gaas – -Translation – Keybot Dictionary

  www.soitec.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Acquisition by IntelliEPI of the gallium arsenide (GaAs) epitaxy business from Soitec's Specialty Electronics subsidiary
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine soitec.com as primary domain	IntelliEPI acquiert l’activité épitaxie d'arséniure de gallium (GaAs) de la filiale Specialty Electronics de Soitec

  8 Hits www.win-archery.com  

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Photoluminescence and electroluminescence are also widely used characterisation technique, providing a fast spatial distribution of key properties of semiconductors samples. It was successfully employed to characterise different defects present in SiC pin diodes and to study the uniformity of opto-electronics properties in CIGS, CIS and GaAs solar cells.

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La photoluminescence et l’électroluminescence sont également des techniques de caractérisation largement utilisées, ces dernières peuvent fournir rapidement la distribution spatiale des principales propriétés des échantillons à base de semi-conducteurs. Ces méthodes ont été utilisé avec succès pour caractériser différents défauts présents dans des diodes PIN de SiC et afin d'étudier l'uniformité des propriétés opto-électroniques de cellules solaire à base de CIGS, de CIS et de GaAs.

  36 Hits postmaster.gmx.com  

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Most of the previous experiments were conducted at low temperatures because, even though strong coupling can be achieved up to room temperature in GaAs and CdTe systems, their low excitonic stability greatly limits their applications at ambient temperature and / or high density.

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La plupart des expériences précédentes ont été menées à basse température car, même si le couplage fort peut être obtenu jusqu’à température ambiante dans les systèmes GaAs et CdTe, leur faible stabilité excitonique limite fortement leurs applications à température ambiante et/ou sous forte densité de particules. Pour y remédier, il faut développer des matériaux à grande force de liaison excitonique, comme le GaN et le ZnO, qui sont les matériaux de choix au CRHEA.

  www.airwatec.be  

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Very critical are the thermal processes, as for the processing of SiC circuits very high temperature is required, especially for electrical activation of dopants Al, B (p-doping), N or P (n-doping). The furnaces for silicon carbide processing must be able to reach up to 2000°C, while for the production of circuits from silicon or GaAs temperatures up to 1200°C are usually sufficient.

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Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse, da für die Prozessierung von SiC-Schaltkreisen sehr hohe Temperaturen erforderlich sind, insbesondere für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung). Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es Hochtemperatur-Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi2-Heizern bzw. Graphit-Heizern erreichen können.

  www.aaaglassbeads.com  

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The study of semiconductor materials has been an important issue since the beginning of CMAM and a large list of IV, III-V and II-VI systems have been analyzed: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc.

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El estudio de materiales semiconductores ha sido un tema importante desde el inicio del CMAM y se han analizado hasta la actualidad un extenso número de sistemas IV, III-V y II-VI: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc. En los últimos años, el CMAM ha estado especialmente involucrado en proyectos para el desarrollo de semiconductores de gap ancho, en colaboración con el ISOM de la Universidad Politécnica de Madrid.

  32 Hits photo-art-hofmann.fotograf.de  

Show textShow cached sourceOpen source URL	For the detection a 1m additive double monochromator as well as a 0.75 m single UV-monochromator can be used at which, depending on the spectral range, a GaAs-photodiode, a Bi-Alkali-photomultiplier or a multi-channel-plate (MCP) with different cathode materials can be mounted.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ifkp.tu-berlin.de as primary domain	Für die Detektion wird ein 1 m additiver Doppelmonochromator, sowie ein 0,75 m einfach UVMonochromator verwendet, an welche je nach Spektralbereich eine GaAs-Photodiode, ein Bi-Alkali-Photmultiplier oder eine Multi-Channel-Plate (MCP) mit verschiedenen Kathodenmaterialien angeschlossen werden kann.

  17 Hits www.multiplica.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	IMA EL provides spectrally and spatially resolved electroluminescence images. It was successfully used to investigate spatial distribution of optoelectronic properties of CIS, CIGS, GaAs and perovskite solar cells.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine photonetc.com as primary domain	IMA EL fourni des images résolues spectralement et spatialement. Cette plateforme a déjà été employée pour l’étude de la distribution spatiale des propriétés opto-électroniques de cellules solaires à base de CIS, CIGS, GaAs et de pérovskite.

  2 Hits www.czechleaders.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs - Gallium Arsenide
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine crystec.de as primary domain	GaAs - Galliumarsenid

  3 Hits actu.epfl.ch  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs nanowires are grown by a catalyst-free method that guarantees the formation of high quality crystal structures and avoids the use of external metal-catalysts (like Au) that would endanger any device application.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine actu.epfl.ch as primary domain	La fonctionnalité de cette hétérostructure originale, qui combine points quantiques et nanofils, a été démontrée par des expériences de photoluminescence à basse température révélant l’activation d’excitons simples et doubles dans les points quantiques.

  7 Hits goldenbyte.org  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Tags: blue corridor @enblue corridor eesti gaascng stationeesti gaaseesti gaas cngeesti gaas estoniaeesti gaas gazpromRaul KotovRaul Kotov eesti gaasTallinn cngTartu cng
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ngvjournal.com as primary domain	Tags: blue corridor 2014 @esEesti Gaas @esEesti Gaas estonia @esEesti Gaas gnvestacion de biometano @esestacion de gasestacion de gnv @esestonia gnv @esRaul Kotov @esRaul Kotov eesti gaas @estallin gnvtartu gnv

  www.truenorthinsight.org  

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Established semiconductor materials like GaAs, InP, and GaN, silicon-based (Si, SiGe) are of special interest, as they allow the additional integration of electronic read-out circuitry and signal processing.

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Ziel dieses Teilprojektes ist die Entwicklung und grundlegende Evaluierung von THz-Detektoren, die eine Realisierung von kompakten THz-Kamerasystemen ermöglichen. Dabei sollen transistorbasierte Konzepte und bolometrische Ansätze untersucht werden. Entsprechende Detektoren und Hochfrequenzschaltungen werden es erlauben, THz-Signale mit hoher Effizienz und Bandbreite zu detektieren. Es sollen neuartige Detektionskonzepte für bildgebende THz-Systeme realisiert werden. Neben Halbleitermaterialien wie GaAs, InP, GaN sind besonders Silizium-basierte (Si, SiGe) Bauelemente von Interesse, die eine kosteneffiziente Integration von Ausleseelektronik und Signalverarbeitung ermöglichen. Silizium-basierte Sensoren erlauben eine hohe System-Integration und ermöglichen Single-Chip Lösungen bei niedrigen Kosten.

  3 Hits www.iis.fraunhofer.de  

Show textShow cached sourceOpen source URL	SiGe and III-V for professional applications: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine iis.fraunhofer.de as primary domain	SiGe and III-V für professionelle Anwendungen: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT

  67 Hits www.brl.ntt.co.jp  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Optical Properties of GaAs Quantum Dots Formed in (Al,Ga)As Nanowires
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine brl.ntt.co.jp as primary domain	(Al,Ga)Asナノワイヤ中に形成されたGaAs量子ドットの光学特性

  32 Hits www.kyosemi.co.jp  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs Photodiodes
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine kyosemi.co.jp as primary domain	GaAs光电二极管

  2 Hits www.sunplazahotel.co.jp  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Highly productive compound semiconductor crystals such as GaAs, InP, germanium or CaF2
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine pvatepla.com as primary domain	hoch produktiven Verbindungshalbleiterkristallen, wie GaAs, InP, Germanium oder CaF2

  5 Hits researchers.adm.konan-u.ac.jp  

Show textShow cached sourceOpen source URL	English , “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著） , Phys. Rev. B , vol.61 (8) (p.5535 - 5539) , 2000 , T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine researchers.adm.konan-u.ac.jp as primary domain	英語 、 “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著） 、 Phys. Rev. B 、 61巻 8号 （頁 5535 ～ 5539） 、 2000年 、 T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.

  4 Hits akitauinfo.akita-u.ac.jp  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs-pin/Ferroelectric liguid crystal spatial light modulator and its applications
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine akitauinfo.akita-u.ac.jp as primary domain	Thresholding Characteristics of an Optically Addressable GaAs-pin/Ferroelectric Liquid Crystal Spatial Light Modulator and Its Applications

  4 Hits www.deib.polimi.it  

Show textShow cached sourceOpen source URL	analytical and experimental studies of elemental and compound semiconductor devices (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) and organic devices
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine deib.polimi.it as primary domain	studi teorico-sperimentali di dispositivi a semiconduttore semplice e composto (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) e organici

  15 Hits www.dailysummit.net  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs nanowires
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine toulouse.lncmi.cnrs.fr as primary domain	Nanofils de GaAs

  6 Hits www.nims.go.jp  

Show textShow cached sourceOpen source URL	COHERENT PHONONS: GaAs
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine nims.go.jp as primary domain	コヒーレントフォノン：ガリウム砒素

  childalert.be  

Show textShow cached sourceOpen source URL	In future, spectroscopic methods such as ICP-OES, FAAS and GAAS will predominate in the determination of heavy metals.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ufag-laboratorien.ch as primary domain	À l’avenir, le dosage des métaux lourds se fera essentiellement à l’aide de méthodes spectroscopiques de type ICP-OES, FAAS ou GAAS.

  energia.elmedia.net  

Show textShow cached sourceOpen source URL	International experts from public and private sectors will gather at the 4th Annual Baltic Energy Summit sponsored by Gasum, Eesti Gaas, Roedl & Partner, Fortum, E.ON Ruhrgas, ABB and Vopak ...
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine energia.elmedia.net as primary domain	Топлофикация София ЕАД предлага в бизнес плана за тази година програма за стабилизиране на производството и модернизация на съоръженията в топлоизточниците. ...

  2 Hits www.bacatec.de  

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This project focuses on the further development of integrated semiconductor quantum optical circuits in which quantum dot single photon sources, passive optical elements (cavities, waveguides, beam splitters) and superconducting single photon detectors (SSPDs) are combined on a single semiconductor chip. The participating groups at TUM and Stanford pool their expertise in the development of NbN SSPDs (TUM) and the design and realization of GaAs based photonic nanostructures (Stanford).

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Das Ziel dieses Projekts ist die Weiterentwicklung eines auf Halbleiter basierten, quanten-photonischen Schaltkreises, in dem Quantenpunkt-Einzelphotonenemitter, passive optische Elemente (Resonatoren, Wellenleiter, Strahlteiler) und supraleitende, Einzelphotonendetektoren (SSPDs) auf einem gemeinsamen Chip kombiniert werden. Die beiden Partner dieses Projekts, TU München und Stanford University, vereinen darin ihre jeweilige Expertise in der Entwicklung von NbN SSPDs (TUM) und in Design und Entwicklung von GaAs-basierten photonischen Nanostrukturen (Stanford). Die SSPD-Technologie vereint hierbei mehrere Vorteile, wie etwa geringe Größe, hohe Quanteneffizienz, hohe Zeitauflösung, niedrige Dunkelzählrate und große Wellenlängen-Bandbreite. Die grundlegende Machbarkeit dieser NbN/GaAs-Quantenphotonischen-Hybridtechnologie wurde bereits in einem vorangehenden BaCaTeC-Projekt demonstriert. Die Partner werden nun im Rahmen des gegenwärtigen Projekts versuchen den nächsten Schritt, nämlich die deterministische Erzeugung eines photonischen Quantenzustands auf einem gemeinsamen Chip, in Angriff zu nehmen.

  11 Hits posada-real-puerto-escondido-puerto-escondido.hotelspuertoescondido.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Cruising in Gaas
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine gays-cruising.com as primary domain	Drague à Gaas
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  2 Hits www.hkfw.org  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Gaas Oleg
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine bigbilet.ru as primary domain	Гаас Олег

  3 Hits www.izm.fraunhofer.de  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Process steps for GaAs TC bonding
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine izm.fraunhofer.de as primary domain	Thermocompression Bonding

  4 Hits parl.gc.ca  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Rather than being given the ability to override GAAP and GAAS, OSFI can, we believe, continue to receive information to make decisions relative to capital adequacy through the provision of separate reporting.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine parl.gc.ca as primary domain	Plutôt que de donner au BSIF la possibilité de déroger aux PCGR et aux NVGR, nous pensons qu'on devrait au contraire lui permettre de continuer à recevoir des informations lui permettant de se prononcer sur le caractère adéquat ou non du capital sous forme de rapports distincts.

  3 Hits www.amerikanistik.uni-bayreuth.de  

Show textShow cached sourceOpen source URL	German Association for American Studies (GAAS)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine amerikanistik.uni-bayreuth.de as primary domain	Deutsche Gesellschaft für Amerikastudien (DGfA)

  12 Hits www.caminosurf.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Luminescent properties of GaAsBi /GaAs double quantum well heterostructures
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ikz-berlin.de as primary domain	Strain Engineering of Monoclinic Domains in KxNa1-xNbO3 Epitaxial Layers: A Pathway to Enhanced Piezoelectric Properties

  7 Hits www.akm.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs (Low Drift)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine akm.com as primary domain	GaAs（低ドリフト）

  2 Hits www.acoa-apeca.gc.ca  

Show textShow cached sourceOpen source URL	ACOA will ensure consistency in the understanding and application of the annual reviews related to external auditors’ management letters from CBDCs which are a requirement of generally accepted auditing standards (GAAS) and also our contribution agreements.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine acoa-apeca.gc.ca as primary domain	Réponse de la direction:  Accueillie favorablement.  L’APECA assurera l’uniformité concernant la compréhension et l’application des examens annuels liés aux lettres des vérificateurs externes à l’intention de la direction provenant des CBDC, lesquelles sont exigées en vertu des normes de vérification généralement reconnues (NVGR) et aussi des ententes de contribution.

  www.croftport.com  

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The extremely high process stability realized by this way of working is the supposition for high First Pass Yields (FPY) and volume on one side, but for TESAT the decisive point is to satisfy highest quality requirements in space projects with low volume. Existing production experience is 67,000 highly integrated TRX-RF-modules using LTCC-multilayer-technology and includes attach of roughly 890,000 GaAs-MMICs.

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Die bestehende Produktionserfahrung umfasst 67.000 hoch integrierte TRX-RF-Module in LTCC-Mehrlagen-Technologie und die Verarbeitung von 890.000 Gallium-Arsenid-MMICs. Dieses Volumen wurde bei einem First Pass Yield (FPY) von >90 % gefertigt. Neueste Prozessentwicklungsschritte versprechen einen stabilen FPY von >95 %.

  www.st-barths.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Kick-off Les Voiles de Saint Barth 2012 Caribbean regatta in the magical French West Indies sailing paradise! Today the pres­ti­gious and top-class Caribbean sail­ing regatta Les Voiles de St. Barth 2012 with Gaas­tra Sports­wear as the offi­cial part­ner starts: At the third edi­tion run...
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine st-barths.com as primary domain	Tempête Tropicale MARIA : St Barth et St Martin en vigilance ORANGE. A 11 heures locales, le centre est localisé par 14.2 Nord et 57.5 Ouest soit à environ 717 km au sud est de l’archipel des îles du nord.. Caractéristiques du cyclone Maria : Intensité du cyclone : Tempête Tropicale Vent...

  4 Hits www.futaba-ac.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Broadband GaAs amplifier technology
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine pbnglobal.com as primary domain	支持 PBN NMSE 网管软件和 ASMM Web 界面远程管理

  www.cap.ca  

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The high precision light scattering technique has been important in advancing the physics of low-dimensional semiconductor structures in Canada. Lockwood’s measurements demonstrated opening of gaps in phonon bands in Si/SiGe and GaAs/GaAlAs superlattices grown at the NRC.

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M. Lockwood a largement contribué au domaine de la diffusion inélastique de la lumière appliquée à l’élucidation des excitations électroniques des solides magnétiques. Le livre sur la diffusion de la lumière dans les solides magnétiques (Light scattering in magnetic solids), dont M. Cottam est coauteur, est devenu un ouvrage de référence en ce domaine. La technique de diffusion de la lumière à haute précision a été importante pour l’avancement de la physique des structures de semi-conducteurs de faibles dimensions au Canada. Les mesures de M. Lockwood ont démontré l’ouverture d’intervalles de bande de phonons dans les super-réseaux Si/SiGe et GaAs/GaAlAs, mis au point au CNRC. Ses expériences électroniques de résonance Raman étaient parmi les premières à démontrer les phonons et les excitations électroniques quantifiées dans des structures de dimension zéro, points quantiques des semiconducteurs.

  2 Hits www.unibas.ch  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Art view of a semiconductor InAs/GaAs quantum dot (In, Ga and As respectively in yellow, blue and purple). Two remote nuclear spins (yellow arrows) are coupled via the spin of an electron delocalized over the quantum dot (red).
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine unibas.ch as primary domain	Illustration eines Halbleiter-Quantenpunkts aus Indiumarsenid/Galliumarsenid (Indium, Gallium, Arsen in gelb, blau und lila). Zwei entferne Kernspins (gelbe Pfeile) sind durch den Spin eines Elektrons miteinander gekoppelt, das um die Atome im roten Bereich kreist. (Bild: Universität Basel, Departement Physik)

  www.emeriti-of-excellence.tum.de  

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The mainfocus areas of recent work in this field is on the possible uses of spin propertiesin semiconductors, as well as in the realization of hetero-nanowires. Abstreiter’steam succeeded in giving a functional demonstration of a GaAs based nanowirelaser built directly on silicon.

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Als Autor von über 600 wissenschaftlichen Publikationen ist Gerhard Abstreiter ein international bekannter Spitzenforscher im Bereich der Halbleiterphysik. Von ihm stammen bahnbrechende Beiträge zur Bestimmung der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von Halbleiter-Nanostrukturen sowie zur Molekularstrahlepitaxie für die Realisierung höchstreiner Hetero- und Nanostrukturen. Seit der Gründung des Walter Schottky Instituts durch Gerhard Abstreiter (1988) gilt seine Arbeitsgruppe als weltweit führend in der Erforschung von Halbleiter-Nanostrukturen. Er hat das Gebiet der niederdimensionalen Elektronensysteme begründet und weltweit anerkannte Pionierarbeit auf vielen Gebieten geleistet. Dies gilt für die ersten Bestimmungen der Ladungsträgereigenschaften in Silizium MOSSystemen ebenso wie für seine bahnbrechende Entdeckung, dass sich in Silizium- Germanium durch Verspannung hochbewegliche Elektrongase erzeugen lassen. Gerhard Abstreiters Erkenntnisse werden heute in fast allen komplexen mikroelektronischen Schaltkreisen ausgenutzt und waren Basis seiner Erfindung eines Heterostruktur-Feldeffekt-Transistors, der z. B. als rauscharmer Vorverstärker in Satellitenantennen und mobilen Telefonen Anwendung findet. Das Gebiet der Halbleiter-Quantenpunkte hat er durch den ersten spektroskopischen Nachweis der diskreten Schalenstruktur der Elektronen und Exzitonen begründet und zur Blüte gebracht. Schwerpunkte neuerer Arbeiten liegen in möglichen Anwendungen von Spineigenschaften in Halbleitern, sowie der Realisierung von Hetero-Nanodrähten. Abstreiters Arbeitsgruppe gelang die Demonstration eines GaAs basierten Nanowire Lasers, der direkt auf Silizium aufgewachsen wurde. Seine vielfältigen Aktivitäten umfassen auch die Manipulation von DNA auf Goldoberflächen sowie die Entwicklung halbleiterbasierender Bauteile zur Anwendung in der Biosensorik und der molekularen Elektronik. Für seine Leistungen auf dem Gebiet der Halbleiterphysik und der Nanowissenschaften wurde Gerhard Abstreiter vielfach ausgezeichnet und weltweit hohe Anerkennung zuteil.

  2 Hits www.perimeterinstitute.ca  

Show textShow cached sourceOpen source URL	quantum Hall effect (FQHE). The materials in question include GaAs wide quantum
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine perimeterinstitute.ca as primary domain	interactions in a number of low-dimensional systems exhibiting the fractional

  www.hepp.ch  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Unintentional High-Density p-Type Modulation Doping of a GaAs/AlAs Core–Multishell Nanowire
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine lncmi.cnrs.fr as primary domain	Fort dopage en trous de coeurs/nanofils multicouches GaAs/AlAs

  www.cfpc.ca  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Gaas, Masoud
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine cfpc.ca as primary domain	Edmonton, AB

  14 Hits www.scubaqua.com  

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Electrical Transport in Low Dimensional Systems Fabricated in a (110) GaAs Quantum Well, Tomohiro Nakagawa, Rio Fukai, Yuji Sakai, Haruki Kiyama, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,and Akira Oiwa，International School and Symposium on nanoscale transport and photonics (ISNTT2017), NTT Atsugi R&D Center, Atsugi Kanagawa, JAPAN, Nov 13-17, 2017, 2017.11, International Conference(Non Proceeding)

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Electrical Transport in Low Dimensional Systems Fabricated in a (110) GaAs Quantum Well，Tomohiro Nakagawa, Rio Fukai, Yuji Sakai, Haruki Kiyama, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,and Akira Oiwa，International School and Symposium on nanoscale transport and photonics (ISNTT2017), NTT Atsugi R&D Center, Atsugi Kanagawa, JAPAN, Nov 13-17, 2017，2017年11月，国際会議（proceedingsなし）

  2 Hits www.nj-chishun.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Strong electric fields: Reheating electron gas. Drift velocity saturation in Ge, Si. Interband transitions in GaAs, negative differential conductivity. Drift velocity “splash”. Gunn effect. Electrostatic ionization.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ee.kpi.ua as primary domain	ПРОЦЕССЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ: Разогрев электронного газа. Насыщение дрейфовой скорости в Ge, Si. Междолинные переходы в GaAs, отрицательная дифференциальная проводимость. "Всплеск" дрейфовой скорости. Эффект Ганна. Электростатическая ионизация, эффект Зинера. Термоэлектронная ионизация. Автоэлектронная эмиссия, острийные катоды. Лавинные процессы: