gaas – Übersetzung – Keybot-Wörterbuch

  2 Résultats www.czechleaders.com  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	GaAs - Gallium Arsenide
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir crystec.de comme domaine prioritaire	GaAs - Galliumarsenid

  8 Résultats www.win-archery.com  

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Photoluminescence and electroluminescence are also widely used characterisation technique, providing a fast spatial distribution of key properties of semiconductors samples. It was successfully employed to characterise different defects present in SiC pin diodes and to study the uniformity of opto-electronics properties in CIGS, CIS and GaAs solar cells.

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La photoluminescence et l’électroluminescence sont également des techniques de caractérisation largement utilisées, ces dernières peuvent fournir rapidement la distribution spatiale des principales propriétés des échantillons à base de semi-conducteurs. Ces méthodes ont été utilisé avec succès pour caractériser différents défauts présents dans des diodes PIN de SiC et afin d'étudier l'uniformité des propriétés opto-électroniques de cellules solaire à base de CIGS, de CIS et de GaAs.

  www.aaaglassbeads.com  

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The study of semiconductor materials has been an important issue since the beginning of CMAM and a large list of IV, III-V and II-VI systems have been analyzed: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc.

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El estudio de materiales semiconductores ha sido un tema importante desde el inicio del CMAM y se han analizado hasta la actualidad un extenso número de sistemas IV, III-V y II-VI: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc. En los últimos años, el CMAM ha estado especialmente involucrado en proyectos para el desarrollo de semiconductores de gap ancho, en colaboración con el ISOM de la Universidad Politécnica de Madrid.

  32 Résultats photo-art-hofmann.fotograf.de  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	For the detection a 1m additive double monochromator as well as a 0.75 m single UV-monochromator can be used at which, depending on the spectral range, a GaAs-photodiode, a Bi-Alkali-photomultiplier or a multi-channel-plate (MCP) with different cathode materials can be mounted.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir ifkp.tu-berlin.de comme domaine prioritaire	Für die Detektion wird ein 1 m additiver Doppelmonochromator, sowie ein 0,75 m einfach UVMonochromator verwendet, an welche je nach Spektralbereich eine GaAs-Photodiode, ein Bi-Alkali-Photmultiplier oder eine Multi-Channel-Plate (MCP) mit verschiedenen Kathodenmaterialien angeschlossen werden kann.

  www.airwatec.be  

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Very critical are the thermal processes, as for the processing of SiC circuits very high temperature is required, especially for electrical activation of dopants Al, B (p-doping), N or P (n-doping). The furnaces for silicon carbide processing must be able to reach up to 2000°C, while for the production of circuits from silicon or GaAs temperatures up to 1200°C are usually sufficient.

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Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse, da für die Prozessierung von SiC-Schaltkreisen sehr hohe Temperaturen erforderlich sind, insbesondere für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung). Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es Hochtemperatur-Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi2-Heizern bzw. Graphit-Heizern erreichen können.

  7 Résultats goldenbyte.org  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	Tags: blue corridor @enblue corridor eesti gaascng stationeesti gaaseesti gaas cngeesti gaas estoniaeesti gaas gazpromRaul KotovRaul Kotov eesti gaasTallinn cngTartu cng
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir ngvjournal.com comme domaine prioritaire	Tags: blue corridor 2014 @esEesti Gaas @esEesti Gaas estonia @esEesti Gaas gnvestacion de biometano @esestacion de gasestacion de gnv @esestonia gnv @esRaul Kotov @esRaul Kotov eesti gaas @estallin gnvtartu gnv

  36 Résultats postmaster.gmx.com  

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Most of the previous experiments were conducted at low temperatures because, even though strong coupling can be achieved up to room temperature in GaAs and CdTe systems, their low excitonic stability greatly limits their applications at ambient temperature and / or high density.

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La plupart des expériences précédentes ont été menées à basse température car, même si le couplage fort peut être obtenu jusqu’à température ambiante dans les systèmes GaAs et CdTe, leur faible stabilité excitonique limite fortement leurs applications à température ambiante et/ou sous forte densité de particules. Pour y remédier, il faut développer des matériaux à grande force de liaison excitonique, comme le GaN et le ZnO, qui sont les matériaux de choix au CRHEA.

  17 Résultats www.multiplica.com  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	IMA EL provides spectrally and spatially resolved electroluminescence images. It was successfully used to investigate spatial distribution of optoelectronic properties of CIS, CIGS, GaAs and perovskite solar cells.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir photonetc.com comme domaine prioritaire	IMA EL fourni des images résolues spectralement et spatialement. Cette plateforme a déjà été employée pour l’étude de la distribution spatiale des propriétés opto-électroniques de cellules solaires à base de CIS, CIGS, GaAs et de pérovskite.

  energia.elmedia.net  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	International experts from public and private sectors will gather at the 4th Annual Baltic Energy Summit sponsored by Gasum, Eesti Gaas, Roedl & Partner, Fortum, E.ON Ruhrgas, ABB and Vopak ...
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir energia.elmedia.net comme domaine prioritaire	Топлофикация София ЕАД предлага в бизнес плана за тази година програма за стабилизиране на производството и модернизация на съоръженията в топлоизточниците. ...

  3 Résultats www.izm.fraunhofer.de  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	Process steps for GaAs TC bonding
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir izm.fraunhofer.de comme domaine prioritaire	Thermocompression Bonding

  5 Résultats researchers.adm.konan-u.ac.jp  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	English , “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著） , Phys. Rev. B , vol.61 (8) (p.5535 - 5539) , 2000 , T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir researchers.adm.konan-u.ac.jp comme domaine prioritaire	英語 、 “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著） 、 Phys. Rev. B 、 61巻 8号 （頁 5535 ～ 5539） 、 2000年 、 T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.

  www.truenorthinsight.org  

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Established semiconductor materials like GaAs, InP, and GaN, silicon-based (Si, SiGe) are of special interest, as they allow the additional integration of electronic read-out circuitry and signal processing.

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Ziel dieses Teilprojektes ist die Entwicklung und grundlegende Evaluierung von THz-Detektoren, die eine Realisierung von kompakten THz-Kamerasystemen ermöglichen. Dabei sollen transistorbasierte Konzepte und bolometrische Ansätze untersucht werden. Entsprechende Detektoren und Hochfrequenzschaltungen werden es erlauben, THz-Signale mit hoher Effizienz und Bandbreite zu detektieren. Es sollen neuartige Detektionskonzepte für bildgebende THz-Systeme realisiert werden. Neben Halbleitermaterialien wie GaAs, InP, GaN sind besonders Silizium-basierte (Si, SiGe) Bauelemente von Interesse, die eine kosteneffiziente Integration von Ausleseelektronik und Signalverarbeitung ermöglichen. Silizium-basierte Sensoren erlauben eine hohe System-Integration und ermöglichen Single-Chip Lösungen bei niedrigen Kosten.

  67 Résultats www.brl.ntt.co.jp  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	Optical Properties of GaAs Quantum Dots Formed in (Al,Ga)As Nanowires
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir brl.ntt.co.jp comme domaine prioritaire	(Al,Ga)Asナノワイヤ中に形成されたGaAs量子ドットの光学特性

  4 Résultats akitauinfo.akita-u.ac.jp  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	GaAs-pin/Ferroelectric liguid crystal spatial light modulator and its applications
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir akitauinfo.akita-u.ac.jp comme domaine prioritaire	Thresholding Characteristics of an Optically Addressable GaAs-pin/Ferroelectric Liquid Crystal Spatial Light Modulator and Its Applications

  32 Résultats www.kyosemi.co.jp  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	GaAs Photodiodes
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir kyosemi.co.jp comme domaine prioritaire	GaAs光电二极管

  2 Résultats www.hkfw.org  

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Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir bigbilet.ru comme domaine prioritaire	Гаас Олег

  3 Résultats www.iis.fraunhofer.de  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	SiGe and III-V for professional applications: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir iis.fraunhofer.de comme domaine prioritaire	SiGe and III-V für professionelle Anwendungen: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT

  4 Résultats www.deib.polimi.it  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	analytical and experimental studies of elemental and compound semiconductor devices (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) and organic devices
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir deib.polimi.it comme domaine prioritaire	studi teorico-sperimentali di dispositivi a semiconduttore semplice e composto (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) e organici

  2 Résultats www.sunplazahotel.co.jp  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	Highly productive compound semiconductor crystals such as GaAs, InP, germanium or CaF2
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir pvatepla.com comme domaine prioritaire	hoch produktiven Verbindungshalbleiterkristallen, wie GaAs, InP, Germanium oder CaF2

  www.soitec.com  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	Acquisition by IntelliEPI of the gallium arsenide (GaAs) epitaxy business from Soitec's Specialty Electronics subsidiary
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir soitec.com comme domaine prioritaire	IntelliEPI acquiert l’activité épitaxie d'arséniure de gallium (GaAs) de la filiale Specialty Electronics de Soitec

  childalert.be  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	In future, spectroscopic methods such as ICP-OES, FAAS and GAAS will predominate in the determination of heavy metals.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir ufag-laboratorien.ch comme domaine prioritaire	À l’avenir, le dosage des métaux lourds se fera essentiellement à l’aide de méthodes spectroscopiques de type ICP-OES, FAAS ou GAAS.

  6 Résultats www.nims.go.jp  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	COHERENT PHONONS: GaAs
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir nims.go.jp comme domaine prioritaire	コヒーレントフォノン：ガリウム砒素

  15 Résultats www.dailysummit.net  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	GaAs nanowires
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir toulouse.lncmi.cnrs.fr comme domaine prioritaire	Nanofils de GaAs

  3 Résultats actu.epfl.ch  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	GaAs nanowires are grown by a catalyst-free method that guarantees the formation of high quality crystal structures and avoids the use of external metal-catalysts (like Au) that would endanger any device application.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir actu.epfl.ch comme domaine prioritaire	La fonctionnalité de cette hétérostructure originale, qui combine points quantiques et nanofils, a été démontrée par des expériences de photoluminescence à basse température révélant l’activation d’excitons simples et doubles dans les points quantiques.

  2 Résultats www.bacatec.de  

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This project focuses on the further development of integrated semiconductor quantum optical circuits in which quantum dot single photon sources, passive optical elements (cavities, waveguides, beam splitters) and superconducting single photon detectors (SSPDs) are combined on a single semiconductor chip. The participating groups at TUM and Stanford pool their expertise in the development of NbN SSPDs (TUM) and the design and realization of GaAs based photonic nanostructures (Stanford).

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Das Ziel dieses Projekts ist die Weiterentwicklung eines auf Halbleiter basierten, quanten-photonischen Schaltkreises, in dem Quantenpunkt-Einzelphotonenemitter, passive optische Elemente (Resonatoren, Wellenleiter, Strahlteiler) und supraleitende, Einzelphotonendetektoren (SSPDs) auf einem gemeinsamen Chip kombiniert werden. Die beiden Partner dieses Projekts, TU München und Stanford University, vereinen darin ihre jeweilige Expertise in der Entwicklung von NbN SSPDs (TUM) und in Design und Entwicklung von GaAs-basierten photonischen Nanostrukturen (Stanford). Die SSPD-Technologie vereint hierbei mehrere Vorteile, wie etwa geringe Größe, hohe Quanteneffizienz, hohe Zeitauflösung, niedrige Dunkelzählrate und große Wellenlängen-Bandbreite. Die grundlegende Machbarkeit dieser NbN/GaAs-Quantenphotonischen-Hybridtechnologie wurde bereits in einem vorangehenden BaCaTeC-Projekt demonstriert. Die Partner werden nun im Rahmen des gegenwärtigen Projekts versuchen den nächsten Schritt, nämlich die deterministische Erzeugung eines photonischen Quantenzustands auf einem gemeinsamen Chip, in Angriff zu nehmen.

  www.wimo.com  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	The MVV 1296-VOX has two stages to gain enough amplification for longer feed lines, also. The input stage is equipped with a low-noise microwave GaAs FET, the second stage uses a microwave IC (MMIC). The amplification is continuously adjustable, which helps to adjust to particular cable lengths.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir wimo.com comme domaine prioritaire	The MVV 1296-VOX mast pre-amp is a low-noise antenna pre-amplifier in a double-shelled housing. The outer housing made of ABS is weatherproof and suited for mast mounting. The inner metal housing ensures a high shielding factor against unwanted irradiation and protects the components of the amplifier against harmful environmental influences effectively.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir wimo.com comme domaine prioritaire	L'MVV 1296-VOX è un preamplificatore d'antennaa a basso rumore in un alloggiamento a doppia schermatura. L'involucro esterno in ABS è resistente alle intemperie e adatto per il montaggio a palo. Il contenitore metallico interno assicura un elevato fattore di schermatura contro le interferennze e protegge efficacemente i componenti dell'amplificatore dalle condizioni ambientali più estreme.

  2 Résultats www.neworleanslatours.com  

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Its radiation has unconventional (for existing lasers) spectro-dynamical and correlation properties, since it is produced in a low-Q multi-mode resonator, where the lifetime of photons is short compared with the lifetime of an optical polarization of the quantum dots (E. R. Kocharovskaya, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky). Such lasers, which are called D-class lasers and have not been realized before, can be made of the GaAs/InGaAs heterostructures with several layers of submonolayer quantum dots.

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Впервые показано также, что на основе последних достижений нанотехнологии выращивания массивов субмонослойных квантовых точек и разработанных в ИПФ методов нелинейной динамической селекции мод благодаря распределенной обратной связи возможно создание уникального сверхизлучающего гетеролазера миллиметровой длины с КПД более 50 %. Он способен генерировать последовательности мощных (мультиваттных) сверхкоротких (пикосекундных) импульсов когерентного излучения при непрерывной инжекционной или оптической накачке в отсутствие специальной синхронизации мод и рассчитан на решение сложных задач динамической спектроскопии и обработки информации. Его излучение обладает необычными (для существующих лазеров) корреляционными и спектрально-динамическими свойствами, поскольку возникает в низкодобротном многомодовом резонаторе, время жизни фотонов в котором мало по сравнению со временем жизни оптической поляризации квантовых точек (Е. Р. Кочаровская, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский). Для подобных лазеров, называемых лазерами класса D и ранее не реализованных, спроектированы (совместно с ФТИ РАН) необходимые GaAs/InGaAs-гетероструктуры с несколькими слоями субмонослойных квантовых точек, обладающие рекордной спектральной и пространственной плотностью состояний с достаточно большим временем релаксации их оптической поляризации.

  www.cloetta.com  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	Materials of Photonic Technologies (LiNbO3, Si, Ge, GaAs, InP, Polymers)
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  13 Résultats www.dma.jim.osaka-u.ac.jp  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	Highly p-typed superlattices consist of undoped InAs and carbon-doped GaAs layers, Kazuo Uchida, Heisuke Kanaya, Hiroshi Imanishi, Atsushi Koizumi, and Shinji Nozaki, 2012.07, Papers
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir dma.jim.osaka-u.ac.jp comme domaine prioritaire	Highly p-typed superlattices consist of undoped InAs and carbon-doped GaAs layers，Kazuo Uchida, Heisuke Kanaya, Hiroshi Imanishi, Atsushi Koizumi, and Shinji Nozaki，2012年07月，学術論文

  2 Résultats lotusbedding.com  

Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source	1 Laser Diodes (GaAs)
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