gaas – -Translation – Keybot Dictionary

  4 Treffer www.lumasenseinc.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	FOT and GaAs Probes
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenlumasenseinc.com als Prioritätsdomäne definieren	Instruments and Packages
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenlumasenseinc.com als Prioritätsdomäne definieren	Instrumentos e componentes
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenlumasenseinc.com als Prioritätsdomäne definieren	Tank Wall Plate

  5 Treffer www.morinagamilk.co.jp  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	The resulting structure is free from dislocations at the interfaces as long as the liquid gold nanodroplet measures less than 40 nm. The researchers are now working on growing GaAs on InAs. They plan to use the technique to grow nanowires with integrated quantum dots that can be positioned at will for new photonic transmitters.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenminatec.org als Prioritätsdomäne definieren	La structure ne présente aucune dislocation aux interfaces quand le diamètre de la nanogoutte d’or est inférieur à 40 nm. Les chercheurs travaillent désormais sur la croissance de GaAs sur InAs. Ils réaliseraient ainsi des boites quantiques intégrées dans des nanofils, positionnées sur demande, pour de nouveaux émetteurs photoniques.

  14 Treffer www.scubaqua.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen

Electrical Transport in Low Dimensional Systems Fabricated in a (110) GaAs Quantum Well, Tomohiro Nakagawa, Rio Fukai, Yuji Sakai, Haruki Kiyama, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,and Akira Oiwa，International School and Symposium on nanoscale transport and photonics (ISNTT2017), NTT Atsugi R&D Center, Atsugi Kanagawa, JAPAN, Nov 13-17, 2017, 2017.11, International Conference(Non Proceeding)

Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenwww2.dma.jim.osaka-u.ac.jp als Prioritätsdomäne definieren

Electrical Transport in Low Dimensional Systems Fabricated in a (110) GaAs Quantum Well，Tomohiro Nakagawa, Rio Fukai, Yuji Sakai, Haruki Kiyama, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,and Akira Oiwa，International School and Symposium on nanoscale transport and photonics (ISNTT2017), NTT Atsugi R&D Center, Atsugi Kanagawa, JAPAN, Nov 13-17, 2017，2017年11月，国際会議（proceedingsなし）

  4 Treffer ackordscentralen.se  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen

The speed of optical switches is limited by the properties of the underlying materials. In modern science and technology, cavities fabricated from semiconductor materials such as GaAs and AlAs have become highly popular.

Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigennwo-i.nl als Prioritätsdomäne definieren

De snelheid van de optische schakelaars wordt beperkt door de eigenschappen van de onderliggende materialen. In moderne wetenschap en technologie worden vaak halfgeleidende materialen zoals GaAs en AlAs gebruikt met kleine holtes erin. Die kunnen op een schaal van enkele micrometers gemaakt worden (slechts één honderdste van de dikte van een mensenhaar). Deze 'microholtes' kunnen geïntegreerd worden op chips, maar ze worden ook gebruikt om e-mail, internet en Tv-signalen te verzenden als optische signalen.

  2 Treffer www.unibas.ch  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Art view of a semiconductor InAs/GaAs quantum dot (In, Ga and As respectively in yellow, blue and purple). Two remote nuclear spins (yellow arrows) are coupled via the spin of an electron delocalized over the quantum dot (red).
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenunibas.ch als Prioritätsdomäne definieren	Illustration eines Halbleiter-Quantenpunkts aus Indiumarsenid/Galliumarsenid (Indium, Gallium, Arsen in gelb, blau und lila). Zwei entferne Kernspins (gelbe Pfeile) sind durch den Spin eines Elektrons miteinander gekoppelt, das um die Atome im roten Bereich kreist. (Bild: Universität Basel, Departement Physik)

  5 Treffer www.chemie.de  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Direct integration of subwavelength structure on a GaAs solar cell by using colloidal lithography and dry etching process
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenchemeurope.com als Prioritätsdomäne definieren	04.04.2013 | Dae-Seon Kim, Sung-Hwa Eo, and Jae-Hyung Jang, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2013

  2 Treffer nb.lv  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	ABTF's mandate is to carry out all of your audit and year end financial statement needs efficiently in accordance with French GAAS and International Audit Standards (ISAs). In doing so, we tailor our services to each client's individual needs.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenabtf-france.com als Prioritätsdomäne definieren	ABTF garantiert Ihnen eine effiziente Durchführung der Jahresabschlussprüfung nach französischem und internationalem Recht. Dabei orientieren wir uns an den Belangen jedes einzelnen Mandanten und betreuen Sie somit das ganze Jahr und nicht nur zur Jahresabschlussprüfung.

  2 Treffer www.tobelisa.be  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Strong electric fields: Reheating electron gas. Drift velocity saturation in Ge, Si. Interband transitions in GaAs, negative differential conductivity. Drift velocity “splash”. Gunn effect. Electrostatic ionization.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenphbme.kpi.ua als Prioritätsdomäne definieren	ПРОЦЕССЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ: Разогрев электронного газа. Насыщение дрейфовой скорости в Ge, Si. Междолинные переходы в GaAs, отрицательная дифференциальная проводимость. "Всплеск" дрейфовой скорости. Эффект Ганна. Электростатическая ионизация, эффект Зинера. Термоэлектронная ионизация. Автоэлектронная эмиссия, острийные катоды. Лавинные процессы:

  www.saltmoney.org  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Dr. Christoph Hassel received one of the Sparkasse Duisburg awards for outstanding dissertations. The title of his dissertation was “Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf GaAs(110)”.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenforschungsbericht.uni-due.de als Prioritätsdomäne definieren	Einen der Preise der Sparkasse Duisburg für herausragende Dissertationen hat Dr. Christoph Hassel erhalten. Das Thema der Dissertation lautet „Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf GaAs(110)“.

  2 Treffer www.irdq.ca  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Si <111>, Oxide, Nitride, GaAs
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenirdq.ca als Prioritätsdomäne definieren	Si <111>, Oxide, Nitrure, GaAs

  www.lovail.ca  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	GaAs and GaP Wafer Scribing
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenipgphotonics.com als Prioritätsdomäne definieren	Ritzen von GaAs- und GaP-Wafern
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenipgphotonics.com als Prioritätsdomäne definieren	およびGaPウェハーのスクライビング
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenipgphotonics.com als Prioritätsdomäne definieren	GaAs 和 GaP晶圆划线

  2 Treffer www.nj-chishun.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Strong electric fields: Reheating electron gas. Drift velocity saturation in Ge, Si. Interband transitions in GaAs, negative differential conductivity. Drift velocity “splash”. Gunn effect. Electrostatic ionization.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenee.kpi.ua als Prioritätsdomäne definieren	ПРОЦЕССЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ: Разогрев электронного газа. Насыщение дрейфовой скорости в Ge, Si. Междолинные переходы в GaAs, отрицательная дифференциальная проводимость. "Всплеск" дрейфовой скорости. Эффект Ганна. Электростатическая ионизация, эффект Зинера. Термоэлектронная ионизация. Автоэлектронная эмиссия, острийные катоды. Лавинные процессы:

  2 Treffer www.zumsteinbock.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	After the antenna input two MGA-81 GaAs MMIC amplifiers follow, one serves the input, the other the output path. The amplifiers ICs can be selected in and out of the signal path by RF switches (SKY13317).
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenwimo.de als Prioritätsdomäne definieren	Après l'entrée de l'antenne, deux amplificateurs MMIC MGA-81 GaAs se suivent, l'un sert à l'entrée, l'autre la sortie. Les circuits intégrés des amplificateurs peuvent être sélectionnés dans et hors du parcours du signal par des commutateurs HF (SKY13317).
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenwimo.de als Prioritätsdomäne definieren	Dopo l'ingresso dell'antenna sono presenti due amplificatori GaAs MMIC MGA-81, uno serve l'ingresso, l'altro il percorso di uscita. Gli IC amplificatori possono essere inseriti o esclusi dal percorso del segnale tramite gli interruttori RF (SKY13317).

  breathefree.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	G. Bussone, H. Schäfer-Eberwein, E. Dimakis, A. Biermanns, D. Carbone, A. Tahraoui, L. Geelhaar, P. Haring Bolívar, T. U. Schülli, and U. Pietsch "Correlation of Electrical and Structural Properties of Single As-Grown GaAs Nanowires on Si (111) Substrates," Nano Letters vol.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenhqe.eti.uni-siegen.de als Prioritätsdomäne definieren	G. Bussone, H. Schäfer-Eberwein, E. Dimakis, A. Biermanns, D. Carbone, A. Tahraoui, L. Geelhaar, P. Haring Bolívar, T. U. Schülli, and U. Pietsch "Correlation of Electrical and Structural Properties of Single As-Grown GaAs Nanowires on Si (111) Substrates," Nano Letters vol. 15, 2 , pp. 981-989 (2015) [doi.org] [www] [BibTeX]

  www.lenntech.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Analog integrated circuits are the most common application for gallium, with optoelectronic devices (mostly laser diodes and light-emitting diodes) as the second largest end use. Gallium has semiconductor properties, especially as gallium arsendite (GaAs).
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine lenntech.com as primary domain	Reines Gallium ist keine schädliche Substanz bei Hautkontakt durch den Menschen. Es wird häufig berührt, weil man davon beeindruckt ist, dass es in der Hand schmilzt, woraufhin es Flecken auf dieser hinterlässt. Die radioaktive Verbindung 67-Ga-Citrat kann sogar in den Körper eingespritzt werden und für Galliumabtastung ohne schädliche Effekte benutzt werden. Obgleich es nicht schädlich ist, sollte Gallium nicht in großen Dosen gebraucht werden.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine lenntech.com as primary domain	El galio es semejante químicamente al aluminio. Es anfótero, pero poco más ácido que el aluminio. La valencia normal del galio es 3+ y forma hidróxidos, óxidos y sales. El galio funde al contacto con el aire cuando se calienta a 500ºC (930ºF). Reacciona vigorosamente con agua hirviendo, pero ligeramente con agua a temperatura ambiente. Las sales de galio son incoloras; se preparan de manera directa a partir del metal, dado que la purificación de éste es más simple que la de sus sales.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine lenntech.com as primary domain	Circuiti integrati analogici costituiscono l'impiego più comune del gallio, insieme ai dispositivi optoelettronici (soprattutto diodi laser e diodi luminescenti) che sono il secondo inpiego piu' diffuso del gallio. Il gallio ha proprietà semiconduttrici, particolarmente in forma di arsendite di gallio (GaAs), che e' in grado di convertire elettricita' in luce ed è usata nei diodi luminescenti (LED) per la visualizzazione elettronica e di orologi.