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Keybot 1'228 Résultats 230 Domaines

2 Résultats www.czechleaders.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs - Gallium Arsenide
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir crystec.de comme domaine prioritaire	GaAs - Galliumarsenid

www.aaaglassbeads.com

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The study of semiconductor materials has been an important issue since the beginning of CMAM and a large list of IV, III-V and II-VI systems have been analyzed: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc.

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El estudio de materiales semiconductores ha sido un tema importante desde el inicio del CMAM y se han analizado hasta la actualidad un extenso número de sistemas IV, III-V y II-VI: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc. En los últimos años, el CMAM ha estado especialmente involucrado en proyectos para el desarrollo de semiconductores de gap ancho, en colaboración con el ISOM de la Universidad Politécnica de Madrid.

www.airwatec.be

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Very critical are the thermal processes, as for the processing of SiC circuits very high temperature is required, especially for electrical activation of dopants Al, B (p-doping), N or P (n-doping). The furnaces for silicon carbide processing must be able to reach up to 2000°C, while for the production of circuits from silicon or GaAs temperatures up to 1200°C are usually sufficient.

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Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse, da für die Prozessierung von SiC-Schaltkreisen sehr hohe Temperaturen erforderlich sind, insbesondere für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung). Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es Hochtemperatur-Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi2-Heizern bzw. Graphit-Heizern erreichen können.

36 Résultats postmaster.gmx.com

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Most of the previous experiments were conducted at low temperatures because, even though strong coupling can be achieved up to room temperature in GaAs and CdTe systems, their low excitonic stability greatly limits their applications at ambient temperature and / or high density.

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La plupart des expériences précédentes ont été menées à basse température car, même si le couplage fort peut être obtenu jusqu’à température ambiante dans les systèmes GaAs et CdTe, leur faible stabilité excitonique limite fortement leurs applications à température ambiante et/ou sous forte densité de particules. Pour y remédier, il faut développer des matériaux à grande force de liaison excitonique, comme le GaN et le ZnO, qui sont les matériaux de choix au CRHEA.

8 Résultats www.win-archery.com

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Photoluminescence and electroluminescence are also widely used characterisation technique, providing a fast spatial distribution of key properties of semiconductors samples. It was successfully employed to characterise different defects present in SiC pin diodes and to study the uniformity of opto-electronics properties in CIGS, CIS and GaAs solar cells.

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La photoluminescence et l’électroluminescence sont également des techniques de caractérisation largement utilisées, ces dernières peuvent fournir rapidement la distribution spatiale des principales propriétés des échantillons à base de semi-conducteurs. Ces méthodes ont été utilisé avec succès pour caractériser différents défauts présents dans des diodes PIN de SiC et afin d'étudier l'uniformité des propriétés opto-électroniques de cellules solaire à base de CIGS, de CIS et de GaAs.

32 Résultats photo-art-hofmann.fotograf.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	For the detection a 1m additive double monochromator as well as a 0.75 m single UV-monochromator can be used at which, depending on the spectral range, a GaAs-photodiode, a Bi-Alkali-photomultiplier or a multi-channel-plate (MCP) with different cathode materials can be mounted.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ifkp.tu-berlin.de comme domaine prioritaire	Für die Detektion wird ein 1 m additiver Doppelmonochromator, sowie ein 0,75 m einfach UVMonochromator verwendet, an welche je nach Spektralbereich eine GaAs-Photodiode, ein Bi-Alkali-Photmultiplier oder eine Multi-Channel-Plate (MCP) mit verschiedenen Kathodenmaterialien angeschlossen werden kann.

3 Résultats actu.epfl.ch

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs nanowires are grown by a catalyst-free method that guarantees the formation of high quality crystal structures and avoids the use of external metal-catalysts (like Au) that would endanger any device application.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir actu.epfl.ch comme domaine prioritaire	La fonctionnalité de cette hétérostructure originale, qui combine points quantiques et nanofils, a été démontrée par des expériences de photoluminescence à basse température révélant l’activation d’excitons simples et doubles dans les points quantiques.

17 Résultats www.multiplica.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	IMA EL provides spectrally and spatially resolved electroluminescence images. It was successfully used to investigate spatial distribution of optoelectronic properties of CIS, CIGS, GaAs and perovskite solar cells.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir photonetc.com comme domaine prioritaire	IMA EL fourni des images résolues spectralement et spatialement. Cette plateforme a déjà été employée pour l’étude de la distribution spatiale des propriétés opto-électroniques de cellules solaires à base de CIS, CIGS, GaAs et de pérovskite.

7 Résultats goldenbyte.org

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Tags: blue corridor @enblue corridor eesti gaascng stationeesti gaaseesti gaas cngeesti gaas estoniaeesti gaas gazpromRaul KotovRaul Kotov eesti gaasTallinn cngTartu cng
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ngvjournal.com comme domaine prioritaire	Tags: blue corridor 2014 @esEesti Gaas @esEesti Gaas estonia @esEesti Gaas gnvestacion de biometano @esestacion de gasestacion de gnv @esestonia gnv @esRaul Kotov @esRaul Kotov eesti gaas @estallin gnvtartu gnv

energia.elmedia.net

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	International experts from public and private sectors will gather at the 4th Annual Baltic Energy Summit sponsored by Gasum, Eesti Gaas, Roedl & Partner, Fortum, E.ON Ruhrgas, ABB and Vopak ...
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir energia.elmedia.net comme domaine prioritaire	Топлофикация София ЕАД предлага в бизнес плана за тази година програма за стабилизиране на производството и модернизация на съоръженията в топлоизточниците. ...

3 Résultats www.izm.fraunhofer.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Process steps for GaAs TC bonding
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir izm.fraunhofer.de comme domaine prioritaire	Thermocompression Bonding

www.truenorthinsight.org

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Established semiconductor materials like GaAs, InP, and GaN, silicon-based (Si, SiGe) are of special interest, as they allow the additional integration of electronic read-out circuitry and signal processing.

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Ziel dieses Teilprojektes ist die Entwicklung und grundlegende Evaluierung von THz-Detektoren, die eine Realisierung von kompakten THz-Kamerasystemen ermöglichen. Dabei sollen transistorbasierte Konzepte und bolometrische Ansätze untersucht werden. Entsprechende Detektoren und Hochfrequenzschaltungen werden es erlauben, THz-Signale mit hoher Effizienz und Bandbreite zu detektieren. Es sollen neuartige Detektionskonzepte für bildgebende THz-Systeme realisiert werden. Neben Halbleitermaterialien wie GaAs, InP, GaN sind besonders Silizium-basierte (Si, SiGe) Bauelemente von Interesse, die eine kosteneffiziente Integration von Ausleseelektronik und Signalverarbeitung ermöglichen. Silizium-basierte Sensoren erlauben eine hohe System-Integration und ermöglichen Single-Chip Lösungen bei niedrigen Kosten.

32 Résultats www.kyosemi.co.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs Photodiodes
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir kyosemi.co.jp comme domaine prioritaire	GaAs光电二极管

4 Résultats akitauinfo.akita-u.ac.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs-pin/Ferroelectric liguid crystal spatial light modulator and its applications
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir akitauinfo.akita-u.ac.jp comme domaine prioritaire	Thresholding Characteristics of an Optically Addressable GaAs-pin/Ferroelectric Liquid Crystal Spatial Light Modulator and Its Applications

67 Résultats www.brl.ntt.co.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Optical Properties of GaAs Quantum Dots Formed in (Al,Ga)As Nanowires
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir brl.ntt.co.jp comme domaine prioritaire	(Al,Ga)Asナノワイヤ中に形成されたGaAs量子ドットの光学特性

2 Résultats www.hkfw.org

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Gaas Oleg
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir bigbilet.ru comme domaine prioritaire	Гаас Олег

4 Résultats www.deib.polimi.it

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	analytical and experimental studies of elemental and compound semiconductor devices (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) and organic devices
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir deib.polimi.it comme domaine prioritaire	studi teorico-sperimentali di dispositivi a semiconduttore semplice e composto (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) e organici

3 Résultats www.iis.fraunhofer.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	SiGe and III-V for professional applications: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir iis.fraunhofer.de comme domaine prioritaire	SiGe and III-V für professionelle Anwendungen: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT

www.soitec.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Acquisition by IntelliEPI of the gallium arsenide (GaAs) epitaxy business from Soitec's Specialty Electronics subsidiary
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir soitec.com comme domaine prioritaire	IntelliEPI acquiert l’activité épitaxie d'arséniure de gallium (GaAs) de la filiale Specialty Electronics de Soitec

2 Résultats www.sunplazahotel.co.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Highly productive compound semiconductor crystals such as GaAs, InP, germanium or CaF2
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir pvatepla.com comme domaine prioritaire	hoch produktiven Verbindungshalbleiterkristallen, wie GaAs, InP, Germanium oder CaF2

childalert.be

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	In future, spectroscopic methods such as ICP-OES, FAAS and GAAS will predominate in the determination of heavy metals.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ufag-laboratorien.ch comme domaine prioritaire	À l’avenir, le dosage des métaux lourds se fera essentiellement à l’aide de méthodes spectroscopiques de type ICP-OES, FAAS ou GAAS.

15 Résultats www.dailysummit.net

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs nanowires
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir toulouse.lncmi.cnrs.fr comme domaine prioritaire	Nanofils de GaAs

6 Résultats www.nims.go.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	COHERENT PHONONS: GaAs
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir nims.go.jp comme domaine prioritaire	コヒーレントフォノン：ガリウム砒素

5 Résultats researchers.adm.konan-u.ac.jp

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	English , “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著） , Phys. Rev. B , vol.61 (8) (p.5535 - 5539) , 2000 , T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir researchers.adm.konan-u.ac.jp comme domaine prioritaire	英語、 “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著）、 Phys. Rev. B 、 61巻 8号（頁 5535 ～ 5539）、 2000年、 T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.

2 Résultats www.bacatec.de

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This project focuses on the further development of integrated semiconductor quantum optical circuits in which quantum dot single photon sources, passive optical elements (cavities, waveguides, beam splitters) and superconducting single photon detectors (SSPDs) are combined on a single semiconductor chip. The participating groups at TUM and Stanford pool their expertise in the development of NbN SSPDs (TUM) and the design and realization of GaAs based photonic nanostructures (Stanford).

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Das Ziel dieses Projekts ist die Weiterentwicklung eines auf Halbleiter basierten, quanten-photonischen Schaltkreises, in dem Quantenpunkt-Einzelphotonenemitter, passive optische Elemente (Resonatoren, Wellenleiter, Strahlteiler) und supraleitende, Einzelphotonendetektoren (SSPDs) auf einem gemeinsamen Chip kombiniert werden. Die beiden Partner dieses Projekts, TU München und Stanford University, vereinen darin ihre jeweilige Expertise in der Entwicklung von NbN SSPDs (TUM) und in Design und Entwicklung von GaAs-basierten photonischen Nanostrukturen (Stanford). Die SSPD-Technologie vereint hierbei mehrere Vorteile, wie etwa geringe Größe, hohe Quanteneffizienz, hohe Zeitauflösung, niedrige Dunkelzählrate und große Wellenlängen-Bandbreite. Die grundlegende Machbarkeit dieser NbN/GaAs-Quantenphotonischen-Hybridtechnologie wurde bereits in einem vorangehenden BaCaTeC-Projekt demonstriert. Die Partner werden nun im Rahmen des gegenwärtigen Projekts versuchen den nächsten Schritt, nämlich die deterministische Erzeugung eines photonischen Quantenzustands auf einem gemeinsamen Chip, in Angriff zu nehmen.

www.adco.gr

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	There is a great breadth of semiconductors on the market. The most important features here include: Silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) or gallium arsenide (GaAs). Which of these semiconductors are best will be determined by the material properties, the requirements to the device and the costs.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir schupp-ceramics.com comme domaine prioritaire	Il existe un très grand éventail de semi-conducteurs sur le marché. Les matériaux les plus importants comprennent ici : Le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC), le nitrure de gallium (GaN) ou l’arséniure de gallium (GaAs). Les caractéristiques du matériau, les exigences de l’appareil et les coûts déterminent quel semi-conducteur est le plus adapté. Chacune de ces matières s’est établie dans sa propre niche.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir schupp-ceramics.com comme domaine prioritaire	Auf dem Markt gibt es eine sehr große Bandbreite von Halbleitern. Zu den wichtigsten Materialien gehören hier: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) oder Galliumarsenid (GaAs). Welche dieser Halbeiter am besten geeignet sind, entscheiden die Materialeigenschaften, die Anforderungen des Geräts und die Kosten. Jeder dieser Stoffe hat sich in seiner Nische etabliert.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir schupp-ceramics.com comme domaine prioritaire	Existe una gama muy amplia de semiconductores en el mercado. Los materiales más importantes incluyen: Silicio (Si), carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN) o arseniuro de galio (GaAs). Cuál de estos materiales es el más adecuado, lo deciden las propiedades del material, los requisitos del dispositivo y los costes. Cada una de estas sustancias se ha consolidado en su nicho.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir schupp-ceramics.com comme domaine prioritaire	La gamma dei semiconduttori disponibili sul mercato è molto ampia. I materiali più importanti sono silicio (Si), carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN) o arseniuro di gallio (GaAs). L'individuazione dei semiconduttori più adeguati dipende dalle proprietà del materiale, dai requisiti dell'apparecchio e dai costi. Ognuno di questi materiali si è affermato in una propria nicchia.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir schupp-ceramics.com comme domaine prioritaire	Existe uma gama muito ampla de semicondutores no mercado. Os materiais mais importantes incluem: Silício (Si), carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN) ou arsenieto de gálio (GaAs). As propriedades do material, os requisitos do dispositivo e o custo decidem quais destes materiais são os mais adequados. Cada uma destas substâncias tem o seu próprio nicho de mercado.
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir schupp-ceramics.com comme domaine prioritaire	На рынке представлен очень большой выбор полупроводников. Наиболее важными материалами являются: кремний (Si), карбид кремний (SiC), нитрид галлия (GaN) или арсенид галлия (GaAs). Какие из этих полупроводников подходят лучше всего, зависит от свойств материала, требований к устройству и стоимости. Каждый из этих материалов нашел признание в своей области.

4 Résultats www.futaba-ac.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Broadband GaAs amplifier technology
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir pbnglobal.com comme domaine prioritaire	支持 PBN NMSE 网管软件和 ASMM Web 界面远程管理

12 Résultats www.caminosurf.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	Luminescent properties of GaAsBi /GaAs double quantum well heterostructures
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir ikz-berlin.de comme domaine prioritaire	Strain Engineering of Monoclinic Domains in KxNa1-xNbO3 Epitaxial Layers: A Pathway to Enhanced Piezoelectric Properties

7 Résultats www.akm.com

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	GaAs (Low Drift)
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir akm.com comme domaine prioritaire	GaAs（低ドリフト）

3 Résultats www.amerikanistik.uni-bayreuth.de

Montrer texte Montrer source en cache Montrer URL avec texte source	German Association for American Studies (GAAS)
Comparer pages textes Comparer pages HTM Montrer URL avec texte source Montrer URL avec langue cible Définir amerikanistik.uni-bayreuth.de comme domaine prioritaire	Deutsche Gesellschaft für Amerikastudien (DGfA)

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gaas – Traduction – Dictionnaire Keybot