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Keybot 1'228 Résultats 230 Domaines Page 8

2 Résultats www.czechleaders.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs - Gallium Arsenide
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir crystec.de comme domaine prioritaire	GaAs - Galliumarsenid

www.aaaglassbeads.com

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The study of semiconductor materials has been an important issue since the beginning of CMAM and a large list of IV, III-V and II-VI systems have been analyzed: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc.

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El estudio de materiales semiconductores ha sido un tema importante desde el inicio del CMAM y se han analizado hasta la actualidad un extenso número de sistemas IV, III-V y II-VI: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc. En los últimos años, el CMAM ha estado especialmente involucrado en proyectos para el desarrollo de semiconductores de gap ancho, en colaboración con el ISOM de la Universidad Politécnica de Madrid.

www.airwatec.be

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Very critical are the thermal processes, as for the processing of SiC circuits very high temperature is required, especially for electrical activation of dopants Al, B (p-doping), N or P (n-doping). The furnaces for silicon carbide processing must be able to reach up to 2000°C, while for the production of circuits from silicon or GaAs temperatures up to 1200°C are usually sufficient.

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Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse, da für die Prozessierung von SiC-Schaltkreisen sehr hohe Temperaturen erforderlich sind, insbesondere für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung). Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es Hochtemperatur-Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi2-Heizern bzw. Graphit-Heizern erreichen können.

36 Résultats postmaster.gmx.com

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Most of the previous experiments were conducted at low temperatures because, even though strong coupling can be achieved up to room temperature in GaAs and CdTe systems, their low excitonic stability greatly limits their applications at ambient temperature and / or high density.

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La plupart des expériences précédentes ont été menées à basse température car, même si le couplage fort peut être obtenu jusqu’à température ambiante dans les systèmes GaAs et CdTe, leur faible stabilité excitonique limite fortement leurs applications à température ambiante et/ou sous forte densité de particules. Pour y remédier, il faut développer des matériaux à grande force de liaison excitonique, comme le GaN et le ZnO, qui sont les matériaux de choix au CRHEA.

8 Résultats www.win-archery.com

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Photoluminescence and electroluminescence are also widely used characterisation technique, providing a fast spatial distribution of key properties of semiconductors samples. It was successfully employed to characterise different defects present in SiC pin diodes and to study the uniformity of opto-electronics properties in CIGS, CIS and GaAs solar cells.

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La photoluminescence et l’électroluminescence sont également des techniques de caractérisation largement utilisées, ces dernières peuvent fournir rapidement la distribution spatiale des principales propriétés des échantillons à base de semi-conducteurs. Ces méthodes ont été utilisé avec succès pour caractériser différents défauts présents dans des diodes PIN de SiC et afin d'étudier l'uniformité des propriétés opto-électroniques de cellules solaire à base de CIGS, de CIS et de GaAs.

32 Résultats photo-art-hofmann.fotograf.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	For the detection a 1m additive double monochromator as well as a 0.75 m single UV-monochromator can be used at which, depending on the spectral range, a GaAs-photodiode, a Bi-Alkali-photomultiplier or a multi-channel-plate (MCP) with different cathode materials can be mounted.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ifkp.tu-berlin.de comme domaine prioritaire	Für die Detektion wird ein 1 m additiver Doppelmonochromator, sowie ein 0,75 m einfach UVMonochromator verwendet, an welche je nach Spektralbereich eine GaAs-Photodiode, ein Bi-Alkali-Photmultiplier oder eine Multi-Channel-Plate (MCP) mit verschiedenen Kathodenmaterialien angeschlossen werden kann.

17 Résultats www.multiplica.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	IMA EL provides spectrally and spatially resolved electroluminescence images. It was successfully used to investigate spatial distribution of optoelectronic properties of CIS, CIGS, GaAs and perovskite solar cells.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir photonetc.com comme domaine prioritaire	IMA EL fourni des images résolues spectralement et spatialement. Cette plateforme a déjà été employée pour l’étude de la distribution spatiale des propriétés opto-électroniques de cellules solaires à base de CIS, CIGS, GaAs et de pérovskite.

7 Résultats goldenbyte.org

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Tags: blue corridor @enblue corridor eesti gaascng stationeesti gaaseesti gaas cngeesti gaas estoniaeesti gaas gazpromRaul KotovRaul Kotov eesti gaasTallinn cngTartu cng
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ngvjournal.com comme domaine prioritaire	Tags: blue corridor 2014 @esEesti Gaas @esEesti Gaas estonia @esEesti Gaas gnvestacion de biometano @esestacion de gasestacion de gnv @esestonia gnv @esRaul Kotov @esRaul Kotov eesti gaas @estallin gnvtartu gnv

3 Résultats actu.epfl.ch

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs nanowires are grown by a catalyst-free method that guarantees the formation of high quality crystal structures and avoids the use of external metal-catalysts (like Au) that would endanger any device application.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir actu.epfl.ch comme domaine prioritaire	La fonctionnalité de cette hétérostructure originale, qui combine points quantiques et nanofils, a été démontrée par des expériences de photoluminescence à basse température révélant l’activation d’excitons simples et doubles dans les points quantiques.

energia.elmedia.net

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	International experts from public and private sectors will gather at the 4th Annual Baltic Energy Summit sponsored by Gasum, Eesti Gaas, Roedl & Partner, Fortum, E.ON Ruhrgas, ABB and Vopak ...
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir energia.elmedia.net comme domaine prioritaire	Топлофикация София ЕАД предлага в бизнес плана за тази година програма за стабилизиране на производството и модернизация на съоръженията в топлоизточниците. ...

5 Résultats researchers.adm.konan-u.ac.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	English , “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著） , Phys. Rev. B , vol.61 (8) (p.5535 - 5539) , 2000 , T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir researchers.adm.konan-u.ac.jp comme domaine prioritaire	英語、 “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著）、 Phys. Rev. B 、 61巻 8号（頁 5535 ～ 5539）、 2000年、 T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.

www.truenorthinsight.org

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Established semiconductor materials like GaAs, InP, and GaN, silicon-based (Si, SiGe) are of special interest, as they allow the additional integration of electronic read-out circuitry and signal processing.

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Ziel dieses Teilprojektes ist die Entwicklung und grundlegende Evaluierung von THz-Detektoren, die eine Realisierung von kompakten THz-Kamerasystemen ermöglichen. Dabei sollen transistorbasierte Konzepte und bolometrische Ansätze untersucht werden. Entsprechende Detektoren und Hochfrequenzschaltungen werden es erlauben, THz-Signale mit hoher Effizienz und Bandbreite zu detektieren. Es sollen neuartige Detektionskonzepte für bildgebende THz-Systeme realisiert werden. Neben Halbleitermaterialien wie GaAs, InP, GaN sind besonders Silizium-basierte (Si, SiGe) Bauelemente von Interesse, die eine kosteneffiziente Integration von Ausleseelektronik und Signalverarbeitung ermöglichen. Silizium-basierte Sensoren erlauben eine hohe System-Integration und ermöglichen Single-Chip Lösungen bei niedrigen Kosten.

67 Résultats www.brl.ntt.co.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Optical Properties of GaAs Quantum Dots Formed in (Al,Ga)As Nanowires
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir brl.ntt.co.jp comme domaine prioritaire	(Al,Ga)Asナノワイヤ中に形成されたGaAs量子ドットの光学特性

4 Résultats www.deib.polimi.it

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	analytical and experimental studies of elemental and compound semiconductor devices (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) and organic devices
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir deib.polimi.it comme domaine prioritaire	studi teorico-sperimentali di dispositivi a semiconduttore semplice e composto (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) e organici

www.soitec.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Acquisition by IntelliEPI of the gallium arsenide (GaAs) epitaxy business from Soitec's Specialty Electronics subsidiary
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir soitec.com comme domaine prioritaire	IntelliEPI acquiert l’activité épitaxie d'arséniure de gallium (GaAs) de la filiale Specialty Electronics de Soitec

3 Résultats www.izm.fraunhofer.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Process steps for GaAs TC bonding
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir izm.fraunhofer.de comme domaine prioritaire	Thermocompression Bonding

3 Résultats www.iis.fraunhofer.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	SiGe and III-V for professional applications: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir iis.fraunhofer.de comme domaine prioritaire	SiGe and III-V für professionelle Anwendungen: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT

4 Résultats akitauinfo.akita-u.ac.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs-pin/Ferroelectric liguid crystal spatial light modulator and its applications
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir akitauinfo.akita-u.ac.jp comme domaine prioritaire	Thresholding Characteristics of an Optically Addressable GaAs-pin/Ferroelectric Liquid Crystal Spatial Light Modulator and Its Applications

2 Résultats www.sunplazahotel.co.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Highly productive compound semiconductor crystals such as GaAs, InP, germanium or CaF2
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir pvatepla.com comme domaine prioritaire	hoch produktiven Verbindungshalbleiterkristallen, wie GaAs, InP, Germanium oder CaF2

15 Résultats www.dailysummit.net

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs nanowires
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir toulouse.lncmi.cnrs.fr comme domaine prioritaire	Nanofils de GaAs

childalert.be

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	In future, spectroscopic methods such as ICP-OES, FAAS and GAAS will predominate in the determination of heavy metals.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ufag-laboratorien.ch comme domaine prioritaire	À l’avenir, le dosage des métaux lourds se fera essentiellement à l’aide de méthodes spectroscopiques de type ICP-OES, FAAS ou GAAS.

6 Résultats www.nims.go.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	COHERENT PHONONS: GaAs
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir nims.go.jp comme domaine prioritaire	コヒーレントフォノン：ガリウム砒素

32 Résultats www.kyosemi.co.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs Photodiodes
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir kyosemi.co.jp comme domaine prioritaire	GaAs光电二极管

2 Résultats www.hkfw.org

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Gaas Oleg
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir bigbilet.ru comme domaine prioritaire	Гаас Олег

2 Résultats www.bacatec.de

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This project focuses on the further development of integrated semiconductor quantum optical circuits in which quantum dot single photon sources, passive optical elements (cavities, waveguides, beam splitters) and superconducting single photon detectors (SSPDs) are combined on a single semiconductor chip. The participating groups at TUM and Stanford pool their expertise in the development of NbN SSPDs (TUM) and the design and realization of GaAs based photonic nanostructures (Stanford).

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Das Ziel dieses Projekts ist die Weiterentwicklung eines auf Halbleiter basierten, quanten-photonischen Schaltkreises, in dem Quantenpunkt-Einzelphotonenemitter, passive optische Elemente (Resonatoren, Wellenleiter, Strahlteiler) und supraleitende, Einzelphotonendetektoren (SSPDs) auf einem gemeinsamen Chip kombiniert werden. Die beiden Partner dieses Projekts, TU München und Stanford University, vereinen darin ihre jeweilige Expertise in der Entwicklung von NbN SSPDs (TUM) und in Design und Entwicklung von GaAs-basierten photonischen Nanostrukturen (Stanford). Die SSPD-Technologie vereint hierbei mehrere Vorteile, wie etwa geringe Größe, hohe Quanteneffizienz, hohe Zeitauflösung, niedrige Dunkelzählrate und große Wellenlängen-Bandbreite. Die grundlegende Machbarkeit dieser NbN/GaAs-Quantenphotonischen-Hybridtechnologie wurde bereits in einem vorangehenden BaCaTeC-Projekt demonstriert. Die Partner werden nun im Rahmen des gegenwärtigen Projekts versuchen den nächsten Schritt, nämlich die deterministische Erzeugung eines photonischen Quantenzustands auf einem gemeinsamen Chip, in Angriff zu nehmen.

40 Résultats toshiba.semicon-storage.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	C-Band Internally Matched Power GaAs FETs
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir toshiba.semicon-storage.com comme domaine prioritaire	Comunicaciones inalámbricas
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir toshiba.semicon-storage.com comme domaine prioritaire	Komunikacja bezprzewodowa

4 Résultats www.futaba-ac.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Broadband GaAs amplifier technology
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir pbnglobal.com comme domaine prioritaire	支持 PBN NMSE 网管软件和 ASMM Web 界面远程管理

12 Résultats www.caminosurf.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Luminescent properties of GaAsBi /GaAs double quantum well heterostructures
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ikz-berlin.de comme domaine prioritaire	Strain Engineering of Monoclinic Domains in KxNa1-xNbO3 Epitaxial Layers: A Pathway to Enhanced Piezoelectric Properties

3 Résultats www.amerikanistik.uni-bayreuth.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	German Association for American Studies (GAAS)
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir amerikanistik.uni-bayreuth.de comme domaine prioritaire	Deutsche Gesellschaft für Amerikastudien (DGfA)

2 Résultats www.perimeterinstitute.ca

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	quantum Hall effect (FQHE). The materials in question include GaAs wide quantum
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir perimeterinstitute.ca comme domaine prioritaire	interactions in a number of low-dimensional systems exhibiting the fractional

2 Résultats www.alphaitalia.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	In 1994 Eesti Gaas sold the shares of the state-owned company Propaan to a joint-stock company BKM Kamma, which was dealing with an import of liquefied gas to Estonia at that time.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir propaan.ee comme domaine prioritaire	1994. a müüs Eesti Gaas riikliku aktsiaseltsi Propaan aktsiad aktsiaseltsile BKM Kamma, kes tegeles tollal vedelgaasi sisseveoga Eestisse.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir propaan.ee comme domaine prioritaire	В 1994г Eesti Gaas продал акции государственного предприятия Propaan акционерному обществу BKM Kamma, которое на тот момент занималось импортом сжиженного газа в Эстонию.

7 Résultats www.akm.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs (Low Drift)
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir akm.com comme domaine prioritaire	GaAs（低ドリフト）

4 Résultats parl.gc.ca

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Rather than being given the ability to override GAAP and GAAS, OSFI can, we believe, continue to receive information to make decisions relative to capital adequacy through the provision of separate reporting.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir parl.gc.ca comme domaine prioritaire	Plutôt que de donner au BSIF la possibilité de déroger aux PCGR et aux NVGR, nous pensons qu'on devrait au contraire lui permettre de continuer à recevoir des informations lui permettant de se prononcer sur le caractère adéquat ou non du capital sous forme de rapports distincts.

2 Résultats www.acoa-apeca.gc.ca

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	ACOA will ensure consistency in the understanding and application of the annual reviews related to external auditors’ management letters from CBDCs which are a requirement of generally accepted auditing standards (GAAS) and also our contribution agreements.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir acoa-apeca.gc.ca comme domaine prioritaire	Réponse de la direction: Accueillie favorablement. L’APECA assurera l’uniformité concernant la compréhension et l’application des examens annuels liés aux lettres des vérificateurs externes à l’intention de la direction provenant des CBDC, lesquelles sont exigées en vertu des normes de vérification généralement reconnues (NVGR) et aussi des ententes de contribution.

www.croftport.com

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The extremely high process stability realized by this way of working is the supposition for high First Pass Yields (FPY) and volume on one side, but for TESAT the decisive point is to satisfy highest quality requirements in space projects with low volume. Existing production experience is 67,000 highly integrated TRX-RF-modules using LTCC-multilayer-technology and includes attach of roughly 890,000 GaAs-MMICs.

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Die bestehende Produktionserfahrung umfasst 67.000 hoch integrierte TRX-RF-Module in LTCC-Mehrlagen-Technologie und die Verarbeitung von 890.000 Gallium-Arsenid-MMICs. Dieses Volumen wurde bei einem First Pass Yield (FPY) von >90 % gefertigt. Neueste Prozessentwicklungsschritte versprechen einen stabilen FPY von >95 %.

15 Résultats petroleleger.ca

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Information Gaas (Eberau)
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11 Résultats posada-real-puerto-escondido-puerto-escondido.hotelspuertoescondido.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Cruising in Gaas
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Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir gays-cruising.com comme domaine prioritaire	Battuage a Gaas
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir gays-cruising.com comme domaine prioritaire	Pegação em Gaas
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir gays-cruising.com comme domaine prioritaire	Cruisen in Gaas

www.st-barths.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Kick-off Les Voiles de Saint Barth 2012 Caribbean regatta in the magical French West Indies sailing paradise! Today the prestigious and top-class Caribbean sailing regatta Les Voiles de St. Barth 2012 with Gaastra Sportswear as the official partner starts: At the third edition run...
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir st-barths.com comme domaine prioritaire	Tempête Tropicale MARIA : St Barth et St Martin en vigilance ORANGE. A 11 heures locales, le centre est localisé par 14.2 Nord et 57.5 Ouest soit à environ 717 km au sud est de larchipel des îles du nord.. Caractéristiques du cyclone Maria : Intensité du cyclone : Tempête Tropicale Vent...

www.cap.ca

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The high precision light scattering technique has been important in advancing the physics of low-dimensional semiconductor structures in Canada. Lockwood’s measurements demonstrated opening of gaps in phonon bands in Si/SiGe and GaAs/GaAlAs superlattices grown at the NRC.

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M. Lockwood a largement contribué au domaine de la diffusion inélastique de la lumière appliquée à l’élucidation des excitations électroniques des solides magnétiques. Le livre sur la diffusion de la lumière dans les solides magnétiques (Light scattering in magnetic solids), dont M. Cottam est coauteur, est devenu un ouvrage de référence en ce domaine. La technique de diffusion de la lumière à haute précision a été importante pour l’avancement de la physique des structures de semi-conducteurs de faibles dimensions au Canada. Les mesures de M. Lockwood ont démontré l’ouverture d’intervalles de bande de phonons dans les super-réseaux Si/SiGe et GaAs/GaAlAs, mis au point au CNRC. Ses expériences électroniques de résonance Raman étaient parmi les premières à démontrer les phonons et les excitations électroniques quantifiées dans des structures de dimension zéro, points quantiques des semiconducteurs.

salanguages.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) overcome the limitations of silicon microchips and opens a new era in the design of electronic components, which are integrated circuits that operate in the microwave frequency. These types of circuits are based on semiconductor compounds, such as Gallium Arsenide (GaAs), which downsize dramatically, up to 1 - 10 mm2.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir televes.es comme domaine prioritaire	As far as TV distribution, Televes will complete the range of successful T.0X headends with the presentation of HEXA, compact transmodulators that can allocate up to six satellite transponders into six independent QAM channels. The company will also announce new references for NevoSwitch multiswitches for potential scenarios involving the transition from DBV-T to DVB-T2.

www.adco.gr

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	There is a great breadth of semiconductors on the market. The most important features here include: Silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) or gallium arsenide (GaAs). Which of these semiconductors are best will be determined by the material properties, the requirements to the device and the costs.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir schupp-ceramics.com comme domaine prioritaire	Il existe un très grand éventail de semi-conducteurs sur le marché. Les matériaux les plus importants comprennent ici : Le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC), le nitrure de gallium (GaN) ou l’arséniure de gallium (GaAs). Les caractéristiques du matériau, les exigences de l’appareil et les coûts déterminent quel semi-conducteur est le plus adapté. Chacune de ces matières s’est établie dans sa propre niche.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir schupp-ceramics.com comme domaine prioritaire	Auf dem Markt gibt es eine sehr große Bandbreite von Halbleitern. Zu den wichtigsten Materialien gehören hier: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) oder Galliumarsenid (GaAs). Welche dieser Halbeiter am besten geeignet sind, entscheiden die Materialeigenschaften, die Anforderungen des Geräts und die Kosten. Jeder dieser Stoffe hat sich in seiner Nische etabliert.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir schupp-ceramics.com comme domaine prioritaire	Existe una gama muy amplia de semiconductores en el mercado. Los materiales más importantes incluyen: Silicio (Si), carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN) o arseniuro de galio (GaAs). Cuál de estos materiales es el más adecuado, lo deciden las propiedades del material, los requisitos del dispositivo y los costes. Cada una de estas sustancias se ha consolidado en su nicho.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir schupp-ceramics.com comme domaine prioritaire	La gamma dei semiconduttori disponibili sul mercato è molto ampia. I materiali più importanti sono silicio (Si), carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN) o arseniuro di gallio (GaAs). L'individuazione dei semiconduttori più adeguati dipende dalle proprietà del materiale, dai requisiti dell'apparecchio e dai costi. Ognuno di questi materiali si è affermato in una propria nicchia.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir schupp-ceramics.com comme domaine prioritaire	Existe uma gama muito ampla de semicondutores no mercado. Os materiais mais importantes incluem: Silício (Si), carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN) ou arsenieto de gálio (GaAs). As propriedades do material, os requisitos do dispositivo e o custo decidem quais destes materiais são os mais adequados. Cada uma destas substâncias tem o seu próprio nicho de mercado.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir schupp-ceramics.com comme domaine prioritaire	На рынке представлен очень большой выбор полупроводников. Наиболее важными материалами являются: кремний (Si), карбид кремний (SiC), нитрид галлия (GaN) или арсенид галлия (GaAs). Какие из этих полупроводников подходят лучше всего, зависит от свойств материала, требований к устройству и стоимости. Каждый из этих материалов нашел признание в своей области.

www.emeriti-of-excellence.tum.de

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The mainfocus areas of recent work in this field is on the possible uses of spin propertiesin semiconductors, as well as in the realization of hetero-nanowires. Abstreiter’steam succeeded in giving a functional demonstration of a GaAs based nanowirelaser built directly on silicon.

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Als Autor von über 600 wissenschaftlichen Publikationen ist Gerhard Abstreiter ein international bekannter Spitzenforscher im Bereich der Halbleiterphysik. Von ihm stammen bahnbrechende Beiträge zur Bestimmung der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von Halbleiter-Nanostrukturen sowie zur Molekularstrahlepitaxie für die Realisierung höchstreiner Hetero- und Nanostrukturen. Seit der Gründung des Walter Schottky Instituts durch Gerhard Abstreiter (1988) gilt seine Arbeitsgruppe als weltweit führend in der Erforschung von Halbleiter-Nanostrukturen. Er hat das Gebiet der niederdimensionalen Elektronensysteme begründet und weltweit anerkannte Pionierarbeit auf vielen Gebieten geleistet. Dies gilt für die ersten Bestimmungen der Ladungsträgereigenschaften in Silizium MOSSystemen ebenso wie für seine bahnbrechende Entdeckung, dass sich in Silizium- Germanium durch Verspannung hochbewegliche Elektrongase erzeugen lassen. Gerhard Abstreiters Erkenntnisse werden heute in fast allen komplexen mikroelektronischen Schaltkreisen ausgenutzt und waren Basis seiner Erfindung eines Heterostruktur-Feldeffekt-Transistors, der z. B. als rauscharmer Vorverstärker in Satellitenantennen und mobilen Telefonen Anwendung findet. Das Gebiet der Halbleiter-Quantenpunkte hat er durch den ersten spektroskopischen Nachweis der diskreten Schalenstruktur der Elektronen und Exzitonen begründet und zur Blüte gebracht. Schwerpunkte neuerer Arbeiten liegen in möglichen Anwendungen von Spineigenschaften in Halbleitern, sowie der Realisierung von Hetero-Nanodrähten. Abstreiters Arbeitsgruppe gelang die Demonstration eines GaAs basierten Nanowire Lasers, der direkt auf Silizium aufgewachsen wurde. Seine vielfältigen Aktivitäten umfassen auch die Manipulation von DNA auf Goldoberflächen sowie die Entwicklung halbleiterbasierender Bauteile zur Anwendung in der Biosensorik und der molekularen Elektronik. Für seine Leistungen auf dem Gebiet der Halbleiterphysik und der Nanowissenschaften wurde Gerhard Abstreiter vielfach ausgezeichnet und weltweit hohe Anerkennung zuteil.

www.cfpc.ca

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Gaas, Masoud
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir cfpc.ca comme domaine prioritaire	Edmonton, AB

www.hepp.ch

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Unintentional High-Density p-Type Modulation Doping of a GaAs/AlAs Core–Multishell Nanowire
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir lncmi.cnrs.fr comme domaine prioritaire	Fort dopage en trous de coeurs/nanofils multicouches GaAs/AlAs

2 Résultats www.irdq.ca

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Si <111>, Oxide, Nitride, GaAs
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir irdq.ca comme domaine prioritaire	Si <111>, Oxide, Nitrure, GaAs

5 Résultats www.chemie.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Direct integration of subwavelength structure on a GaAs solar cell by using colloidal lithography and dry etching process
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir chemeurope.com comme domaine prioritaire	04.04.2013 \| Dae-Seon Kim, Sung-Hwa Eo, and Jae-Hyung Jang, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2013

2 Résultats www.nj-chishun.com

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Strong electric fields: Reheating electron gas. Drift velocity saturation in Ge, Si. Interband transitions in GaAs, negative differential conductivity. Drift velocity “splash”. Gunn effect. Electrostatic ionization.

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ПРОЦЕССЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ: Разогрев электронного газа. Насыщение дрейфовой скорости в Ge, Si. Междолинные переходы в GaAs, отрицательная дифференциальная проводимость. "Всплеск" дрейфовой скорости. Эффект Ганна. Электростатическая ионизация, эффект Зинера. Термоэлектронная ионизация. Автоэлектронная эмиссия, острийные катоды. Лавинные процессы:

2 Résultats www.tobelisa.be

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4 Résultats www.ioap.tu-berlin.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Atomic structure of closely stacked InAs submonolayer depositions in GaAs
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ioap.tu-berlin.de comme domaine prioritaire	T. Niermann, F. Kießling, M. Lehmann, J.-H. Schulze, T.D. Germann, K. Pötschke, A. Strittmatter, and U.W. Pohl

breathefree.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	G. Bussone, H. Schäfer-Eberwein, E. Dimakis, A. Biermanns, D. Carbone, A. Tahraoui, L. Geelhaar, P. Haring Bolívar, T. U. Schülli, and U. Pietsch "Correlation of Electrical and Structural Properties of Single As-Grown GaAs Nanowires on Si (111) Substrates," Nano Letters vol.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir hqe.eti.uni-siegen.de comme domaine prioritaire	G. Bussone, H. Schäfer-Eberwein, E. Dimakis, A. Biermanns, D. Carbone, A. Tahraoui, L. Geelhaar, P. Haring Bolívar, T. U. Schülli, and U. Pietsch "Correlation of Electrical and Structural Properties of Single As-Grown GaAs Nanowires on Si (111) Substrates," Nano Letters vol. 15, 2 , pp. 981-989 (2015) [doi.org] [www] [BibTeX]

14 Résultats www.scubaqua.com

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Electrical Transport in Low Dimensional Systems Fabricated in a (110) GaAs Quantum Well, Tomohiro Nakagawa, Rio Fukai, Yuji Sakai, Haruki Kiyama, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,and Akira Oiwa，International School and Symposium on nanoscale transport and photonics (ISNTT2017), NTT Atsugi R&D Center, Atsugi Kanagawa, JAPAN, Nov 13-17, 2017, 2017.11, International Conference(Non Proceeding)

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Electrical Transport in Low Dimensional Systems Fabricated in a (110) GaAs Quantum Well，Tomohiro Nakagawa, Rio Fukai, Yuji Sakai, Haruki Kiyama, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,and Akira Oiwa，International School and Symposium on nanoscale transport and photonics (ISNTT2017), NTT Atsugi R&D Center, Atsugi Kanagawa, JAPAN, Nov 13-17, 2017，2017年11月，国際会議（proceedingsなし）

4 Résultats ackordscentralen.se

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The speed of optical switches is limited by the properties of the underlying materials. In modern science and technology, cavities fabricated from semiconductor materials such as GaAs and AlAs have become highly popular.

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De snelheid van de optische schakelaars wordt beperkt door de eigenschappen van de onderliggende materialen. In moderne wetenschap en technologie worden vaak halfgeleidende materialen zoals GaAs en AlAs gebruikt met kleine holtes erin. Die kunnen op een schaal van enkele micrometers gemaakt worden (slechts één honderdste van de dikte van een mensenhaar). Deze 'microholtes' kunnen geïntegreerd worden op chips, maar ze worden ook gebruikt om e-mail, internet en Tv-signalen te verzenden als optische signalen.

4 Résultats www.lumasenseinc.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	FOT and GaAs Probes
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir lumasenseinc.com comme domaine prioritaire	Instruments and Packages
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir lumasenseinc.com comme domaine prioritaire	Instrumentos e componentes
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir lumasenseinc.com comme domaine prioritaire	Tank Wall Plate

5 Résultats www.morinagamilk.co.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	The resulting structure is free from dislocations at the interfaces as long as the liquid gold nanodroplet measures less than 40 nm. The researchers are now working on growing GaAs on InAs. They plan to use the technique to grow nanowires with integrated quantum dots that can be positioned at will for new photonic transmitters.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir minatec.org comme domaine prioritaire	La structure ne présente aucune dislocation aux interfaces quand le diamètre de la nanogoutte d’or est inférieur à 40 nm. Les chercheurs travaillent désormais sur la croissance de GaAs sur InAs. Ils réaliseraient ainsi des boites quantiques intégrées dans des nanofils, positionnées sur demande, pour de nouveaux émetteurs photoniques.

2 Résultats www.zumsteinbock.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	After the antenna input two MGA-81 GaAs MMIC amplifiers follow, one serves the input, the other the output path. The amplifiers ICs can be selected in and out of the signal path by RF switches (SKY13317).
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir wimo.de comme domaine prioritaire	Après l'entrée de l'antenne, deux amplificateurs MMIC MGA-81 GaAs se suivent, l'un sert à l'entrée, l'autre la sortie. Les circuits intégrés des amplificateurs peuvent être sélectionnés dans et hors du parcours du signal par des commutateurs HF (SKY13317).
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir wimo.de comme domaine prioritaire	Dopo l'ingresso dell'antenna sono presenti due amplificatori GaAs MMIC MGA-81, uno serve l'ingresso, l'altro il percorso di uscita. Gli IC amplificatori possono essere inseriti o esclusi dal percorso del segnale tramite gli interruttori RF (SKY13317).

2 Résultats www.unibas.ch

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Art view of a semiconductor InAs/GaAs quantum dot (In, Ga and As respectively in yellow, blue and purple). Two remote nuclear spins (yellow arrows) are coupled via the spin of an electron delocalized over the quantum dot (red).
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir unibas.ch comme domaine prioritaire	Illustration eines Halbleiter-Quantenpunkts aus Indiumarsenid/Galliumarsenid (Indium, Gallium, Arsen in gelb, blau und lila). Zwei entferne Kernspins (gelbe Pfeile) sind durch den Spin eines Elektrons miteinander gekoppelt, das um die Atome im roten Bereich kreist. (Bild: Universität Basel, Departement Physik)

2 Résultats nb.lv

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	ABTF's mandate is to carry out all of your audit and year end financial statement needs efficiently in accordance with French GAAS and International Audit Standards (ISAs). In doing so, we tailor our services to each client's individual needs.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir abtf-france.com comme domaine prioritaire	ABTF garantiert Ihnen eine effiziente Durchführung der Jahresabschlussprüfung nach französischem und internationalem Recht. Dabei orientieren wir uns an den Belangen jedes einzelnen Mandanten und betreuen Sie somit das ganze Jahr und nicht nur zur Jahresabschlussprüfung.

www.saltmoney.org

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Dr. Christoph Hassel received one of the Sparkasse Duisburg awards for outstanding dissertations. The title of his dissertation was “Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf GaAs(110)”.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir forschungsbericht.uni-due.de comme domaine prioritaire	Einen der Preise der Sparkasse Duisburg für herausragende Dissertationen hat Dr. Christoph Hassel erhalten. Das Thema der Dissertation  lautet „Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf GaAs(110)“.

www.lenntech.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Analog integrated circuits are the most common application for gallium, with optoelectronic devices (mostly laser diodes and light-emitting diodes) as the second largest end use. Gallium has semiconductor properties, especially as gallium arsendite (GaAs).
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir lenntech.com comme domaine prioritaire	Reines Gallium ist keine schädliche Substanz bei Hautkontakt durch den Menschen. Es wird häufig berührt, weil man davon beeindruckt ist, dass es in der Hand schmilzt, woraufhin es Flecken auf dieser hinterlässt. Die radioaktive Verbindung 67-Ga-Citrat kann sogar in den Körper eingespritzt werden und für Galliumabtastung ohne schädliche Effekte benutzt werden. Obgleich es nicht schädlich ist, sollte Gallium nicht in großen Dosen gebraucht werden.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir lenntech.com comme domaine prioritaire	El galio es semejante químicamente al aluminio. Es anfótero, pero poco más ácido que el aluminio. La valencia normal del galio es 3+ y forma hidróxidos, óxidos y sales. El galio funde al contacto con el aire cuando se calienta a 500ºC (930ºF). Reacciona vigorosamente con agua hirviendo, pero ligeramente con agua a temperatura ambiente. Las sales de galio son incoloras; se preparan de manera directa a partir del metal, dado que la purificación de éste es más simple que la de sus sales.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir lenntech.com comme domaine prioritaire	Circuiti integrati analogici costituiscono l'impiego più comune del gallio, insieme ai dispositivi optoelettronici (soprattutto diodi laser e diodi luminescenti) che sono il secondo inpiego piu' diffuso del gallio. Il gallio ha proprietà semiconduttrici, particolarmente in forma di arsendite di gallio (GaAs), che e' in grado di convertire elettricita' in luce ed è usata nei diodi luminescenti (LED) per la visualizzazione elettronica e di orologi.

14 Résultats www.satohshuzo.co.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Now accepting GAAS Scholarship applications!
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir aiacanada.com comme domaine prioritaire	Date limite : le 15 juin 2016

5 Résultats www.lelieuunique.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Highly uniform, multi-stacked InGaAs/GaAs quantum dots embedded in a GaAs nanowire
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir qdot.iis.u-tokyo.ac.jp comme domaine prioritaire	Effect of metal side claddings on emission decay rates of single quantum dots embedded in a sub-wavelength semiconductor waveguide

hc-sc.gc.ca

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Gallium arsenide (GaAs)
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir hc-sc.gc.ca comme domaine prioritaire	Arseniure de gallium

2 Résultats www.philhist.uni-augsburg.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	German Association for American Studies (GAAS)
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir philhist.uni-augsburg.de comme domaine prioritaire	Deutsches Gesellschaft für Amerikastudien (DGfA)

6 Résultats www.lar.lu

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	klienditugi@gaas.ee
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir gaas.ee comme domaine prioritaire	Вся энергия из одного источника

www.vanwylick.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Promotion of local initiatives for natural resource protection (PILPRN project), implemented by the NGO GAAS MALI.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir staging.gcca.eu comme domaine prioritaire	Le Développement de la filière gomme arabique dans la région de Kayes est mis en œuvre par l’ONG AVSF.

www.jaxa.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs Solar Cell - Flexible Solar Paddle: Approx. 5.3kW(EOL)
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir jaxa.jp comme domaine prioritaire	楕円軌道：2日9周回準回帰軌道（当初計画：静止衛星軌道（東経121度））

signon-project.eu

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His key contributions are development of the Poisson brackets method of design of nonimaging optics, the development of the SMS design method for nonimaging optics, the first rigorous proof of the Edge Ray Principle for continuous systems, the introduction of a new etendue invariant in the field (for 2D-subdomains of phase space) in nonimaging optics, the calculation of the thermodynamic limits of concentration for non-homogeneous extended sources, and development of the theory and applications of internal and external confinement limits in solar cells, which allowed the construction of a concentration system with GaAs and Si cells

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Miñano ha hecho muchas contribuciones significativas al campo de la óptica sin formación de imagen. Sus trabajos en el área de ópticas para iluminación y concentración son incontables, innovadores y prácticos. Su investigación ha tenido un enorme impacto en el área de los concentradores solares, y en la eficiencia de la iluminación con fuentes LED. Sus contribuciones principales son: el desarrollo del método de diseño de ópticas sin formación de imágenes de lodsparéntesis de Poisson el desarrollo del sistema de diseño SMS para ópticas sin formación de imagen, la primera demostración rigurosa del principio del rayo del borde para sistemas continuos, la introducción de una nueva invariancia en el campo de la eficacia óptica (para subdominios 2D del espacio de fases) en ópticas sin formación de imagen, el cálculo de los límites termodinámicos de la concentración para fuentes extensas no homogéneas, y el desarrollo de la teoría y aplicaciones de los límites de confinamiento interno y externo en células solares, que ha hecho posible la construcción de un sistema de concentración con células de GaAs y Si.

www.eschsintzel.ch

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Since the width of the band gap represents a certain energy corresponding to a particular wavelength, one tries to alter the width selective in order to obtain certain colors of light emitting diodes (LED). This may be achieved by combining different materials. Gallium arsenide (GaAs) has a band gap of 1.4 eV (electron volts, at room temperature) and thus emits red light.

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Da die Breite der Bandlücke einer bestimmten Energie und somit einer bestimmten Wellenlänge entspricht, versucht man, die Bandlücke gezielt zu verändern um so bestimmte Farben bei Leuchtdioden zu erhalten. Dies kann u.a. durch Kombination verschiedener Stoffe erreicht werden. Galliumarsenid (GaAs) hat eine Bandlücke von 1,4 Elektronenvolt (eV, bei Raumtemperatur) und strahlt somit rotes Licht ab.

www.reviveourhearts.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Activities of the department are focused on the characterization of materials and structures destined for use in optoelectronics and microelectronics. Major attention has been paid to III-V materials, binaries GaP, InP, GaAs and GaSb, ternaries InGaP, AlGaAs and quaternary InGaAsP.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ufe.cz comme domaine prioritaire	Výzkumný tým se zaměřuje na studium elektronických a optických jevů na povrchu a rozhraní nanomateriálů vyvolané dopadem fotonů, iontů, elektronů a adsorbcí plynů za účelem jejich využití pro senzorické aplikace, jako zdrojů světelného záření a pro vylepšení nanodiagnostických schopností analytických metod.

www.frontier.phys.nagoya-u.ac.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs Triple Junction cell
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir frontier.phys.nagoya-u.ac.jp comme domaine prioritaire	GaAsトリプルジャンクション型セル

16 Résultats nutritionstudies.org

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire --- quantum dot system for single photon sources
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir man.dtu.dk comme domaine prioritaire	Presented at: Nanostructures: Physics and Technology

2 Résultats j-deite.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	KU PA 10201050-30 A, GaAs-FET Power Amplifier
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir kuhne-electronic.de comme domaine prioritaire	KU PA 510590-10 A, Leistungsverstärker

www.hc-sc.gc.ca

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Gallium arsenide (GaAs)
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www.labussola.mo.it

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Today, ASELSAN’s radar product portfolio includes air defense, reconnaissance and surveillance, airborne imaging and weapon locating radar systems. ASELSAN radar system expertise covers frequency bands L through Ka Band and encompasses advanced radar technologies such as active phased array, GaAs and GaN based Transmit/Receive Modules.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir aselsan.com.tr comme domaine prioritaire	ASELSAN, 1991 yılında alınmış olan Savunma Sanayi İcra Komitesi kararı doğrultusunda ülkemizin Radar Teknoloji Merkezi olarak Silahlı Kuvvetlerimizin radar ihtiyaçlarının gelişmiş teknolojiye sahip radar sistemleri ile karşılanması için bu alandaki faaliyetlerini artırarak sürdürmektedir.

www.lovail.ca

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs and GaP Wafer Scribing
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ipgphotonics.com comme domaine prioritaire	Ritzen von GaAs- und GaP-Wafern
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ipgphotonics.com comme domaine prioritaire	およびGaPウェハーのスクライビング
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ipgphotonics.com comme domaine prioritaire	GaAs 和 GaP晶圆划线

2 Résultats www.neworleanslatours.com

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Its radiation has unconventional (for existing lasers) spectro-dynamical and correlation properties, since it is produced in a low-Q multi-mode resonator, where the lifetime of photons is short compared with the lifetime of an optical polarization of the quantum dots (E. R. Kocharovskaya, V. V. Kocharovsky, Vl. V. Kocharovsky). Such lasers, which are called D-class lasers and have not been realized before, can be made of the GaAs/InGaAs heterostructures with several layers of submonolayer quantum dots.

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Впервые показано также, что на основе последних достижений нанотехнологии выращивания массивов субмонослойных квантовых точек и разработанных в ИПФ методов нелинейной динамической селекции мод благодаря распределенной обратной связи возможно создание уникального сверхизлучающего гетеролазера миллиметровой длины с КПД более 50 %. Он способен генерировать последовательности мощных (мультиваттных) сверхкоротких (пикосекундных) импульсов когерентного излучения при непрерывной инжекционной или оптической накачке в отсутствие специальной синхронизации мод и рассчитан на решение сложных задач динамической спектроскопии и обработки информации. Его излучение обладает необычными (для существующих лазеров) корреляционными и спектрально-динамическими свойствами, поскольку возникает в низкодобротном многомодовом резонаторе, время жизни фотонов в котором мало по сравнению со временем жизни оптической поляризации квантовых точек (Е. Р. Кочаровская, В. В. Кочаровский, Вл. В. Кочаровский). Для подобных лазеров, называемых лазерами класса D и ранее не реализованных, спроектированы (совместно с ФТИ РАН) необходимые GaAs/InGaAs-гетероструктуры с несколькими слоями субмонослойных квантовых точек, обладающие рекордной спектральной и пространственной плотностью состояний с достаточно большим временем релаксации их оптической поляризации.

10 Résultats research02.jimu.kyutech.ac.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	English , Photoluminescence dynamics due to exciton and free carrier transport in GaAs/AlAs superlattices , Physica E , vol.42 (10) (p.2655 - 2657) , 2010.09 , R. Kido,A. Satake,and K. Fujiwara
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir research02.jimu.kyutech.ac.jp comme domaine prioritaire	英語、 Photoluminescence dynamics due to exciton and free carrier transport in GaAs/AlAs superlattices 、 Physica E 、 42巻 10号（頁 2655 ～ 2657）、 2010年09月、 R. Kido,A. Satake,and K. Fujiwara

actualincesttube.org

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	24/11/13 OÜ Head co-operated with AS Eesti Gaas to work out the business plan for...
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir headandlead.com comme domaine prioritaire	04/06/18 Kehtestati Harku Valla ehitustingimusi, miljööväärtuslikke alasid ja...

4 Résultats laurencejenk.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	13. M. M. de Lima, Jr., W. Seidel, F. Alsina and P. V. Santos. Focusing of surface-acoustic-wave fields on [100] GaAs surfaces. Journal of Applied Physics. 94, 7848-7855 (2003).
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ejta.org comme domaine prioritaire	9. A. Gantner, Mathematical modeling and numerical simulation of piezoelectrical agitated surface acoustic waves. Ph.D. Thesis. Faculty of Mathematics and Natural Sciences, University of Augsburg, Germany (2005).

2 Résultats www.whale-watching-label.com

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2 Résultats sprinxinternational.com

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The CHRocodile MI5 sensor is perfectly suited to measure thicknesses of Si and GaAs up to 1mm. Transparent films and coatings can be measured up to a thickness of 2,5 mm. The CHRocodile MI5 modular optical sensor works with infrared light and is perfectly suited for thenon-contact thickness measurement of visually non-transparent materials from one side.

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Der CHRocodile MI5 Sensor misst die Schichtdicke von Silizium und GaAs-Materialien bis zu 1mm. Transparente Folien und Lacke können bis zu einer Schichtdicke von 2,5 mm gemessen werden. Der Sensor arbeitet mit Infrarotlicht und eignet sich perfekt für die berührungslose Dickenmessung auch visuell nicht transparenter Materialien von einer Seite. Für den Industriellen Einsatz können bis zu 5 Kanäle in einem 19˝ Einschub konfiguriert werden.

www.oag-bvg.gc.ca

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EXPERIENCED AUDITOR—An individual (whether internal or external to the office) who has practical audit experience and a reasonable understanding of (i) audit processes, (ii) GAAS and applicable legal and regulatory requirements, (iii) the business environment in which the entity operates, and

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DOSSIER D’AUDIT — Le ou les fichiers ou autres supports d'information, physiques ou électroniques, contenant les documents qui constituent la documentation relative à une mission d'audit donnée. Le terme « dossier d’audit » désigne le fichier électronique (TeamMate) et toute copie papier des dossiers externes qui contiennent la documentation d’audit (y compris les dossiers papier relatifs à des missions pour lesquelles il n’y a pas de dossier de mission électronique).

10 Résultats www.bavariaworldwide.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Goals of the GAAS
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir gaas.dsl.ge comme domaine prioritaire	gaasgeorgia@gmail.com

3 Résultats www.cpab-ccrc.ca

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Specifically, our 2011 inspections found deficiencies in the application of GAAS in firms of all sizes. The Big Four firms, which audit 94 per cent of reporting issuers by market capitalization, had a GAAS deficiency rate of 20-26 per cent on the files we inspected.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir cpab-ccrc.ca comme domaine prioritaire	Ainsi, le travail effectué à l’égard de ces dossiers n’a pas permis d’étayer pleinement l’opinion d’audit, de sorte qu’il a fallu accomplir du travail supplémentaire. Dans quelques cas, l’audit présentait davantage de problèmes fondamentaux, et quelques retraitements ont été nécessaires.

3 Résultats www.tudelft.nl

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The work presented in this thesis is initiated by this major goal of merging III-V semiconductor technology with Si technology. The focus was primitively placed on development of a Si-compatible tool for chemical vapor deposition (CVD) of gallium arsenide (GaAs).

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gebied. Het werk dat gepresenteerd wordt in deze thesis is tot stand gekomen in de licht van dit doel: het samenbrengen van III-V halfgeleider technologie met Si technologie. De focus was eerst gelegd op de ontwikkeling van een Si compatible apparaat voor Chemical VaporDeposition (CVD) van galliumarseen (GaAs). Hiervoor is een Si/SiGe CVD reactor, de ASMI Epsilon 2000, uitgebreid met een TriMethylGallium (TMGa) bubblersysteem met extra buizen om de depositie van zowel GaAs als de standaard Si en SiGe deposities toe te staan. Van groot belang was het toepassen van een lage arseenconcentratie (AsH3): 0.7%, een minstens tien keer zo lage hoeveelheid als wat normaal wordt gebruikt in MOCVDs. De bijbehorende lage concentratie van TMGa betekent dat de vervuiling van de reactor kamer met gallium of arseen zo laag is dat de gebruikelijke hoge kwaliteit van gedopeerd Si- en SiGe-deposities nog steeds kunnen worden behaald in dezelfde reactorkamer. Hierdoor kon het onderzoek gericht op het ontwikkelen van unieke halvegeleidercomponenten waar de samenvoeging van materialen zoals gallium (Ga), arseen (As) en boor (B), met Si en Ge, in een de zelfde reactor, worden bewerkstelligd. Voor het eerst konden depositiecycli met lagen van verschillende combinaties van deze III, IV, V elementen worden uitgevoerd zonder vacuümonderbreking. Dit was belangrijk, niet alleen voor de groei van goede kwaliteit GaAs epitaxie en kristallijn Ge-op-Si, maar ook voor het realiseren van junctiediodes met deze materialen. Voornamelijk de realisatie van p+n Si diodes van uitzonderlijke kwaliteit was mogelijk gemaakt door de depositie van puur gallium (PureGa) of puur boor (PureB) voor het p+ gebied. De combinatie van zowel PureGa als PureB technieken op kristallijn Ge-op-Si is geïmplementeerd voor ideale Ge-op-Si p+n juncties met wereldrecord lage verzadigingsstromen. De term PureGaB is geïntroduceerd voor deze technologie.

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T. Kaizu, Y. Imanaka, K. Takehana, T. Takamasu : “Magnetotransport properties of Ytterbium doped AlxGa1-xAs/GaAs two-dimensional electron systems” EP2DS-18/MSS-14 PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES 42[4] (2010) 1126-1129

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2009/12/12 : 木俣基, 山口尚秀, 薩川秀隆, 原田淳之, 小玉恒太, 寺嶋太一, 宇治進也, 今中康貴, 竹端寛治, 高増正, 今井基晴, 佐藤晃, 松田真生, 田島裕之, 内藤俊雄, 稲辺保, 木方邦宏, 李哲虎, 鬼頭聖, 永崎洋, 伊豫彰, 深澤英人, 小堀洋, 播磨尚朝 : “低次元強相関系の強磁場物性測定” 神戸大学物性研究室セミナー

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Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	The MVV 1296-VOX has two stages to gain enough amplification for longer feed lines, also. The input stage is equipped with a low-noise microwave GaAs FET, the second stage uses a microwave IC (MMIC). The amplification is continuously adjustable, which helps to adjust to particular cable lengths.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir wimo.com comme domaine prioritaire	The MVV 1296-VOX mast pre-amp is a low-noise antenna pre-amplifier in a double-shelled housing. The outer housing made of ABS is weatherproof and suited for mast mounting. The inner metal housing ensures a high shielding factor against unwanted irradiation and protects the components of the amplifier against harmful environmental influences effectively.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir wimo.com comme domaine prioritaire	L'MVV 1296-VOX è un preamplificatore d'antennaa a basso rumore in un alloggiamento a doppia schermatura. L'involucro esterno in ABS è resistente alle intemperie e adatto per il montaggio a palo. Il contenitore metallico interno assicura un elevato fattore di schermatura contro le interferennze e protegge efficacemente i componenti dell'amplificatore dalle condizioni ambientali più estreme.

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Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	S. Koh, T. Kondo, Y. Shiraki, and R. Ito: “GaAs/Ge/GaAs sublattice reversal epitaxy and its application to nonlinear optical devices,” J. Cryst. Growth 227−228 (2001) 183−192.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir castle.t.u-tokyo.ac.jp comme domaine prioritaire	Y. Hase, K. Kumata, S.S. Kano, M. Ohashi, T. Kondo, R. Ito, and Y. Shiraki: “A New Method for Determining the Nonlinear Optical Coefficients of Thin Films,” Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 145−146.

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Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Highly p-typed superlattices consist of undoped InAs and carbon-doped GaAs layers, Kazuo Uchida, Heisuke Kanaya, Hiroshi Imanishi, Atsushi Koizumi, and Shinji Nozaki, 2012.07, Papers
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir dma.jim.osaka-u.ac.jp comme domaine prioritaire	Highly p-typed superlattices consist of undoped InAs and carbon-doped GaAs layers，Kazuo Uchida, Heisuke Kanaya, Hiroshi Imanishi, Atsushi Koizumi, and Shinji Nozaki，2012年07月，学術論文

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gaas – Traduction – Dictionnaire Keybot