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Keybot 8 Ergebnisse www.win-archery.com

Photovoltaic

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	GaAs SOLAR CELLS
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen photonetc.com als Prioritätsdomäne definieren	CELLULES SOLAIRES DE GaAs

Tunable Laser Source

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Tuning single GaAs quantum dots in resonance with a rubidium vapor
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen photonetc.com als Prioritätsdomäne definieren	Single-Walled Carbon Nanotube Thermopile For Broadband Light Detection

Laser Line Tunable Filter

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	IMA™ provides spectrally and spatially resolved images. It was successfully used to investigate spatial distribution of opto-electronic properties of CIS, CIGS, GaAs and perovskite solar cells.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen photonetc.com als Prioritätsdomäne definieren	Deux filtres à bande étroite accordable ont été conçus pour la spectroscopie Raman résonante (SRR) pour l’étude des modes radiales de battement des nanotubes de carbone.

PHySpec

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	IMA™ provides spectrally and spatially resolved images. It was successfully used to investigate spatial distribution of opto-electronic properties of CIGS, CIS, GaAs and perovskite solar cells.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen photonetc.com als Prioritätsdomäne definieren	IMA™ fournit des images résolues spectralement et spatialement Cette plateforme a déjà été employée pour l’étude de la distribution spatiale des propriétés opto-électroniques de cellules solaires à base de CIS, CIGS, GaAs et de pérovskite.

SEMICONDUCTORS

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Photoluminescence and electroluminescence are also widely used characterisation technique, providing a fast spatial distribution of key properties of semiconductors samples. It was successfully employed to characterise different defects present in SiC pin diodes and to study the uniformity of opto-electronics properties in CIGS, CIS and GaAs solar cells.

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La photoluminescence et l’électroluminescence sont également des techniques de caractérisation largement utilisées, ces dernières peuvent fournir rapidement la distribution spatiale des principales propriétés des échantillons à base de semi-conducteurs. Ces méthodes ont été utilisé avec succès pour caractériser différents défauts présents dans des diodes PIN de SiC et afin d'étudier l'uniformité des propriétés opto-électroniques de cellules solaire à base de CIGS, de CIS et de GaAs.

SEMICONDUCTORS

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This platform was successfully used to characterise various properties of chalcogenide glasses, GaAs and GeSn/Ge/Si thin films, the identification of MoS2 layers, and the analysis of constraints in a Si wafer covered by SiO2.

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La spécificité intrinsèque de la diffusion Raman confère à cette plate-forme d'imagerie la capacité de mesurer l'uniformité et la morphologie d'une grande variété de matériaux. Elle permet également une identification rapide de la composition et de la stoechiométrie, tout en fournissant la distribution spatiale des contraintes et du stress. Cette technique a permis la caractérisation de diverses propriétés des verres de chalcogénures, des couches minces de GaAs et de GeSn/Ge/Si, l'identification du nombre de couches de MoS2 et l'analyse des contraintes dans une tranche de silicium recouverte de SiO2.

Photovoltaic

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Those techniques have already been successfully used to characterize inhomogeneities in CIS and perovskite solar cells, and to obtain spatial distribution of the quasi-fermi level splitting (Δμ) and the external quantum efficiency (EQE) of CIGS [3] and GaAs [4] solar cells.

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L'imagerie en photoluminescence et en électroluminescence permettent de rapidement contrôler la qualité en plus de fournir de l’information importante sur les propriétés fondamentales des films ou des dispositifs photovoltaïques. Ces techniques ont déjà été utilisées avec succès pour caractériser les inhomogénéités dans les cellules à base de CIS et de pérovskite et afin d'obtenir la distribution spatiale de la séparation de quasi-niveau de Fermi (Δμeff) et l'efficacité quantique externe (EQE) de cellules solaires de CIGS [3] et de GaAs [4]. Pour obtenir ces propriétés, une méthode de calibration absolue spectrale et photométrique a été développé et brevetée par l’IRDEP.

gaas – Übersetzung – Keybot-Wörterbuch