gaas – Traduction – Dictionnaire Keybot

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Keybot 32 Résultats  photo-art-hofmann.fotograf.de
  Institut für Festkörper...  
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For the detection a 1m additive double monochromator as well as a 0.75 m single UV-monochromator can be used at which, depending on the spectral range, a GaAs-photodiode, a Bi-Alkali-photomultiplier or a multi-channel-plate (MCP) with different cathode materials can be mounted.
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Für die Detektion wird ein 1 m additiver Doppelmonochromator, sowie ein 0,75 m einfach UVMonochromator verwendet, an welche je nach Spektralbereich eine GaAs-Photodiode, ein Bi-Alkali-Photmultiplier oder eine Multi-Channel-Plate (MCP) mit verschiedenen Kathodenmaterialien angeschlossen werden kann.
  AG Bimberg: 2002  
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990         H. Born, R. Heitz, A. Hoffmann, D. Bimberg               Tuned exciton kinetics in self-organized InGaAs/GaAs quantum dots
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991 P. Borri, W. Langbein, S. Schneider, U. Woggon, R.L. Sellin, D. Ouyang, D. Bimberg
  AG Bimberg: Nano physics  
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Fig. 2: Diagram of a quantum dot energy scheme, e.g. for InAs in GaAs.
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Einzeldotspektroskopie und Ensemblespektroskopie
  AG Bimberg: Nano photon...  
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The reflectivity of these crystal facets depends on the index of refraction of the semiconductor material. For GaAs this reflectivity is about 32%. In some cases the facets are additionally coated with highly reflecting or anti reflecting layers.
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Mit modengekoppelten Lasern können prinzipiell optische Pulsbreiten im Bereich unter 1 ps realisiert werden. Um die Effekte der Dispersion in Glasfasern und die gegenseitige Beeinflussung verschiedener Wellenlängenkanäle zu minimieren, werden „fourierlimitierte“ optische Pulse angestrebt. In diesem Fall ist das Produkt der spektralen Breite des Pulses und seiner zeitlichen Länge, durch die Wellennatur des Lichtes miteinander verknüpft, minimal.
  AG Bimberg: Nano materi...  
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(For example: In the InAs/GaAs system quantum dots are formed within ~10 seconds. With lateral quantum dot density of ~ 4x10^10 cm-2 on a 2 inches wafer, this would yield a rate of 2x10^10 quantum dots per second!)
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In der AG Bimberg wird das selbstorganisierte epitaktische Wachstum untersucht. Unter Selbstorganisation versteht man den Vorgang, dass sich beim epitaktischen Wachstum ein Halbleiter 1 ohne äußeres Zutun auf/in einem Halbleiter 2 in Form von Quantenpunkten, also kohärenten dreidimensionalen Nanostrukturen, abscheidet. Die Strukturbildung basiert auf einer Minimierung der Gesamtenergie des Systems. Strukturelle Eigenschaften der Quantenpunkte wie Form, Größe, Zusammensetzung und Flächendichte lassen sich in gewissen Grenzen durch die Wachstumsparameter steuern.