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Keybot 54 Results  www.aaaglassbeads.com
  Ion CHANNELING  
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Ion CHANNELING
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Canalización Iónica
  Materials Science  
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Surface micro- and nano-structuring and surface modification using ion beams
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Superficies micro- y nano-estructuradas y modificación de superficies utilizando haces de iones.
  CMAM  
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Seminars at the Accelerator - Ion Beam modified TiO2 for advanced water purification ...
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Seminarios en el Acelerador - Ion Beam modified TiO2 for advanced water purification in the frame of WATER project
  CMAM  
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Seminars at the Accelerator - Beyond the ion-beam shaping mechanism: toward plasmonic applications
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Seminarios en el Acelerador - Más allá del mecanismo de conformación de haces de iones: hacia la aplicación plasmónica
  CMAM  
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Seminars at the Accelerator-Fabrication of waveguides in LiTaO3 by irradiation with swift heavy ion
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Seminarios en el Acelerador - Fabricación de guías de onda en LiTaO3 mediante irradiación con iones pesados de alta energía
  CMAM  
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Seminars at the Accelerator - Ion beams at CMAM. Why using swift-heavy ions to modify materials
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Seminarios en el Acelerador - Ion-beams en CMAM. Porque usar irradiación con iones pesados de alta energía para modificar materiales
  Events - Ph.D. Student ...  
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Student, presents his thesis "Structural and compositional characterization of wide bandgap semiconductor heterostructures by ion beam analysis" in the Institute of Materials Science (ICMM-CSIC) on 9th July at 12:00.
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Andrés Redondo Cubero, estudiante de Doctorado del CMAM, presenta su tesis "Structural and compositional characterization of wide bandgap semiconductor heterostructures by ion beam analysis" en el Instituo de Ciencia de Materiales (ICMM-CSIC) el 9 de Julio a las 12:00.
  amaira  
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Her work in the CMAM consists in the operation of the accelerator, the supervision of the radioactive installation, the participation in the maintenance tasks related with the accelerator and with the ion sources, the supervisión of the auxiliar installations (as the refrigerated water circuits or the compressed air circuit) and the development and improve of the accelerator and the complementary equipments.
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Su trabajo en el CMAM consiste en el funcionamiento del acelerador, la supervisión de la instalación radiactiva, la participación en las tareas de mantenimiento relacionadas con el acelerador y con las fuentes de iones, la supervisión de las instalaciones auxiliares (como los circuitos de agua refrigerada o los circuitos de aire comprimido) y el desarrollo y la mejora del acelerador y de los equipos complementarios.
  LABEX P2PI0 association...  
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LABEX P2IO association (Physisque des 2 Infinis ed des Origines) formed by CEA, CNRS, Ecole Ploytechnique, Paris Diderot University and Paris-Sud 11 Unioversity, has awarded Diana Bachiller's thesis "Ion-irradiation-induced Damage in nuclear materials - case study of a-SiO2 and MgO", the award for the best thesis in the technology, energy and health category.
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La agrupación LABEX P2IO (Physisque des 2 Infinis ed des Origines), formada por CEA, CNRS, Ecole Ploytechnique, Universidad Paris Diderot y Universidad Paris-Sud 11, ha concedido a la tesis de Diana Bachiller, "Ion-irradiation-induced damage in nuclear materials – case study of a-SiO2 and MgO", el premio a la mejor tesis en la categoría de tecnología, energía ysalud.
  Materials Science  
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Surface modification of semiconductors like Si, and special alloys like TiNO, by ion beam processing are investigated at CMAM in collaboration with Departamento de Fisica Aplicada at Universidad Autonoma Madrid (DFA-UAM) and Centro de Biología Molecuar at Universidad Autonoma Madrid and Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CBM-UAM-CSIC) looking for applications in the differentiation of Human Mesenchymal Stem Cells (HMSC).
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La modificación de la superficie de los semiconductores, como es el silicio, y aleaciones especiales, como TiNO, con haces de iones se investigan en el CMAM en colaboración con el Departamento de Física Aplicada de la Universidad Autónoma de Madrid (DFA-UAM) y el Centro de Biología Molecuar de la Universidad Autónoma de Madrid y Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CBM-UAM-CSIC) en busca de aplicaciones en la diferenciación de las células madre Mesenquimales de Humanos (HMSC).
  CMAM Home  
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The Centre for Micro Analysis of Materials (CMAM) is a research center belonging to the Universidad Autónoma de Madrid (UAM) whose main experimental tool is an electrostatic ion accelerator with a maximum terminal voltage of 5 MV, devoted to the analysis and modification of materials.
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El Centro de Microanálisis de Materiales (CMAM) es un centro propio de investigación de la Universidad Autónoma de Madrid (UAM) cuya principal herramienta experimental es una acelerador electroestático de iones con una tensión máxima de terminal de 5 MV, dedicado al análisis y modificación de materiales.
  Materials Science  
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CMAM offers many useful techniques for the characterization of semiconductor thin films, comprising RBS, ERDA, NRA and PIXE. These methods have been successfully applied for the determination of the composition with depth resolution [1], the detection of light and heavy impurities [2], and the depth-profiling of specific elements [3].
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El CMAM ofrece diversas técnicas de caracterización de capas semiconductoras, como RBS, ERDA, NRA y PIXE. Estos métodos se han utilizado con éxito en la determinación de la composición con resolución en profundidad [1], la detección de impurezas ligeras y pesadas [2], y la extracción de perfiles para elementos específicos [3]. Además, cuando se combinan con la canalización iónica, estos métodos puede dar información estructural acerca de la calidad cristalina [1], la tensión [4], la presencia de defectos [3] y la posición en sitios de red de los átomos.
  Materials Science  
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Ion beam techniques have been long time applied in semiconductor science due to its interesting applications in the modification (doping, cleaning, patterning…) and also in the analysis (composition, structure, impurities, interfaces…) of these materials.
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Las técnicas de haces de iones se han utilizado durante mucho tiempo en la ciencia de semiconductores debido a sus interesantes aplicaciones, tanto para la modificación (dopaje, limpieza, formación de patrones…) como para el análisis (composición, estructura, impurezas, interacaras…) de estos materiales. En particular, el carácter no destructivo de las técnicas IBA, junto con la capacidad de realizar perfiles elementales en profundidad, hacen estas herramientas ideales para una avanzada caracterización de capas semiconductoras, que requieren normalmente láminas delgadas epitaxiales de alta pureza.
  Ion CHANNELING  
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The Standard beamline at CMAM offers to the researchers a well-prepared chamber for ion channeling experiments, counting with a set of collimating slits (1 mm2 beam size), a 3-axis goniometer controlled by stepping motors (accuracy of 0.01º), and a fast home-made software for the alignment of the crystals.
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La línea Estándar del CMAM ofrece a los investigadores una cámara de medidas bien equipada para los experimentos de canalización, ya que cuenta con un juego de rendijas colimadoras (1 mm2 de tamaño de haz), un goniómetro de 3 ejes controlado por motores paso a paso, (precisión de 0.01º), y un rápido programa de alineamiento de los cristales. Estos elementos se pueden combinar con detectores de partículas para RBS/C, y con detectores adicionales para rayos gamma y rayos X. Este sistema es una herramienta versátil y poderosa para la caracterización de capas epitaxiales delgadas, siendo un complemento ideal a otras técnicas como XRD y TEM.
  Materials Science  
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At CMAM we use several ion beams especially He and Si in the energy range of MeV/amu to modify the surface properties of crystalline Si (c-Si). 20 MeV Si beams with fluencies as low as 1013 ions /cm2 suffice to increase the electrical conductivity of p type c-Si with an initial resistivity of 0.05 to 0.1 ohm.cm, inhibiting the formation of porous silicon (PSi) in the irradiated region [1].
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En el CMAM usamos varios haces de iones especialmente He y Si en el rango de energías de MeV/amu para modificar las propiedades superficiales de silicio cristalino (c-Si). Los haces de Si de 20 MeV con fluencias tan bajas como 1.013 iones/cm2 son suficientes para aumentar la conductividad eléctrica del tipo p c-Si con una resistencia inicial de 0.05 a 0.1 ohm.cm, inhibiendo la formación de silicio poroso (PSi) en la región irradiada [1]. Para tales fluencias de naturaleza cristalina de c-Si persisten, al memos, medidas detectadas por canalización, además éste incremento de resistividad puede ser asignado a defectos puntuales inducidos por el proceso de irradiación. La irradiación a través de máscaras de micro-y nano-tamaño permite crecimiento PSi en patrones predeterminados.