|
|
Toshiba, üst tarafta soğutucuya sahip olan çift taraflı soğutma kapasiteli bir paket sunmaktadır. Bu paket, termal tasarımı kolaylaştıran 0,93 °C/W değerinde oldukça düşük bir düşük kanal-kasa termal direnci (rthch-c) sağlar.
|
|
|
Toshiba ha puesto todo su empeño en reducir la resistencia de encendido de los transistores MOSFET haciendo uso del proceso de geometría reducida más reciente y mejorando las estructuras del encapsulado. Así, ofrece un encapsulado con sistema de refrigeración por los dos lados, el cual tiene un disipador de calor de cubierta expuesto. Este encapsulado proporciona una resistencia térmica del canal a la carcasa ultrabaja (rthch-c) de 0,93 °C/W, lo que simplifica el diseño térmico.
|
|
|
Toshiba ha cercato di ridurre la resistenza di conduzione dei MOSFET utilizzando il più recente processo a geometria ridotta e migliorarando le strutture di package. Toshiba offre un package con capacità di raffreddamento fronte-retro, che ha un dissipatore di calore esposto superiore. Questo package offre una resistenza termica canale-case bassissima (rthch-c) di 0,93 °C/W, semplificando la progettazione termica.
|
|
|
Компания Toshiba снизила сопротивление полевых транзисторов с изолированным затвором во включенном состоянии, использовав новейшие технологии производства компактных устройств и усовершенствовав конструкцию корпуса. Toshiba представляет корпус с двусторонней охлаждающей способностью, имеющий радиатор на верхней открытой панели. Благодаря такой конструкции обеспечивается ультранизкое значение термоустойчивости в точке соприкосновения канала и корпуса (rthch-c) на уровне 0,93 °C/Вт, что упрощает тепловые расчеты.
|
|
|
U-MOSⅨ-H系列专门设计用于同步整流应用，包括二次级隔离开关电源。它改进了Qoss*1性能，要知道该性能是同步整流功率损耗的原因之一。U-MOSⅨ-H系列相比于其他半导体供应商*2所提供的最新产品，其Ron•Qoss降低了27%，实现了导通电阻（Ron）和Qoss之间的平衡。因为Ron对于Qoss具有重要影响，东芝将通过采用超低Ron的MOSFET扩大U-MOSⅨ-H产品组合，以便补充U-MOSⅧ-H系列的产品阵容。
|
