gaas – -Translation – Keybot Dictionary

Spacer TTN Translation Network TTN TTN Login Deutsch Français Spacer Help
Source Languages Target Languages
Keybot      1'228 Results   230 Domains   Page 6
  2 Hits www.czechleaders.com  
GaAs - Gallium Arsenide
GaAs - Galliumarsenid
  www.airwatec.be  
Very critical are the thermal processes, as for the processing of SiC circuits very high temperature is required, especially for electrical activation of dopants Al, B (p-doping), N or P (n-doping). The furnaces for silicon carbide processing must be able to reach up to 2000°C, while for the production of circuits from silicon or GaAs temperatures up to 1200°C are usually sufficient.
Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse, da für die Prozessierung von SiC-Schaltkreisen sehr hohe Temperaturen erforderlich sind, insbesondere für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung). Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es Hochtemperatur-Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi2-Heizern bzw. Graphit-Heizern erreichen können.
  www.aaaglassbeads.com  
The study of semiconductor materials has been an important issue since the beginning of CMAM and a large list of IV, III-V and II-VI systems have been analyzed: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc.
El estudio de materiales semiconductores ha sido un tema importante desde el inicio del CMAM y se han analizado hasta la actualidad un extenso número de sistemas IV, III-V y II-VI: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc. En los últimos años, el CMAM ha estado especialmente involucrado en proyectos para el desarrollo de semiconductores de gap ancho, en colaboración con el ISOM de la Universidad Politécnica de Madrid.
  36 Hits postmaster.gmx.com  
Most of the previous experiments were conducted at low temperatures because, even though strong coupling can be achieved up to room temperature in GaAs and CdTe systems, their low excitonic stability greatly limits their applications at ambient temperature and / or high density.
La plupart des expériences précédentes ont été menées à basse température car, même si le couplage fort peut être obtenu jusqu’à température ambiante dans les systèmes GaAs et CdTe, leur faible stabilité excitonique limite fortement leurs applications à température ambiante et/ou sous forte densité de particules. Pour y remédier, il faut développer des matériaux à grande force de liaison excitonique, comme le GaN et le ZnO, qui sont les matériaux de choix au CRHEA.
  3 Hits actu.epfl.ch  
GaAs nanowires are grown by a catalyst-free method that guarantees the formation of high quality crystal structures and avoids the use of external metal-catalysts (like Au) that would endanger any device application.
La fonctionnalité de cette hétérostructure originale, qui combine points quantiques et nanofils, a été démontrée par des expériences de photoluminescence à basse température révélant l’activation d’excitons simples et doubles dans les points quantiques.
  7 Hits goldenbyte.org  
Tags: blue corridor @enblue corridor eesti gaascng stationeesti gaaseesti gaas cngeesti gaas estoniaeesti gaas gazpromRaul KotovRaul Kotov eesti gaasTallinn cngTartu cng
Tags: blue corridor 2014 @esEesti Gaas @esEesti Gaas estonia @esEesti Gaas gnvestacion de biometano @esestacion de gasestacion de gnv @esestonia gnv @esRaul Kotov @esRaul Kotov eesti gaas @estallin gnvtartu gnv
  8 Hits www.win-archery.com  
Photoluminescence and electroluminescence are also widely used characterisation technique, providing a fast spatial distribution of key properties of semiconductors samples. It was successfully employed to characterise different defects present in SiC pin diodes and to study the uniformity of opto-electronics properties in CIGS, CIS and GaAs solar cells.
La photoluminescence et l’électroluminescence sont également des techniques de caractérisation largement utilisées, ces dernières peuvent fournir rapidement la distribution spatiale des principales propriétés des échantillons à base de semi-conducteurs. Ces méthodes ont été utilisé avec succès pour caractériser différents défauts présents dans des diodes PIN de SiC et afin d'étudier l'uniformité des propriétés opto-électroniques de cellules solaire à base de CIGS, de CIS et de GaAs.
  32 Hits photo-art-hofmann.fotograf.de  
For the detection a 1m additive double monochromator as well as a 0.75 m single UV-monochromator can be used at which, depending on the spectral range, a GaAs-photodiode, a Bi-Alkali-photomultiplier or a multi-channel-plate (MCP) with different cathode materials can be mounted.
Für die Detektion wird ein 1 m additiver Doppelmonochromator, sowie ein 0,75 m einfach UVMonochromator verwendet, an welche je nach Spektralbereich eine GaAs-Photodiode, ein Bi-Alkali-Photmultiplier oder eine Multi-Channel-Plate (MCP) mit verschiedenen Kathodenmaterialien angeschlossen werden kann.
  energia.elmedia.net  
International experts from public and private sectors will gather at the 4th Annual Baltic Energy Summit sponsored by Gasum, Eesti Gaas, Roedl & Partner, Fortum, E.ON Ruhrgas, ABB and Vopak ...
Топлофикация София ЕАД предлага в бизнес плана за тази година програма за стабилизиране на производството и модернизация на съоръженията в топлоизточниците. ...
  3 Hits www.izm.fraunhofer.de  
Process steps for GaAs TC bonding
Thermocompression Bonding
  4 Hits akitauinfo.akita-u.ac.jp  
GaAs-pin/Ferroelectric liguid crystal spatial light modulator and its applications
Thresholding Characteristics of an Optically Addressable GaAs-pin/Ferroelectric Liquid Crystal Spatial Light Modulator and Its Applications
  www.truenorthinsight.org  
Established semiconductor materials like GaAs, InP, and GaN, silicon-based (Si, SiGe) are of special interest, as they allow the additional integration of electronic read-out circuitry and signal processing.
Ziel dieses Teilprojektes ist die Entwicklung und grundlegende Evaluierung von THz-Detektoren, die eine Realisierung von kompakten THz-Kamerasystemen ermöglichen. Dabei sollen transistorbasierte Konzepte und bolometrische Ansätze untersucht werden. Entsprechende Detektoren und Hochfrequenzschaltungen werden es erlauben, THz-Signale mit hoher Effizienz und Bandbreite zu detektieren. Es sollen neuartige Detektionskonzepte für bildgebende THz-Systeme realisiert werden. Neben Halbleitermaterialien wie GaAs, InP, GaN sind besonders Silizium-basierte (Si, SiGe) Bauelemente von Interesse, die eine kosteneffiziente Integration von Ausleseelektronik und Signalverarbeitung ermöglichen. Silizium-basierte Sensoren erlauben eine hohe System-Integration und ermöglichen Single-Chip Lösungen bei niedrigen Kosten.
  32 Hits www.kyosemi.co.jp  
GaAs Photodiodes
GaAs光电二极管
  67 Hits www.brl.ntt.co.jp  
Optical Properties of GaAs Quantum Dots Formed in (Al,Ga)As Nanowires
(Al,Ga)Asナノワイヤ中に形成されたGaAs量子ドットの光学特性
  5 Hits researchers.adm.konan-u.ac.jp  
English , “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” (共著) , Phys. Rev. B , vol.61 (8) (p.5535 - 5539) , 2000 , T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
英語 、 “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” (共著) 、 Phys. Rev. B 、 61巻 8号 (頁 5535 ~ 5539) 、 2000年 、 T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
  2 Hits www.hkfw.org  
Gaas Oleg
Гаас Олег
  4 Hits www.deib.polimi.it  
analytical and experimental studies of elemental and compound semiconductor devices (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) and organic devices
studi teorico-sperimentali di dispositivi a semiconduttore semplice e composto (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) e organici
  3 Hits www.iis.fraunhofer.de  
SiGe and III-V for professional applications: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT
SiGe and III-V für professionelle Anwendungen: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT
  www.soitec.com  
Acquisition by IntelliEPI of the gallium arsenide (GaAs) epitaxy business from Soitec's Specialty Electronics subsidiary
IntelliEPI acquiert l’activité épitaxie d'arséniure de gallium (GaAs) de la filiale Specialty Electronics de Soitec
  childalert.be  
In future, spectroscopic methods such as ICP-OES, FAAS and GAAS will predominate in the determination of heavy metals.
À l’avenir, le dosage des métaux lourds se fera essentiellement à l’aide de méthodes spectroscopiques de type ICP-OES, FAAS ou GAAS.
  6 Hits www.nims.go.jp  
COHERENT PHONONS: GaAs
コヒーレントフォノン:ガリウム砒素
  2 Hits www.sunplazahotel.co.jp  
Highly productive compound semiconductor crystals such as GaAs, InP, germanium or CaF2
hoch produktiven Verbindungshalbleiterkristallen, wie GaAs, InP, Germanium oder CaF2
  15 Hits www.dailysummit.net  
GaAs nanowires
Nanofils de GaAs
  17 Hits www.multiplica.com  
IMA EL provides spectrally and spatially resolved electroluminescence images. It was successfully used to investigate spatial distribution of optoelectronic properties of CIS, CIGS, GaAs and perovskite solar cells.
IMA EL fourni des images résolues spectralement et spatialement. Cette plateforme a déjà été employée pour l’étude de la distribution spatiale des propriétés opto-électroniques de cellules solaires à base de CIS, CIGS, GaAs et de pérovskite.
  2 Hits www.bacatec.de  
This project focuses on the further development of integrated semiconductor quantum optical circuits in which quantum dot single photon sources, passive optical elements (cavities, waveguides, beam splitters) and superconducting single photon detectors (SSPDs) are combined on a single semiconductor chip. The participating groups at TUM and Stanford pool their expertise in the development of NbN SSPDs (TUM) and the design and realization of GaAs based photonic nanostructures (Stanford).
Das Ziel dieses Projekts ist die Weiterentwicklung eines auf Halbleiter basierten, quanten-photonischen Schaltkreises, in dem Quantenpunkt-Einzelphotonenemitter, passive optische Elemente (Resonatoren, Wellenleiter, Strahlteiler) und supraleitende, Einzelphotonendetektoren (SSPDs) auf einem gemeinsamen Chip kombiniert werden. Die beiden Partner dieses Projekts, TU München und Stanford University, vereinen darin ihre jeweilige Expertise in der Entwicklung von NbN SSPDs (TUM) und in Design und Entwicklung von GaAs-basierten photonischen Nanostrukturen (Stanford). Die SSPD-Technologie vereint hierbei mehrere Vorteile, wie etwa geringe Größe, hohe Quanteneffizienz, hohe Zeitauflösung, niedrige Dunkelzählrate und große Wellenlängen-Bandbreite. Die grundlegende Machbarkeit dieser NbN/GaAs-Quantenphotonischen-Hybridtechnologie wurde bereits in einem vorangehenden BaCaTeC-Projekt demonstriert. Die Partner werden nun im Rahmen des gegenwärtigen Projekts versuchen den nächsten Schritt, nämlich die deterministische Erzeugung eines photonischen Quantenzustands auf einem gemeinsamen Chip, in Angriff zu nehmen.
  www.cap.ca  
The high precision light scattering technique has been important in advancing the physics of low-dimensional semiconductor structures in Canada. Lockwood’s measurements demonstrated opening of gaps in phonon bands in Si/SiGe and GaAs/GaAlAs superlattices grown at the NRC.
M. Lockwood a largement contribué au domaine de la diffusion inélastique de la lumière appliquée à l’élucidation des excitations électroniques des solides magnétiques. Le livre sur la diffusion de la lumière dans les solides magnétiques (Light scattering in magnetic solids), dont M. Cottam est coauteur, est devenu un ouvrage de référence en ce domaine. La technique de diffusion de la lumière à haute précision a été importante pour l’avancement de la physique des structures de semi-conducteurs de faibles dimensions au Canada. Les mesures de M. Lockwood ont démontré l’ouverture d’intervalles de bande de phonons dans les super-réseaux Si/SiGe et GaAs/GaAlAs, mis au point au CNRC. Ses expériences électroniques de résonance Raman étaient parmi les premières à démontrer les phonons et les excitations électroniques quantifiées dans des structures de dimension zéro, points quantiques des semiconducteurs.
  4 Hits www.futaba-ac.com  
Broadband GaAs amplifier technology
支持 PBN NMSE 网管软件和 ASMM Web 界面远程管理
  7 Hits www.akm.com  
GaAs (Low Drift)
GaAs(低ドリフト)
  12 Hits www.caminosurf.com  
Luminescent properties of GaAsBi /GaAs double quantum well heterostructures
Strain Engineering of Monoclinic Domains in KxNa1-xNbO3 Epitaxial Layers: A Pathway to Enhanced Piezoelectric Properties
  2 Hits www.perimeterinstitute.ca  
quantum Hall effect (FQHE). The materials in question include GaAs wide quantum
interactions in a number of low-dimensional systems exhibiting the fractional
  2 Hits www.alphaitalia.com  
In 1994 Eesti Gaas sold the shares of the state-owned company Propaan to a joint-stock company BKM Kamma, which was dealing with an import of liquefied gas to Estonia at that time.
1994. a müüs Eesti Gaas riikliku aktsiaseltsi Propaan aktsiad aktsiaseltsile BKM Kamma, kes tegeles tollal vedelgaasi sisseveoga Eestisse.
В 1994г Eesti Gaas продал акции государственного предприятия Propaan акционерному обществу BKM Kamma, которое на тот момент занималось импортом сжиженного газа в Эстонию.
  3 Hits www.amerikanistik.uni-bayreuth.de  
German Association for American Studies (GAAS)
Deutsche Gesellschaft für Amerikastudien (DGfA)
  4 Hits parl.gc.ca  
Rather than being given the ability to override GAAP and GAAS, OSFI can, we believe, continue to receive information to make decisions relative to capital adequacy through the provision of separate reporting.
Plutôt que de donner au BSIF la possibilité de déroger aux PCGR et aux NVGR, nous pensons qu'on devrait au contraire lui permettre de continuer à recevoir des informations lui permettant de se prononcer sur le caractère adéquat ou non du capital sous forme de rapports distincts.
  www.st-barths.com  
Kick-off Les Voiles de Saint Barth 2012 Caribbean regatta in the magical French West Indies sailing paradise! Today the pres­ti­gious and top-class Caribbean sail­ing regatta Les Voiles de St. Barth 2012 with Gaas­tra Sports­wear as the offi­cial part­ner starts: At the third edi­tion run...
Tempête Tropicale MARIA : St Barth et St Martin en vigilance ORANGE. A 11 heures locales, le centre est localisé par 14.2 Nord et 57.5 Ouest soit à environ 717 km au sud est de l’archipel des îles du nord.. Caractéristiques du cyclone Maria : Intensité du cyclone : Tempête Tropicale Vent...
  15 Hits petroleleger.ca  
Information Gaas (Eberau)
Información Gaas (Eberau)
Informazione Gaas (Eberau)
Információ Gaas (Eberau)
Informacja Gaas (Eberau)
Информа́ция Gaas (Eberau)
Informácie Gaas (Eberau)
Informacija Gaas (Eberau)
Enformasyon Gaas (Eberau)
信息 Gaas (Eberau)
  40 Hits toshiba.semicon-storage.com  
C-Band Internally Matched Power GaAs FETs
Comunicaciones inalámbricas
Komunikacja bezprzewodowa
  2 Hits www.acoa-apeca.gc.ca  
ACOA will ensure consistency in the understanding and application of the annual reviews related to external auditors’ management letters from CBDCs which are a requirement of generally accepted auditing standards (GAAS) and also our contribution agreements.
Réponse de la direction:  Accueillie favorablement.  L’APECA assurera l’uniformité concernant la compréhension et l’application des examens annuels liés aux lettres des vérificateurs externes à l’intention de la direction provenant des CBDC, lesquelles sont exigées en vertu des normes de vérification généralement reconnues (NVGR) et aussi des ententes de contribution.
  11 Hits posada-real-puerto-escondido-puerto-escondido.hotelspuertoescondido.com  
Cruising in Gaas
Drague à Gaas
Homosexuell Cruising in Gaas
Cruising en Gaas
Battuage a Gaas
Pegação em Gaas
Cruisen in Gaas
  www.croftport.com  
The extremely high process stability realized by this way of working is the supposition for high First Pass Yields (FPY) and volume on one side, but for TESAT the decisive point is to satisfy highest quality requirements in space projects with low volume. Existing production experience is 67,000 highly integrated TRX-RF-modules using LTCC-multilayer-technology and includes attach of roughly 890,000 GaAs-MMICs.
Die bestehende Produktionserfahrung umfasst 67.000 hoch integrierte TRX-RF-Module in LTCC-Mehrlagen-Technologie und die Verarbeitung von 890.000 Gallium-Arsenid-MMICs. Dieses Volumen wurde bei einem First Pass Yield (FPY) von >90 % gefertigt. Neueste Prozessentwicklungsschritte versprechen einen stabilen FPY von >95 %.
  salanguages.com  
MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) overcome the limitations of silicon microchips and opens a new era in the design of electronic components, which are integrated circuits that operate in the microwave frequency. These types of circuits are based on semiconductor compounds, such as Gallium Arsenide (GaAs), which downsize dramatically, up to 1 - 10 mm2.
As far as TV distribution, Televes will complete the range of successful T.0X headends with the presentation of HEXA, compact transmodulators that can allocate up to six satellite transponders into six independent QAM channels. The company will also announce new references for NevoSwitch multiswitches for potential scenarios involving the transition from DBV-T to DVB-T2.
  www.emeriti-of-excellence.tum.de  
The mainfocus areas of recent work in this field is on the possible uses of spin propertiesin semiconductors, as well as in the realization of hetero-nanowires. Abstreiter’steam succeeded in giving a functional demonstration of a GaAs based nanowirelaser built directly on silicon.
Als Autor von über 600 wissenschaftlichen Publikationen ist Gerhard Abstreiter ein international bekannter Spitzenforscher im Bereich der Halbleiterphysik. Von ihm stammen bahnbrechende Beiträge zur Bestimmung der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von Halbleiter-Nanostrukturen sowie zur Molekularstrahlepitaxie für die Realisierung höchstreiner Hetero- und Nanostrukturen. Seit der Gründung des Walter Schottky Instituts durch Gerhard Abstreiter (1988) gilt seine Arbeitsgruppe als weltweit führend in der Erforschung von Halbleiter-Nanostrukturen. Er hat das Gebiet der niederdimensionalen Elektronensysteme begründet und weltweit anerkannte Pionierarbeit auf vielen Gebieten geleistet. Dies gilt für die ersten Bestimmungen der Ladungsträgereigenschaften in Silizium MOSSystemen ebenso wie für seine bahnbrechende Entdeckung, dass sich in Silizium- Germanium durch Verspannung hochbewegliche Elektrongase erzeugen lassen. Gerhard Abstreiters Erkenntnisse werden heute in fast allen komplexen mikroelektronischen Schaltkreisen ausgenutzt und waren Basis seiner Erfindung eines Heterostruktur-Feldeffekt-Transistors, der z. B. als rauscharmer Vorverstärker in Satellitenantennen und mobilen Telefonen Anwendung findet. Das Gebiet der Halbleiter-Quantenpunkte hat er durch den ersten spektroskopischen Nachweis der diskreten Schalenstruktur der Elektronen und Exzitonen begründet und zur Blüte gebracht. Schwerpunkte neuerer Arbeiten liegen in möglichen Anwendungen von Spineigenschaften in Halbleitern, sowie der Realisierung von Hetero-Nanodrähten. Abstreiters Arbeitsgruppe gelang die Demonstration eines GaAs basierten Nanowire Lasers, der direkt auf Silizium aufgewachsen wurde. Seine vielfältigen Aktivitäten umfassen auch die Manipulation von DNA auf Goldoberflächen sowie die Entwicklung halbleiterbasierender Bauteile zur Anwendung in der Biosensorik und der molekularen Elektronik. Für seine Leistungen auf dem Gebiet der Halbleiterphysik und der Nanowissenschaften wurde Gerhard Abstreiter vielfach ausgezeichnet und weltweit hohe Anerkennung zuteil.
  www.adco.gr  
There is a great breadth of semiconductors on the market. The most important features here include: Silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) or gallium arsenide (GaAs). Which of these semiconductors are best will be determined by the material properties, the requirements to the device and the costs.
Il existe un très grand éventail de semi-conducteurs sur le marché. Les matériaux les plus importants comprennent ici : Le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC), le nitrure de gallium (GaN) ou l’arséniure de gallium (GaAs). Les caractéristiques du matériau, les exigences de l’appareil et les coûts déterminent quel semi-conducteur est le plus adapté. Chacune de ces matières s’est établie dans sa propre niche.
Auf dem Markt gibt es eine sehr große Bandbreite von Halbleitern. Zu den wichtigsten Materialien gehören hier: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) oder Galliumarsenid (GaAs). Welche dieser Halbeiter am besten geeignet sind, entscheiden die Materialeigenschaften, die Anforderungen des Geräts und die Kosten. Jeder dieser Stoffe hat sich in seiner Nische etabliert.
Existe una gama muy amplia de semiconductores en el mercado. Los materiales más importantes incluyen: Silicio (Si), carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN) o arseniuro de galio (GaAs). Cuál de estos materiales es el más adecuado, lo deciden las propiedades del material, los requisitos del dispositivo y los costes. Cada una de estas sustancias se ha consolidado en su nicho.
La gamma dei semiconduttori disponibili sul mercato è molto ampia. I materiali più importanti sono silicio (Si), carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN) o arseniuro di gallio (GaAs). L'individuazione dei semiconduttori più adeguati dipende dalle proprietà del materiale, dai requisiti dell'apparecchio e dai costi. Ognuno di questi materiali si è affermato in una propria nicchia.
Existe uma gama muito ampla de semicondutores no mercado. Os materiais mais importantes incluem: Silício (Si), carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN) ou arsenieto de gálio (GaAs). As propriedades do material, os requisitos do dispositivo e o custo decidem quais destes materiais são os mais adequados. Cada uma destas substâncias tem o seu próprio nicho de mercado.
На рынке представлен очень большой выбор полупроводников. Наиболее важными материалами являются: кремний (Si), карбид кремний (SiC), нитрид галлия (GaN) или арсенид галлия (GaAs). Какие из этих полупроводников подходят лучше всего, зависит от свойств материала, требований к устройству и стоимости. Каждый из этих материалов нашел признание в своей области.
  www.hepp.ch  
Unintentional High-Density p-Type Modulation Doping of a GaAs/AlAs Core–Multishell Nanowire
Fort dopage en trous de coeurs/nanofils multicouches GaAs/AlAs
  2 Hits www.tobelisa.be  
Strong electric fields: Reheating electron gas. Drift velocity saturation in Ge, Si. Interband transitions in GaAs, negative differential conductivity. Drift velocity “splash”. Gunn effect. Electrostatic ionization.
ПРОЦЕССЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ: Разогрев электронного газа. Насыщение дрейфовой скорости в Ge, Si. Междолинные переходы в GaAs, отрицательная дифференциальная проводимость. "Всплеск" дрейфовой скорости. Эффект Ганна. Электростатическая ионизация, эффект Зинера. Термоэлектронная ионизация. Автоэлектронная эмиссия, острийные катоды. Лавинные процессы:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Arrow