gaas – -Translation – Keybot Dictionary

  15 Hits www.dailysummit.net  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs nanowires
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine toulouse.lncmi.cnrs.fr as primary domain	Nanofils de GaAs

  www.airwatec.be  

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Very critical are the thermal processes, as for the processing of SiC circuits very high temperature is required, especially for electrical activation of dopants Al, B (p-doping), N or P (n-doping). The furnaces for silicon carbide processing must be able to reach up to 2000°C, while for the production of circuits from silicon or GaAs temperatures up to 1200°C are usually sufficient.

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Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse, da für die Prozessierung von SiC-Schaltkreisen sehr hohe Temperaturen erforderlich sind, insbesondere für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung). Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es Hochtemperatur-Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi2-Heizern bzw. Graphit-Heizern erreichen können.

  www.aaaglassbeads.com  

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The study of semiconductor materials has been an important issue since the beginning of CMAM and a large list of IV, III-V and II-VI systems have been analyzed: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc.

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El estudio de materiales semiconductores ha sido un tema importante desde el inicio del CMAM y se han analizado hasta la actualidad un extenso número de sistemas IV, III-V y II-VI: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc. En los últimos años, el CMAM ha estado especialmente involucrado en proyectos para el desarrollo de semiconductores de gap ancho, en colaboración con el ISOM de la Universidad Politécnica de Madrid.

  36 Hits postmaster.gmx.com  

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Most of the previous experiments were conducted at low temperatures because, even though strong coupling can be achieved up to room temperature in GaAs and CdTe systems, their low excitonic stability greatly limits their applications at ambient temperature and / or high density.

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La plupart des expériences précédentes ont été menées à basse température car, même si le couplage fort peut être obtenu jusqu’à température ambiante dans les systèmes GaAs et CdTe, leur faible stabilité excitonique limite fortement leurs applications à température ambiante et/ou sous forte densité de particules. Pour y remédier, il faut développer des matériaux à grande force de liaison excitonique, comme le GaN et le ZnO, qui sont les matériaux de choix au CRHEA.

  8 Hits www.win-archery.com  

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Photoluminescence and electroluminescence are also widely used characterisation technique, providing a fast spatial distribution of key properties of semiconductors samples. It was successfully employed to characterise different defects present in SiC pin diodes and to study the uniformity of opto-electronics properties in CIGS, CIS and GaAs solar cells.

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La photoluminescence et l’électroluminescence sont également des techniques de caractérisation largement utilisées, ces dernières peuvent fournir rapidement la distribution spatiale des principales propriétés des échantillons à base de semi-conducteurs. Ces méthodes ont été utilisé avec succès pour caractériser différents défauts présents dans des diodes PIN de SiC et afin d'étudier l'uniformité des propriétés opto-électroniques de cellules solaire à base de CIGS, de CIS et de GaAs.

  3 Hits actu.epfl.ch  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs nanowires are grown by a catalyst-free method that guarantees the formation of high quality crystal structures and avoids the use of external metal-catalysts (like Au) that would endanger any device application.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine actu.epfl.ch as primary domain	La fonctionnalité de cette hétérostructure originale, qui combine points quantiques et nanofils, a été démontrée par des expériences de photoluminescence à basse température révélant l’activation d’excitons simples et doubles dans les points quantiques.

  7 Hits goldenbyte.org  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Tags: blue corridor @enblue corridor eesti gaascng stationeesti gaaseesti gaas cngeesti gaas estoniaeesti gaas gazpromRaul KotovRaul Kotov eesti gaasTallinn cngTartu cng
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ngvjournal.com as primary domain	Tags: blue corridor 2014 @esEesti Gaas @esEesti Gaas estonia @esEesti Gaas gnvestacion de biometano @esestacion de gasestacion de gnv @esestonia gnv @esRaul Kotov @esRaul Kotov eesti gaas @estallin gnvtartu gnv

  32 Hits photo-art-hofmann.fotograf.de  

Show textShow cached sourceOpen source URL	For the detection a 1m additive double monochromator as well as a 0.75 m single UV-monochromator can be used at which, depending on the spectral range, a GaAs-photodiode, a Bi-Alkali-photomultiplier or a multi-channel-plate (MCP) with different cathode materials can be mounted.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ifkp.tu-berlin.de as primary domain	Für die Detektion wird ein 1 m additiver Doppelmonochromator, sowie ein 0,75 m einfach UVMonochromator verwendet, an welche je nach Spektralbereich eine GaAs-Photodiode, ein Bi-Alkali-Photmultiplier oder eine Multi-Channel-Plate (MCP) mit verschiedenen Kathodenmaterialien angeschlossen werden kann.

  17 Hits www.multiplica.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	IMA EL provides spectrally and spatially resolved electroluminescence images. It was successfully used to investigate spatial distribution of optoelectronic properties of CIS, CIGS, GaAs and perovskite solar cells.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine photonetc.com as primary domain	IMA EL fourni des images résolues spectralement et spatialement. Cette plateforme a déjà été employée pour l’étude de la distribution spatiale des propriétés opto-électroniques de cellules solaires à base de CIS, CIGS, GaAs et de pérovskite.

  3 Hits www.izm.fraunhofer.de  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Process steps for GaAs TC bonding
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine izm.fraunhofer.de as primary domain	Thermocompression Bonding

  energia.elmedia.net  

Show textShow cached sourceOpen source URL	International experts from public and private sectors will gather at the 4th Annual Baltic Energy Summit sponsored by Gasum, Eesti Gaas, Roedl & Partner, Fortum, E.ON Ruhrgas, ABB and Vopak ...
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine energia.elmedia.net as primary domain	Топлофикация София ЕАД предлага в бизнес плана за тази година програма за стабилизиране на производството и модернизация на съоръженията в топлоизточниците. ...

  www.truenorthinsight.org  

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Established semiconductor materials like GaAs, InP, and GaN, silicon-based (Si, SiGe) are of special interest, as they allow the additional integration of electronic read-out circuitry and signal processing.

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Ziel dieses Teilprojektes ist die Entwicklung und grundlegende Evaluierung von THz-Detektoren, die eine Realisierung von kompakten THz-Kamerasystemen ermöglichen. Dabei sollen transistorbasierte Konzepte und bolometrische Ansätze untersucht werden. Entsprechende Detektoren und Hochfrequenzschaltungen werden es erlauben, THz-Signale mit hoher Effizienz und Bandbreite zu detektieren. Es sollen neuartige Detektionskonzepte für bildgebende THz-Systeme realisiert werden. Neben Halbleitermaterialien wie GaAs, InP, GaN sind besonders Silizium-basierte (Si, SiGe) Bauelemente von Interesse, die eine kosteneffiziente Integration von Ausleseelektronik und Signalverarbeitung ermöglichen. Silizium-basierte Sensoren erlauben eine hohe System-Integration und ermöglichen Single-Chip Lösungen bei niedrigen Kosten.

  32 Hits www.kyosemi.co.jp  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs Photodiodes
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine kyosemi.co.jp as primary domain	GaAs光电二极管

  5 Hits researchers.adm.konan-u.ac.jp  

Show textShow cached sourceOpen source URL	English , “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著） , Phys. Rev. B , vol.61 (8) (p.5535 - 5539) , 2000 , T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine researchers.adm.konan-u.ac.jp as primary domain	英語 、 “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著） 、 Phys. Rev. B 、 61巻 8号 （頁 5535 ～ 5539） 、 2000年 、 T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.

  67 Hits www.brl.ntt.co.jp  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Optical Properties of GaAs Quantum Dots Formed in (Al,Ga)As Nanowires
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine brl.ntt.co.jp as primary domain	(Al,Ga)Asナノワイヤ中に形成されたGaAs量子ドットの光学特性

  2 Hits www.hkfw.org  

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Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine bigbilet.ru as primary domain	Гаас Олег

  childalert.be  

Show textShow cached sourceOpen source URL	In future, spectroscopic methods such as ICP-OES, FAAS and GAAS will predominate in the determination of heavy metals.
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ufag-laboratorien.ch as primary domain	À l’avenir, le dosage des métaux lourds se fera essentiellement à l’aide de méthodes spectroscopiques de type ICP-OES, FAAS ou GAAS.

  3 Hits www.iis.fraunhofer.de  

Show textShow cached sourceOpen source URL	SiGe and III-V for professional applications: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT
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  www.soitec.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Acquisition by IntelliEPI of the gallium arsenide (GaAs) epitaxy business from Soitec's Specialty Electronics subsidiary
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine soitec.com as primary domain	IntelliEPI acquiert l’activité épitaxie d'arséniure de gallium (GaAs) de la filiale Specialty Electronics de Soitec

  4 Hits www.deib.polimi.it  

Show textShow cached sourceOpen source URL	analytical and experimental studies of elemental and compound semiconductor devices (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) and organic devices
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine deib.polimi.it as primary domain	studi teorico-sperimentali di dispositivi a semiconduttore semplice e composto (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) e organici

  2 Hits www.sunplazahotel.co.jp  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Highly productive compound semiconductor crystals such as GaAs, InP, germanium or CaF2
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine pvatepla.com as primary domain	hoch produktiven Verbindungshalbleiterkristallen, wie GaAs, InP, Germanium oder CaF2

  6 Hits www.nims.go.jp  

Show textShow cached sourceOpen source URL	COHERENT PHONONS: GaAs
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine nims.go.jp as primary domain	コヒーレントフォノン：ガリウム砒素

  2 Hits www.czechleaders.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs - Gallium Arsenide
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  4 Hits akitauinfo.akita-u.ac.jp  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs-pin/Ferroelectric liguid crystal spatial light modulator and its applications
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  2 Hits www.bacatec.de  

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This project focuses on the further development of integrated semiconductor quantum optical circuits in which quantum dot single photon sources, passive optical elements (cavities, waveguides, beam splitters) and superconducting single photon detectors (SSPDs) are combined on a single semiconductor chip. The participating groups at TUM and Stanford pool their expertise in the development of NbN SSPDs (TUM) and the design and realization of GaAs based photonic nanostructures (Stanford).

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Das Ziel dieses Projekts ist die Weiterentwicklung eines auf Halbleiter basierten, quanten-photonischen Schaltkreises, in dem Quantenpunkt-Einzelphotonenemitter, passive optische Elemente (Resonatoren, Wellenleiter, Strahlteiler) und supraleitende, Einzelphotonendetektoren (SSPDs) auf einem gemeinsamen Chip kombiniert werden. Die beiden Partner dieses Projekts, TU München und Stanford University, vereinen darin ihre jeweilige Expertise in der Entwicklung von NbN SSPDs (TUM) und in Design und Entwicklung von GaAs-basierten photonischen Nanostrukturen (Stanford). Die SSPD-Technologie vereint hierbei mehrere Vorteile, wie etwa geringe Größe, hohe Quanteneffizienz, hohe Zeitauflösung, niedrige Dunkelzählrate und große Wellenlängen-Bandbreite. Die grundlegende Machbarkeit dieser NbN/GaAs-Quantenphotonischen-Hybridtechnologie wurde bereits in einem vorangehenden BaCaTeC-Projekt demonstriert. Die Partner werden nun im Rahmen des gegenwärtigen Projekts versuchen den nächsten Schritt, nämlich die deterministische Erzeugung eines photonischen Quantenzustands auf einem gemeinsamen Chip, in Angriff zu nehmen.

  www.cap.ca  

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The high precision light scattering technique has been important in advancing the physics of low-dimensional semiconductor structures in Canada. Lockwood’s measurements demonstrated opening of gaps in phonon bands in Si/SiGe and GaAs/GaAlAs superlattices grown at the NRC.

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M. Lockwood a largement contribué au domaine de la diffusion inélastique de la lumière appliquée à l’élucidation des excitations électroniques des solides magnétiques. Le livre sur la diffusion de la lumière dans les solides magnétiques (Light scattering in magnetic solids), dont M. Cottam est coauteur, est devenu un ouvrage de référence en ce domaine. La technique de diffusion de la lumière à haute précision a été importante pour l’avancement de la physique des structures de semi-conducteurs de faibles dimensions au Canada. Les mesures de M. Lockwood ont démontré l’ouverture d’intervalles de bande de phonons dans les super-réseaux Si/SiGe et GaAs/GaAlAs, mis au point au CNRC. Ses expériences électroniques de résonance Raman étaient parmi les premières à démontrer les phonons et les excitations électroniques quantifiées dans des structures de dimension zéro, points quantiques des semiconducteurs.

  4 Hits www.futaba-ac.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Broadband GaAs amplifier technology
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine pbnglobal.com as primary domain	支持 PBN NMSE 网管软件和 ASMM Web 界面远程管理

  7 Hits www.akm.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	GaAs (Low Drift)
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine akm.com as primary domain	GaAs（低ドリフト）

  12 Hits www.caminosurf.com  

Show textShow cached sourceOpen source URL	Luminescent properties of GaAsBi /GaAs double quantum well heterostructures
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine ikz-berlin.de as primary domain	Strain Engineering of Monoclinic Domains in KxNa1-xNbO3 Epitaxial Layers: A Pathway to Enhanced Piezoelectric Properties

  2 Hits www.perimeterinstitute.ca  

Show textShow cached sourceOpen source URL	quantum Hall effect (FQHE). The materials in question include GaAs wide quantum
Compare text pagesCompare HTM pagesOpen source URLOpen target URLDefine perimeterinstitute.ca as primary domain	interactions in a number of low-dimensional systems exhibiting the fractional