ion – Übersetzung – Keybot-Wörterbuch

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  High-energy-ion-implant...  
High-energy-ion-implantation
Hochenergie-Ionenimplantation
  Diffusion of H bearing ...  
RUB » RUBION » Workgroups » Ion Beam Analysis and Material Modification » Projects » Diffusion of H bearing species in silicate glasses at low temperatures - development of a new experimental technique
RUB » RUBION » Arbeitsgruppen » Ionenstrahlanalyse und Materialmodifikation » Projekte » Diffusion von H haltigen Spezies in Silikatglas - Entwicklung einer neuen experimentellen Technik
  In-depth practical »Sup...  
Two-day practical course on the topics Scanning Ion Conductance Micorscopy (SICM) and Stimulated Emission Depletion (STED) Microscopy. The course is organized by the Departments of Biochemistry.
Zweitägiges Praktikum mit den Themen Scanning Ion Conductance Microscopy (SICM, auf deutsch "Raster-Ionenleitfähigkeitsmikroskopie") und Stimulated Emission Depletion (STED) Mikroskopie. Die Organisation erfolgt über die Lehrstühle der Biochemie,
  Producing Ti-bearing qu...  
RUB » RUBION » Workgroups » Diffusion in Minerals and Melts » Projects » Producing Ti-bearing quartz by ion-implantation for use as secondary standard in electron microprobe analysis
RUB » RUBION » Arbeitsgruppen » Diffusion in Mineralien und Schmelzen » Projekte » Herstellung von Ti-haltigem Quarz durch Ionen-Implantation als Sekundärstandard für die Elektronenstrahl-Mikroanalyse
  Industry Implantation ...  
RUBION and the rubitec GmbH carry out ion irradiations in the MeV range on behalf of the customer. There is a wide range of different ions available. The available energy and dose range depends on the respective species and the wafer size.
RUBION und die rubitec GmbH führen im Kundenauftrag Ionenbestrahlungen im MeV Bereich durch. Dabei steht ein großes Spektrum an unterschiedlichen Ionen zur Verfügung. Der verfügbare Energie- und Dosisbereich ist dabei von der jeweiligen Spezies und der Wafer-Größe abhängig. Die Möglichkeiten werden von uns anwendungsabhängig auf Anfrage ermittelt.
  32P-Implanter ...  
The ion beam is generated by an electron-cyclotron resonance ion source (ECRIS) which contains 32P, which has been generated by neutron activation. The typical acceleration voltage is 60kV, which allows to implant, depending on the target material, into depths down to 100nm.
Der Implanter ist mit einer ECRIS (Elektron-Cyclotron-Resonanz-Ionsource) als Ionenquelle ausgestattet, die das mittels Neutronenaktivierung erzeugte 32P enthält. Mit einer Beschleunigungsspannung von typischerweise 60 kV wird ein Ionenstrahl erzeugt, der über Flächen von mehreren Quadratzentimetern gerastert werden kann, wodurch eine lateral homogen Verteilung erreicht wird. Die Eindringtiefen liegen je nach Material bei bis zu 100 nm. Mittels einer Online-Messung der Betastrahlung wird der Aktivitätsanstieg der Proben während der Implantation überwacht.
  NV10 Endstation ...  
Through a slot in the disc, the ion current is measured during implantation in a slit cup located behind it. This is connected to the Dosecontroler dc 10-80 and is used for the measurement of the ion dose.
Durch einen Schlitz in der Disc wird der Ionenstrom während der Implantation in einem dahinter befindlichen Slit-Cup gemessen. Dieser ist mit dem Dosecontroler dc 10-80 verbunden und wird für die Messung der Ionendosis genutzt. Es stehen Discs mit Aufnahmen für 100, 125, 150 und 200 mm Wafer zur Verfügung.
  NV10 Endstation ...  
The ion beam passes through a diagnostic unit at the entrance to the chamber. This consists of a Faraday Cup (centering cup). The undeflected beam is bundled and centered in the Faraday Cup.
Der Ionenstrahl passiert am Eingang der Kammer eine Diagnose-Einheit. Diese besteht aus einem Faraday-Cup (Zentrier-Cup). Der unabgelenkte Strahl wird in dem Faraday-Cup gebündelt und zentriert.
  HVEC Endstation ...  
A diagnostic device is used to center the ungraded ion beam and the dose measurement during implantation. A mask determines the size of the irradiated area on the sample. Around the mask, small measuring orifices are arranged behind the Corner-Cups are mounted.
Eine Diagnoseeinrichtung dient der Zentrierung des ungerasterten Ionenstrahls und der Dosismessung während der Implantation. Eine Maske bestimmt die Größe der bestrahlten Fläche auf der Probe. Um die Maske herum sind kleine Messblenden angeordnet, hinter denen sogenannte Corner-Cups montiert sind. Gleiche Ströme in den Corner-Cups bedeuten eine homogene Auslenkung.
  NV10 Endstation ...  
Through a slot in the disc, the ion current is measured during implantation in a slit cup located behind it. This is connected to the Dosecontroler dc 10-80 and is used for the measurement of the ion dose.
Durch einen Schlitz in der Disc wird der Ionenstrom während der Implantation in einem dahinter befindlichen Slit-Cup gemessen. Dieser ist mit dem Dosecontroler dc 10-80 verbunden und wird für die Messung der Ionendosis genutzt. Es stehen Discs mit Aufnahmen für 100, 125, 150 und 200 mm Wafer zur Verfügung.
  Projects ...  
This project aims a combining a Stimulated Emission Depletion (STED) and a Scanning Ion Conductance Microscope (SICM) to allow simultaneous, correlated recording of the cellular topography and a protein distribution in living cells with diffraction-unlimited resolution.
Ziel dieses Projekts ist die Entwicklung eines kombinierten "Stimulated emission depletion" (STED) und Raster-Ionenleitfähigkeitsmikroskops (SICM). Das Instrument wird die gleichzeitige, korrelierte Aufnahme der Topographie und der Proteinverteilung in einer lebenden Zelle mit nicht durch Lichbeugung begrenzter Auflösung ermöglichen.
  XPS/ AES X-ray photoele...  
These techniques allow to determine and quantify elements in sample (except hydrogen). The quantification is somewhat poorer than with the ion beam methods, but XPS spectra can reveal information about the chemical binding of the elements.
Sie erlauben die quantitative Bestimmung auch leichter Elemente (außer natürlich Wasserstoff), wobei die Quantifizierbarkeit bei den Ionenstrahlmethoden jedoch einfacher und genauer ist. Demgegenüber kann man jedoch aus XPS Spektren Informationen über die chemische Bindung der Elemente erhalten. Da XPS und AES prinzipiell auf die Analyse oberflächennaher Schichten beschränkt ist, können Tiefenprofile der Elementverteilung nur durch sequentielles Absputtern der Oberfläche erzielt werden.
  NV10 Endstation ...  
All functions and parameters such as wafer size, dose and measuring range are controlled by a computer, whereby the implantation in many areas is automated. Calibrations were performed for different ion types, energies and charge states.
Alle Funktionen und Parameter wie Wafergröße, Dosis und Messbereich werden von einem Computer kontrolliert, wodurch die Implantation in weiten Bereichen automatisiert ist. Für verschiedene Ionensorten, -energien und Ladungszustände wurden Kalibrierungen vorgenommen.
  PIXE - Particle Induced...  
The interaction of an ion beam with a material can result in the ionization of the atoms of the material. PIXE is based on the detection of the X rays following the ionization of the atoms of the sample.
Die Wechselwirkung eines Ionenstrahls mit einem Material kann zu einer Ionisierung der Atome des Materials führen. PIXE basiert auf der Detektion der Röntgenstrahlen, die nach der Ionisierung der Atome der Probe emittiert werden. Diese Röntgenstrahlen sind ein einzigartiges Merkmal der interagierenden Elemente und ihre Detektion ermöglicht die Identifizierung der Zielelemente.
  NV10 Endstation ...  
The original system was based on a complete ion implanter from Eaton. However, as there is already a powerful tandem accelerator available in our facility, the part originally intended for ion generation and acceleration was dismantled, leaving us with the NV10 as the terminus.
Das ursprüngliche System basierte auf einem kompletten Ionen-Implanter der Firma Eaton. Da in unserem Hause aber bereits ein leistungsstarker Tandem-Beschleuniger zur Verfügung steht, wurde der Teil, der ursprünglich für die Ionenerzeugung und -beschleunigung vorgesehen war, demontiert, so dass wir die NV10 als Endstation übrig behalten haben. Das ursprüngliche Vakuum System wurde ersetzt, ebenso die komplette Ansteuerungstechnik.
  Quality management ...  
The management system applies to the cooperation between the company rubitec GmbH and the central facility of the Ruhr-Universität Bochum, in this case the RUBION-ion beam department (area: industrial implantation) for the process step
Das Managementsystem gilt für die Zusammenarbeit zwischen der Firma rubitec GmbH und der Zentralen Einrichtung der Ruhr-Universität Bochum, hier der Abteilung RUBION-Ionenstrahlen (Bereich: Industrielle Implantation) für den Prozessschritt
  Burried layers in diamo...  
RUB » RUBION » Workgroups » Ion Beam Analysis and Material Modification » Projects » Burried layers in diamond (Group Lorke, University Duisburg-Essen)
RUB » RUBION » Arbeitsgruppen » Ionenstrahlanalyse und Materialmodifikation » Projekte » Vergrabene Schichten in Diamant (AG Lorke, Universität Duisburg-Essen)
  Projects ...  
Development of a Combined Stimulated Emission Depletion and Scanning Ion Conductance Microscope
Entwicklung eines kombinierten Stimulierte-Emissions-Verarmungs- und Raster-Ionenleitfähigkeitsmikroskops
  Production of a 12C Tar...  
RUB » RUBION » Workgroups » Ion Beam Analysis and Material Modification » Projects » Production of a 12C Target for Nuclear Astrophysics
RUB » RUBION » Arbeitsgruppen » Ionenstrahlanalyse und Materialmodifikation » Projekte » Herstellung eines 12C Targets für für astrophysikalische Untersuchungen
  High-energy-ion-implant...  
RUB » RUBION » Workgroups » ionimplantation for research and industry » Projects » High-energy-ion-implantation
RUB » RUBION » Arbeitsgruppen » Ionenimplantation für Forschung und Industrie » Projekte » Hochenergie-Ionenimplantation
  Quality management ...  
Ion implantation in semiconductor wafers
Ionenimplantation in Halbleiter-Wafern
  Burried layers in diamo...  
Ion Beam Analysis and Material Modification
Ionenstrahlanalyse und Materialmodifikation
  100 kV accelerator ...  
This machine is mostly used for ion implantation. For that …
Dieser Beschleuniger dient hauptsächlich zur Ionenimplantation. Dafür…
  32P-Implanter ...  
Ion implantation for the modification of materials
Materialmodifikation mittels Ionenimplantation
  Projects ...  
Producing Ti-bearing quartz by ion-implantation for use as secondary standard in electron microprobe analysis
Herstellung von Ti-haltigem Quarz durch Ionen-Implantation als Sekundärstandard für die Elektronenstrahl-Mikroanalyse
  XPS/ AES X-ray photoele...  
XPS and AES are sensitive analytical techniques, which are complementary to the ion beam supported analytical methods.
XPS und AES sind empfindliche Analysemethoden, die am RUBION als Erweiterung und in Ergänzung zu den Ionenstrahlmethoden eingesetzt werden.
  Industry Implantation ...  
High-energy-ion implantation
Hochenergie-Ionenimplantation
  Master theses for Chemi...  
Scanning Ion Conductance Microscopy
Raster-Inonenleitfähigkeitsmikroskopie
  Industry ...  
We offer you a QM-certified high-energy ion implantation service according to
Wir bieten Ihnen einen QM-zertifizierten Hochenergie-Ionenimplantations-Service nach
  Industry ...  
The technical applications of the ion implantation are in the fields
an. Die technische Anwendungen der Ionenimplantation liegen in den Bereichen
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