gaas – -Translation – Keybot Dictionary

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Keybot 5 Results  www.morinagamilk.co.jp
  Nanowires could compens...  
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The resulting structure is free from dislocations at the interfaces as long as the liquid gold nanodroplet measures less than 40 nm. The researchers are now working on growing GaAs on InAs. They plan to use the technique to grow nanowires with integrated quantum dots that can be positioned at will for new photonic transmitters.
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La structure ne présente aucune dislocation aux interfaces quand le diamètre de la nanogoutte d’or est inférieur à 40 nm. Les chercheurs travaillent désormais sur la croissance de GaAs sur InAs. Ils réaliseraient ainsi des boites quantiques intégrées dans des nanofils, positionnées sur demande, pour de nouveaux émetteurs photoniques.
  Nanowires could compens...  
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Growing indium arsenide (InAs) and gallium arsenide (GaAs) heterostructures is theoretically impossible due to a lattice constant deviation of 6%. However, a team of researchers from INAC and Institut Néel has overcome this hurdle by using the vapor-liquid-solid method to grow nanowires.
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Impossible a priori de faire croître des hétérostructures d’arséniure d’indium (InAs) et d’arséniure de gallium (GaAs) : l’écart de paramètre de maille est de 6%. Pourtant, une équipe mixte INAC – Institut Néel a relevé ce défi en faisant pousser des nanofils par le mécanisme vapeur liquide solide. Les atomes d’indium et d’arsenic vaporisés migrent dans une nanogoutte d’or liquide située à l’extrémité d’un nanofil de GaAs, puis en ressortent sous forme de cristal du même diamètre sur le GaAs.
  Quantum dots perform we...  
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Researchers at INAC integrated several InAs quantum dots into a GaAs nanowire coated with an amorphous silicon shell to create quantum dots deformed along their growth axis. This heretofore-unexplored configuration resulted in significant emission gaps that were very similar from one emitter to another.
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En intégrant quelques boîtes quantiques d’InAs dans un nanofil de GaAs, lui-même recouvert d’une coquille de silice amorphe, des chercheurs de l’INAC ont déformé les boîtes le long de leur axe de croissance. Cette configuration, jusqu’à présent inexplorée, permet d’obtenir des décalages d’émission importants, et très similaires d’un émetteur à l’autre. Une telle reproductibilité est un atout important pour concevoir et réaliser des circuits photoniques complexes, intégrant plusieurs émetteurs quantiques accordables.
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Growing indium arsenide (InAs) and gallium arsenide (GaAs) heterostructures is theoretically impossible due to a lattice constant deviation of 6%. However, a team of researchers from INAC and Institut Néel has overcome this hurdle by using the vapor-liquid-solid method to grow nanowires.
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Impossible a priori de faire croître des hétérostructures d’arséniure d’indium (InAs) et d’arséniure de gallium (GaAs) : l’écart de paramètre de maille est de 6%. Pourtant, une équipe mixte INAC – Institut Néel a relevé ce défi en faisant pousser des nanofils par le mécanisme vapeur liquide solide. Les atomes d’indium et d’arsenic vaporisés migrent dans une nanogoutte d’or liquide située à l’extrémité d’un nanofil de GaAs, puis en ressortent sous forme de cristal du même diamètre sur le GaAs.
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Growing indium arsenide (InAs) and gallium arsenide (GaAs) heterostructures is theoretically impossible due to a lattice constant deviation of 6%. However, a team of researchers from INAC and Institut Néel has overcome this hurdle by using the vapor-liquid-solid method to grow nanowires.
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Impossible a priori de faire croître des hétérostructures d’arséniure d’indium (InAs) et d’arséniure de gallium (GaAs) : l’écart de paramètre de maille est de 6%. Pourtant, une équipe mixte INAC – Institut Néel a relevé ce défi en faisant pousser des nanofils par le mécanisme vapeur liquide solide. Les atomes d’indium et d’arsenic vaporisés migrent dans une nanogoutte d’or liquide située à l’extrémité d’un nanofil de GaAs, puis en ressortent sous forme de cristal du même diamètre sur le GaAs.