с КПД более 50 %. Он способен генерировать последовательности мощных (мультиваттных) сверхкоротких (пикосекундных) импульсов когерентного излучения при непрерывной инжекционной или оптической накачке в отсутствие специальной синхронизации мод и рассчитан на решение сложных задач динамической спектроскопии и обработки информации. Его излучение обладает необычными (для существующих лазеров) корреляционными и спектрально-динамическими свойствами, поскольку возникает в низкодобротном многомодовом резонаторе, время жизни фотонов в котором мало по сравнению со временем жизни оптической поляризации квантовых точек (Е. Р. Кочаровская, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский). Для подобных лазеров, называемых лазерами класса D и ранее не реализованных, спроектированы (совместно с ФТИ РАН) необходимые GaAs/InGaAs-гетероструктуры с несколькими слоями субмонослойных квантовых точек, обладающие рекордной спектральной и пространственной плотностью состояний с достаточно большим временем релаксации их оптической поляризации.
  2 Hits assemblysys.com  
Show textShow cached sourceOpen source URL
Sol Voltaics: GaAs Nanowires for Solar Cells Get $6M
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine prothius.com as primary domain
Nissan TeRRA destaca en el Salón de París 2012
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine prothius.com as primary domain
Carlos Ghosn en Moncloa i La Zarzuela
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Arrow