gaas – -Translation – Keybot Dictionary

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Keybot      1'228 Results   230 Domains   Page 3
  4 Hits www.lumasenseinc.com  
FOT and GaAs Probes
Instruments and Packages
Instrumentos e componentes
Tank Wall Plate
  4 Hits www.ioap.tu-berlin.de  
Atomic structure of closely stacked InAs submonolayer depositions in GaAs
T. Niermann, F. Kießling, M. Lehmann, J.-H. Schulze, T.D. Germann, K. Pötschke, A. Strittmatter, and U.W. Pohl
  www.hepp.ch  
Unintentional High-Density p-Type Modulation Doping of a GaAs/AlAs Core–Multishell Nanowire
Fort dopage en trous de coeurs/nanofils multicouches GaAs/AlAs
  www.emeriti-of-excellence.tum.de  
The mainfocus areas of recent work in this field is on the possible uses of spin propertiesin semiconductors, as well as in the realization of hetero-nanowires. Abstreiter’steam succeeded in giving a functional demonstration of a GaAs based nanowirelaser built directly on silicon.
Als Autor von über 600 wissenschaftlichen Publikationen ist Gerhard Abstreiter ein international bekannter Spitzenforscher im Bereich der Halbleiterphysik. Von ihm stammen bahnbrechende Beiträge zur Bestimmung der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von Halbleiter-Nanostrukturen sowie zur Molekularstrahlepitaxie für die Realisierung höchstreiner Hetero- und Nanostrukturen. Seit der Gründung des Walter Schottky Instituts durch Gerhard Abstreiter (1988) gilt seine Arbeitsgruppe als weltweit führend in der Erforschung von Halbleiter-Nanostrukturen. Er hat das Gebiet der niederdimensionalen Elektronensysteme begründet und weltweit anerkannte Pionierarbeit auf vielen Gebieten geleistet. Dies gilt für die ersten Bestimmungen der Ladungsträgereigenschaften in Silizium MOSSystemen ebenso wie für seine bahnbrechende Entdeckung, dass sich in Silizium- Germanium durch Verspannung hochbewegliche Elektrongase erzeugen lassen. Gerhard Abstreiters Erkenntnisse werden heute in fast allen komplexen mikroelektronischen Schaltkreisen ausgenutzt und waren Basis seiner Erfindung eines Heterostruktur-Feldeffekt-Transistors, der z. B. als rauscharmer Vorverstärker in Satellitenantennen und mobilen Telefonen Anwendung findet. Das Gebiet der Halbleiter-Quantenpunkte hat er durch den ersten spektroskopischen Nachweis der diskreten Schalenstruktur der Elektronen und Exzitonen begründet und zur Blüte gebracht. Schwerpunkte neuerer Arbeiten liegen in möglichen Anwendungen von Spineigenschaften in Halbleitern, sowie der Realisierung von Hetero-Nanodrähten. Abstreiters Arbeitsgruppe gelang die Demonstration eines GaAs basierten Nanowire Lasers, der direkt auf Silizium aufgewachsen wurde. Seine vielfältigen Aktivitäten umfassen auch die Manipulation von DNA auf Goldoberflächen sowie die Entwicklung halbleiterbasierender Bauteile zur Anwendung in der Biosensorik und der molekularen Elektronik. Für seine Leistungen auf dem Gebiet der Halbleiterphysik und der Nanowissenschaften wurde Gerhard Abstreiter vielfach ausgezeichnet und weltweit hohe Anerkennung zuteil.
  5 Hits www.chemie.de  
Direct integration of subwavelength structure on a GaAs solar cell by using colloidal lithography and dry etching process
04.04.2013 | Dae-Seon Kim, Sung-Hwa Eo, and Jae-Hyung Jang, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2013
  www.adco.gr  
There is a great breadth of semiconductors on the market. The most important features here include: Silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) or gallium arsenide (GaAs). Which of these semiconductors are best will be determined by the material properties, the requirements to the device and the costs.
Il existe un très grand éventail de semi-conducteurs sur le marché. Les matériaux les plus importants comprennent ici : Le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC), le nitrure de gallium (GaN) ou l’arséniure de gallium (GaAs). Les caractéristiques du matériau, les exigences de l’appareil et les coûts déterminent quel semi-conducteur est le plus adapté. Chacune de ces matières s’est établie dans sa propre niche.
Auf dem Markt gibt es eine sehr große Bandbreite von Halbleitern. Zu den wichtigsten Materialien gehören hier: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) oder Galliumarsenid (GaAs). Welche dieser Halbeiter am besten geeignet sind, entscheiden die Materialeigenschaften, die Anforderungen des Geräts und die Kosten. Jeder dieser Stoffe hat sich in seiner Nische etabliert.
Existe una gama muy amplia de semiconductores en el mercado. Los materiales más importantes incluyen: Silicio (Si), carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN) o arseniuro de galio (GaAs). Cuál de estos materiales es el más adecuado, lo deciden las propiedades del material, los requisitos del dispositivo y los costes. Cada una de estas sustancias se ha consolidado en su nicho.
La gamma dei semiconduttori disponibili sul mercato è molto ampia. I materiali più importanti sono silicio (Si), carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN) o arseniuro di gallio (GaAs). L'individuazione dei semiconduttori più adeguati dipende dalle proprietà del materiale, dai requisiti dell'apparecchio e dai costi. Ognuno di questi materiali si è affermato in una propria nicchia.
Existe uma gama muito ampla de semicondutores no mercado. Os materiais mais importantes incluem: Silício (Si), carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN) ou arsenieto de gálio (GaAs). As propriedades do material, os requisitos do dispositivo e o custo decidem quais destes materiais são os mais adequados. Cada uma destas substâncias tem o seu próprio nicho de mercado.
На рынке представлен очень большой выбор полупроводников. Наиболее важными материалами являются: кремний (Si), карбид кремний (SiC), нитрид галлия (GaN) или арсенид галлия (GaAs). Какие из этих полупроводников подходят лучше всего, зависит от свойств материала, требований к устройству и стоимости. Каждый из этих материалов нашел признание в своей области.
  2 Hits www.irdq.ca  
Si <111>, Oxide, Nitride, GaAs
Si <111>, Oxide, Nitrure, GaAs
  www.croftport.com  
The extremely high process stability realized by this way of working is the supposition for high First Pass Yields (FPY) and volume on one side, but for TESAT the decisive point is to satisfy highest quality requirements in space projects with low volume. Existing production experience is 67,000 highly integrated TRX-RF-modules using LTCC-multilayer-technology and includes attach of roughly 890,000 GaAs-MMICs.
Die bestehende Produktionserfahrung umfasst 67.000 hoch integrierte TRX-RF-Module in LTCC-Mehrlagen-Technologie und die Verarbeitung von 890.000 Gallium-Arsenid-MMICs. Dieses Volumen wurde bei einem First Pass Yield (FPY) von >90 % gefertigt. Neueste Prozessentwicklungsschritte versprechen einen stabilen FPY von >95 %.
  www.cfpc.ca  
Gaas, Masoud
Edmonton, AB
  2 Hits www.nj-chishun.com  
Strong electric fields: Reheating electron gas. Drift velocity saturation in Ge, Si. Interband transitions in GaAs, negative differential conductivity. Drift velocity “splash”. Gunn effect. Electrostatic ionization.
ПРОЦЕССЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ: Разогрев электронного газа. Насыщение дрейфовой скорости в Ge, Si. Междолинные переходы в GaAs, отрицательная дифференциальная проводимость. "Всплеск" дрейфовой скорости. Эффект Ганна. Электростатическая ионизация, эффект Зинера. Термоэлектронная ионизация. Автоэлектронная эмиссия, острийные катоды. Лавинные процессы:
  2 Hits nb.lv  
ABTF's mandate is to carry out all of your audit and year end financial statement needs efficiently in accordance with French GAAS and International Audit Standards (ISAs). In doing so, we tailor our services to each client's individual needs.
ABTF garantiert Ihnen eine effiziente Durchführung der Jahresabschlussprüfung nach französischem und internationalem Recht. Dabei orientieren wir uns an den Belangen jedes einzelnen Mandanten und betreuen Sie somit das ganze Jahr und nicht nur zur Jahresabschlussprüfung.
  breathefree.com  
G. Bussone, H. Schäfer-Eberwein, E. Dimakis, A. Biermanns, D. Carbone, A. Tahraoui, L. Geelhaar, P. Haring Bolívar, T. U. Schülli, and U. Pietsch "Correlation of Electrical and Structural Properties of Single As-Grown GaAs Nanowires on Si (111) Substrates," Nano Letters vol.
G. Bussone, H. Schäfer-Eberwein, E. Dimakis, A. Biermanns, D. Carbone, A. Tahraoui, L. Geelhaar, P. Haring Bolívar, T. U. Schülli, and U. Pietsch "Correlation of Electrical and Structural Properties of Single As-Grown GaAs Nanowires on Si (111) Substrates," Nano Letters vol. 15, 2 , pp. 981-989 (2015) [doi.org] [www] [BibTeX]
  2 Hits www.unibas.ch  
Art view of a semiconductor InAs/GaAs quantum dot (In, Ga and As respectively in yellow, blue and purple). Two remote nuclear spins (yellow arrows) are coupled via the spin of an electron delocalized over the quantum dot (red).
Illustration eines Halbleiter-Quantenpunkts aus Indiumarsenid/Galliumarsenid (Indium, Gallium, Arsen in gelb, blau und lila). Zwei entferne Kernspins (gelbe Pfeile) sind durch den Spin eines Elektrons miteinander gekoppelt, das um die Atome im roten Bereich kreist. (Bild: Universität Basel, Departement Physik)
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The speed of optical switches is limited by the properties of the underlying materials. In modern science and technology, cavities fabricated from semiconductor materials such as GaAs and AlAs have become highly popular.
De snelheid van de optische schakelaars wordt beperkt door de eigenschappen van de onderliggende materialen. In moderne wetenschap en technologie worden vaak halfgeleidende materialen zoals GaAs en AlAs gebruikt met kleine holtes erin. Die kunnen op een schaal van enkele micrometers gemaakt worden (slechts één honderdste van de dikte van een mensenhaar). Deze 'microholtes' kunnen geïntegreerd worden op chips, maar ze worden ook gebruikt om e-mail, internet en Tv-signalen te verzenden als optische signalen.
  www.saltmoney.org  
Dr. Christoph Hassel received one of the Sparkasse Duisburg awards for outstanding dissertations. The title of his dissertation was “Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf GaAs(110)”.
Einen der Preise der Sparkasse Duisburg für herausragende Dissertationen hat Dr. Christoph Hassel erhalten. Das Thema der Dissertation 
lautet „Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf GaAs(110)“.
  14 Hits www.scubaqua.com  
Electrical Transport in Low Dimensional Systems Fabricated in a (110) GaAs Quantum Well, Tomohiro Nakagawa, Rio Fukai, Yuji Sakai, Haruki Kiyama, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,and Akira Oiwa,International School and Symposium on nanoscale transport and photonics (ISNTT2017), NTT Atsugi R&D Center, Atsugi Kanagawa, JAPAN, Nov 13-17, 2017, 2017.11, International Conference(Non Proceeding)
Electrical Transport in Low Dimensional Systems Fabricated in a (110) GaAs Quantum Well,Tomohiro Nakagawa, Rio Fukai, Yuji Sakai, Haruki Kiyama, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,and Akira Oiwa,International School and Symposium on nanoscale transport and photonics (ISNTT2017), NTT Atsugi R&D Center, Atsugi Kanagawa, JAPAN, Nov 13-17, 2017,2017年11月,国際会議(proceedingsなし)
  2 Hits www.tobelisa.be  
Strong electric fields: Reheating electron gas. Drift velocity saturation in Ge, Si. Interband transitions in GaAs, negative differential conductivity. Drift velocity “splash”. Gunn effect. Electrostatic ionization.
ПРОЦЕССЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ: Разогрев электронного газа. Насыщение дрейфовой скорости в Ge, Si. Междолинные переходы в GaAs, отрицательная дифференциальная проводимость. "Всплеск" дрейфовой скорости. Эффект Ганна. Электростатическая ионизация, эффект Зинера. Термоэлектронная ионизация. Автоэлектронная эмиссия, острийные катоды. Лавинные процессы:
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