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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	GaAs nanowires
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigentoulouse.lncmi.cnrs.fr als Prioritätsdomäne definieren	Nanofils de GaAs

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Unintentional High-Density p-Type Modulation Doping of a GaAs/AlAs Core–Multishell Nanowire
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigentoulouse.lncmi.cnrs.fr als Prioritätsdomäne definieren	Fort dopage en trous de coeurs/nanofils multicouches GaAs/AlAs

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Reference: “Unintentional High-Density p-Type Modulation Doping of a GaAs/AlAs Core–Multishell Nanowire”, J. Jadczak et al., Nano Lett., 14, p… (2014). http://pubs.acs.org/doi/full/10.102...
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigentoulouse.lncmi.cnrs.fr als Prioritätsdomäne definieren	Référence : “Unintentional High-Density p-Type Modulation Doping of a GaAs/AlAs Core–Multishell Nanowire”, J. Jadczak et al., Nano Lett., 14, p… (2014). http://pubs.acs.org/doi/full/10.102...

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Abstract : Unintentional high density p-type modulation doping of a GaAs/AlAs core-multi-shell nanowire
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigentoulouse.lncmi.cnrs.fr als Prioritätsdomäne definieren	Abstract : Terahertz conductivity measurements of semiconductor nanowires

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Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigentoulouse.lncmi.cnrs.fr als Prioritätsdomäne definieren	Les champs magnétiques intenses révèlent la nature des excitons dans un nanofil unique coeur/coquille GaAs/AlAs

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Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigentoulouse.lncmi.cnrs.fr als Prioritätsdomäne definieren	Nanofil de GaAs/AlAs unique dans un champ magnétique

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Moreover, we show that composition of the shell is crucial and canlead to quantum confinement in typical nanowires which nevertheless have a corediameter sufficiently large to display electronic properties indistinguishable from those of bulk GaAs.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigentoulouse.lncmi.cnrs.fr als Prioritätsdomäne definieren	Nos résultats apportent une compréhension nouvelle du processus de dopage delta dans les nanofils. De plus, nous montrons que la composition des feuillets joue un rôle crucial pouvant conduire à un confinement quantique dans des nanofils typiques qui ont cependant un diamètre de cœur suffisamment grand pour exhiber des propriétés électroniques indiscernables de celles du GaAs massif.

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Figure 1: Color plot showing differential μPL spectra of core–multishell GaAs/AlAs NW measured as a function of magnetic field. The excitation power was a few nW and the temperature of the measurements was 1.7 K. The lines show the calculated evolution of the two high energy 2D emission lines together with their LO (dashed lines) and TO (solid lines) phonon replicas as described in the text.

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Figure 1 : spectre de µPL differentielle d’un nanofil Coeur-multifeuillets GaAs/AlAs en function du champ magnétique. La puissance d’excitation est de quelques nW et les mesures ont été réalisées à une température de 1.7K. Les lignes montrent l’évolution de la position calculée des deux raies d’émission de haute énergie des porteurs 2D ainsi que leurs répliques phonon LO (tirets) et TO (trait plein) comme décrit dans le texte. Le croisement évité observé résulte d’un couplage polaron résonant.

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We show that introducing a multi-shell structure in GaAs/AlAs nanowires (NWs) can lead to an unintentional high density p-type doping. Doped NWs have a large number of potential applications. However, doping NWs grown by vapour-liquid-solid method (VLS) remains a challenge.

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Nous montrons que l’introduction d’une structure multifeuillet dans des nanofils GaAs/AlAs (NWs) peut conduire fortuitement à un fort dopage de type p. Les nanofils dopés ont un grand nombre d’applications potentielles. Toutefois, le dopage de nanofils obtenus par la méthode vapeur-liquide-solide (VLS) reste un défi technique. La transposition directe des techniques de modulation de concentration de porteurs développées pour GaAs obtenu par voie épitaxiale, et qui ont été capitales dans la découverte de l’effet Hall fractionnaire, se sont révélées spectaculairement infructueuses dans le cas des nanofils. Cela est dû à la grande différence du régime de croissance VLS développé en vue de l’obtention de nanofils de grande qualité.

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We show that introducing a multi-shell structure in GaAs/AlAs nanowires (NWs) can lead to an unintentional high density p-type doping. Doped NWs have a large number of potential applications. However, doping NWs grown by vapour-liquid-solid method (VLS) remains a challenge.

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Nous montrons que l’introduction d’une structure multifeuillet dans des nanofils GaAs/AlAs (NWs) peut conduire fortuitement à un fort dopage de type p. Les nanofils dopés ont un grand nombre d’applications potentielles. Toutefois, le dopage de nanofils obtenus par la méthode vapeur-liquide-solide (VLS) reste un défi technique. La transposition directe des techniques de modulation de concentration de porteurs développées pour GaAs obtenu par voie épitaxiale, et qui ont été capitales dans la découverte de l’effet Hall fractionnaire, se sont révélées spectaculairement infructueuses dans le cas des nanofils. Cela est dû à la grande différence du régime de croissance VLS développé en vue de l’obtention de nanofils de grande qualité.

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A strong quantum confinement of the carriers is observed in photoluminescence studies and confirmed by theoretical calculations which predict a quantum confinement of carriers at the core/shell interface due to the presence of ionizedcarbon acceptors in the 1 nm GaAs layer in the shell.

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Un fort confinement des porteurs est observé dans les études de la photoluminescence et confirmé par des études théoriques qui prédisent un confinement quantique des porteurs à l’interface cœur/feuillets à cause de la présence de carbone ionisé accepteur dans la couche de GaAs de 1nm d’épaisseur dans le feuillet. Les mesures de micro-photoluminescence sous fort champ magnétique fournissent une signature définitive de la présence d’une grande densité de trous confinés ; on observe une signature claire de croisements évités du niveau de Landau n=0 en émission avec le niveau de Landau n=2 du phonon réplique TO. Ce couplage est dû à l’interaction résonante trou/phonon qui indique une grande densité de trous dans la structure 2D. De surcroit, le couplage avec le phonons TO est en soi une preuve de la nature bidimensionnelle des porteurs impliqués puisque le couplage aux phonons TO n’est pas observé en volume.