ions – Übersetzung – Keybot-Wörterbuch

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  Implantation of Ni ions...  
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Implantation of Ni ions in diamond to create novel defect centers
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Implantation von Ni Ionen zur Erzeugung neuartiger Defekte in Diamant
  Implantation of Ni ions...  
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RUB » RUBION » Workgroups » Ultrafast Quantum Optics and Optical Metrology » Projects » Implantation of Ni ions in diamond to create novel defect centers
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RUB » RUBION » Arbeitsgruppen » Quantenoptik mit Ultrakurzen Laserpulsen und Optische Metrologie » Projekte » Implantation von Ni Ionen zur Erzeugung neuartiger Defekte in Diamant
  Industry Implantation ...  
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RUBION and the rubitec GmbH carry out ion irradiations in the MeV range on behalf of the customer. There is a wide range of different ions available. The available energy and dose range depends on the respective species and the wafer size.
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RUBION und die rubitec GmbH führen im Kundenauftrag Ionenbestrahlungen im MeV Bereich durch. Dabei steht ein großes Spektrum an unterschiedlichen Ionen zur Verfügung. Der verfügbare Energie- und Dosisbereich ist dabei von der jeweiligen Spezies und der Wafer-Größe abhängig. Die Möglichkeiten werden von uns anwendungsabhängig auf Anfrage ermittelt.
  500 kV accelerator ...  
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… that the ion sources operate with positive ions and no charge exchange is necessary. As a consequence, the beam intensities are usually much higher and can reach up to several 100 µA.
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… einer solchen Maschine ist, dass die Ionenquellen mit positiven Ionen arbeiten und kein Umladungsprozess währen der Beschleunigung notwendig ist. Dadurch sind die erreichbaren Ionenströme deutlich höher und können bis zu mehreren hundert µA betragen.
  500 kV accelerator ...  
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The accelerator is used recently mainly for he implantation of noble gas ions and for material analysis using low energy, proton-induces resonances (NRRA).
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Der Beschleuniger ist in letzter Zeit vorwiegend zur Implantation von Edelgasen und zur Materialanalyse mit Hilfe niederenergetischer, protoneninduzierter Resonanzen (NRRA) eingesetzt worden.
  Ion implantation for th...  
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The 100 kV accelerator provides ion energies between a few keV up to 100 keV. The available ions and ion beam intensities are the same as at the tandem except that here Helium cannot be implanted also.
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Der 100 kV Implanter erlaubt Implantationsenergien von einigen keV bis zu 100 keV, die zur Verfügung stehenden Ionensorten und Ionenströme sind die gleichen, wie am Tandem, außer das hier auch Helium nicht implantiert werden kann.
  100 kV accelerator ...  
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The 100 kV implanter is equipped with an ion-sputtersource. This can supply a large variety of ions with the exception of the noble gases. The negative ions from the ion source can be accelerated to energies starting from a few keV up to 100 keV.
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Der 100 kV Implanter ist mit einer Sputter-Ionenquelle ausgestattet, die mit Ausnahme der Edelgase eine Vielzahl von Ionensorten bereitstellen kann. Die in der Quelle erzeugten negativen Ionen können auf Energien von wenigen keV bis zu 100 keV beschleunigt werden. Nach der Beschleunigung wird der Ionenstrahl durch einen 90°Magneten analysiert, so dass der analysierte Ionenstrahl praktisch frei von Verunreinigungen anderer Ionensorten ist. Darüber hinaus ist der Ionenstrahl vor allem für die leichteren Ionen isotopenrein, d.h. man hat die Wahl z.B. für Kohlenstoff zwischen den Isotopen 12C und 13C zu wählen.
  500 kV accelerator ...  
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The 500 kV accelerator can be operated with three ion sources namely a Duoplasmatron source, a Penning source and a hollow cathode ion source. This allows to accelerate a large variety of ions. In particular, the acceleration of noble gas ions is possible also.
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Der 500 kV Beschleunigers kann mit drei Ionenquellen betrieben werden, einer Duoplasmatron-Quelle, einer Penning-Quelle und einer Holkathodenquelle. Dadurch können eine Vielzahl von Ionensorten beschleunigt werden. Insbesondere ist auch die Beschleunigung von Edelgas-Ionen möglich. Die Ionen werden mit einer Extraktionsspannung von bis zu 30 kV aus der Quelle extrahiert und noch auf dem Hochspannungspotential durch einen 90° Magneten analysiert. Dadurch wird durch die Beschleunigungsspannung nur die gewünschte Ionensorte beschleunigt.
  High-energy-ion-implant...  
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In the department RUBION ion-beams, in the area of the industrial implantation, ion irradiations in the MeV range are carried out on behalf of customers in cooperation with our partner, the rubitec GmbH.
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In der Abteilung RUBION-Ionenstrahlen werden in dem Bereich industrielle Implantation zusammen mit unserem Partner, der rubitec GmbH im Kundenauftrag Ionenbestrahlungen im MeV Bereich durchgeführt. Dabei steht ein großes Spektrum an unterschiedlichen Ionen zur Verfügung. Der verfügbare Energie- und Dosisbereich ist dabei von der jeweiligen Spezies und der Wafergröße unserer Kunden abhängig. Die Möglichkeiten werden von uns anwendungsabhängig für jeden Kunden auf Anfrage ermittelt. Wir sind in diesem Bereich nach DIN EN ISO 9001: 2015 zertifiziert !
  500 kV accelerator ...  
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The 500 kV accelerator can be operated with three ion sources namely a Duoplasmatron source, a Penning source and a hollow cathode ion source. This allows to accelerate a large variety of ions. In particular, the acceleration of noble gas ions is possible also.
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Der 500 kV Beschleunigers kann mit drei Ionenquellen betrieben werden, einer Duoplasmatron-Quelle, einer Penning-Quelle und einer Holkathodenquelle. Dadurch können eine Vielzahl von Ionensorten beschleunigt werden. Insbesondere ist auch die Beschleunigung von Edelgas-Ionen möglich. Die Ionen werden mit einer Extraktionsspannung von bis zu 30 kV aus der Quelle extrahiert und noch auf dem Hochspannungspotential durch einen 90° Magneten analysiert. Dadurch wird durch die Beschleunigungsspannung nur die gewünschte Ionensorte beschleunigt.
  100 kV accelerator ...  
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The 100 kV implanter is equipped with an ion-sputtersource. This can supply a large variety of ions with the exception of the noble gases. The negative ions from the ion source can be accelerated to energies starting from a few keV up to 100 keV.
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Der 100 kV Implanter ist mit einer Sputter-Ionenquelle ausgestattet, die mit Ausnahme der Edelgase eine Vielzahl von Ionensorten bereitstellen kann. Die in der Quelle erzeugten negativen Ionen können auf Energien von wenigen keV bis zu 100 keV beschleunigt werden. Nach der Beschleunigung wird der Ionenstrahl durch einen 90°Magneten analysiert, so dass der analysierte Ionenstrahl praktisch frei von Verunreinigungen anderer Ionensorten ist. Darüber hinaus ist der Ionenstrahl vor allem für die leichteren Ionen isotopenrein, d.h. man hat die Wahl z.B. für Kohlenstoff zwischen den Isotopen 12C und 13C zu wählen.
  Rare-earth-based single...  
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The project aims at the realization of single photon sources in the telecom wavelength regime, based on single rare-earth ions (like erbium or ytterbium) precisely doped into optical crystals by means of ion implantation (up to 200nm below the surface).
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Das Projekt zielt auf die Herstellung von Einzelphotonenquellen im Telekom Wellenlängenbereich ab, basierend auf einzelnen seltene Erd Ionen (insbesondere Erbium, Ytterbium) als Emitter, welche mittels Ionen-Implantation präzise in optische Kristalle dotiert werden (bis zu 200nm unter der Oberfläche). Die entscheidenden Vorteile der vorgeschlagenen Einzelphotonenquellen sind deren tatsächliche Einzelphotonenemission, deren Fourier limitierte Linienbreite, sowie die Möglichkeit emittierte Photonen direkt wieder in optischen Medien zu speichern, welche auf seltenen Erden basieren. Die normalerweise geringe Helligkeit von Erbium/Ytterbium Ionen kann hierbei um mehrere Größenordnungen zunehmen, indem diese an optische Resonatoren (angefertigt aus dünnen Lithiumniobat Filmen) mit hohen Gütefaktoren koppeln. Das Verhalten der Einzelphotonenquelle wird anhand ihrer Helligkeit und der Ununterscheidbarkeit der emittierten Photonen mit Hilfe eines Hong-Ou-Mandel Experiments beurteilt.
  100 kV accelerator ...  
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The 100 kV implanter is equipped with an ion-sputtersource. This can supply a large variety of ions with the exception of the noble gases. The negative ions from the ion source can be accelerated to energies starting from a few keV up to 100 keV.
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Der 100 kV Implanter ist mit einer Sputter-Ionenquelle ausgestattet, die mit Ausnahme der Edelgase eine Vielzahl von Ionensorten bereitstellen kann. Die in der Quelle erzeugten negativen Ionen können auf Energien von wenigen keV bis zu 100 keV beschleunigt werden. Nach der Beschleunigung wird der Ionenstrahl durch einen 90°Magneten analysiert, so dass der analysierte Ionenstrahl praktisch frei von Verunreinigungen anderer Ionensorten ist. Darüber hinaus ist der Ionenstrahl vor allem für die leichteren Ionen isotopenrein, d.h. man hat die Wahl z.B. für Kohlenstoff zwischen den Isotopen 12C und 13C zu wählen.
  Rare-earth-based single...  
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The project aims at the realization of single photon sources in the telecom wavelength regime, based on single rare-earth ions (like erbium or ytterbium) precisely doped into optical crystals by means of ion implantation (up to 200nm below the surface).
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Das Projekt zielt auf die Herstellung von Einzelphotonenquellen im Telekom Wellenlängenbereich ab, basierend auf einzelnen seltene Erd Ionen (insbesondere Erbium, Ytterbium) als Emitter, welche mittels Ionen-Implantation präzise in optische Kristalle dotiert werden (bis zu 200nm unter der Oberfläche). Die entscheidenden Vorteile der vorgeschlagenen Einzelphotonenquellen sind deren tatsächliche Einzelphotonenemission, deren Fourier limitierte Linienbreite, sowie die Möglichkeit emittierte Photonen direkt wieder in optischen Medien zu speichern, welche auf seltenen Erden basieren. Die normalerweise geringe Helligkeit von Erbium/Ytterbium Ionen kann hierbei um mehrere Größenordnungen zunehmen, indem diese an optische Resonatoren (angefertigt aus dünnen Lithiumniobat Filmen) mit hohen Gütefaktoren koppeln. Das Verhalten der Einzelphotonenquelle wird anhand ihrer Helligkeit und der Ununterscheidbarkeit der emittierten Photonen mit Hilfe eines Hong-Ou-Mandel Experiments beurteilt.
  Tandem Accelerator ...  
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The facility consists of three different ion sources, the tandem accelerator itself and a variety of magnets for filtering and guiding the ion beam to the desired position. In a first stage negative ions are generated in one of the ion sources.
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Als Erstes werden negative Ionen in einer der Ionenquellen erzeugt. Die geladenen Atome oder Moleküle werden mit einem elektrischen und magnetischen Feld in den Beschleuniger transportiert und dabei auf die gewünschte Sorte gefiltert. Nun werden die Teilchen in der ersten Hälfte des Beschleunigers mit einer positiven Spannung von bis zu 4 Millionen Volt (4 MV) elektrostatisch angezogen. Eine Umladung der negativen in positive Ionen durch Abstreifen von Elektronen in dem sogenannten "Strippergas" im Zentrum des Beschleunigers führt darauf hin zu einer Abstoßung der Ionen. Somit werden die Ionen mit der gleichen Spannung ein zweites Mal beschleunigt, woher der Name "Tandem" für diese Art des Beschleunigers herrührt. Im Fall von Molekülen sorgt der Stripper zusätzlich für das Aufbrechen in die einzelnen Atome. Um einen monoenergetischen Strahl einer bestimmten Ionensorte zu erhalten, schließt sich dem Beschleuniger ein Analysiermagnet an, der für die Filterung des gewünschten Ionenstrahls sorgt. Fokussierende und strahlkontrollierende Elemente transportieren die Ionen schließlich zu den unterschiedlichsten Apparaturen der jeweiligen Anwendung.
  Tandem Accelerator ...  
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The facility consists of three different ion sources, the tandem accelerator itself and a variety of magnets for filtering and guiding the ion beam to the desired position. In a first stage negative ions are generated in one of the ion sources.
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Als Erstes werden negative Ionen in einer der Ionenquellen erzeugt. Die geladenen Atome oder Moleküle werden mit einem elektrischen und magnetischen Feld in den Beschleuniger transportiert und dabei auf die gewünschte Sorte gefiltert. Nun werden die Teilchen in der ersten Hälfte des Beschleunigers mit einer positiven Spannung von bis zu 4 Millionen Volt (4 MV) elektrostatisch angezogen. Eine Umladung der negativen in positive Ionen durch Abstreifen von Elektronen in dem sogenannten "Strippergas" im Zentrum des Beschleunigers führt darauf hin zu einer Abstoßung der Ionen. Somit werden die Ionen mit der gleichen Spannung ein zweites Mal beschleunigt, woher der Name "Tandem" für diese Art des Beschleunigers herrührt. Im Fall von Molekülen sorgt der Stripper zusätzlich für das Aufbrechen in die einzelnen Atome. Um einen monoenergetischen Strahl einer bestimmten Ionensorte zu erhalten, schließt sich dem Beschleuniger ein Analysiermagnet an, der für die Filterung des gewünschten Ionenstrahls sorgt. Fokussierende und strahlkontrollierende Elemente transportieren die Ionen schließlich zu den unterschiedlichsten Apparaturen der jeweiligen Anwendung.
  Tandem Accelerator ...  
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The facility consists of three different ion sources, the tandem accelerator itself and a variety of magnets for filtering and guiding the ion beam to the desired position. In a first stage negative ions are generated in one of the ion sources.
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Als Erstes werden negative Ionen in einer der Ionenquellen erzeugt. Die geladenen Atome oder Moleküle werden mit einem elektrischen und magnetischen Feld in den Beschleuniger transportiert und dabei auf die gewünschte Sorte gefiltert. Nun werden die Teilchen in der ersten Hälfte des Beschleunigers mit einer positiven Spannung von bis zu 4 Millionen Volt (4 MV) elektrostatisch angezogen. Eine Umladung der negativen in positive Ionen durch Abstreifen von Elektronen in dem sogenannten "Strippergas" im Zentrum des Beschleunigers führt darauf hin zu einer Abstoßung der Ionen. Somit werden die Ionen mit der gleichen Spannung ein zweites Mal beschleunigt, woher der Name "Tandem" für diese Art des Beschleunigers herrührt. Im Fall von Molekülen sorgt der Stripper zusätzlich für das Aufbrechen in die einzelnen Atome. Um einen monoenergetischen Strahl einer bestimmten Ionensorte zu erhalten, schließt sich dem Beschleuniger ein Analysiermagnet an, der für die Filterung des gewünschten Ionenstrahls sorgt. Fokussierende und strahlkontrollierende Elemente transportieren die Ionen schließlich zu den unterschiedlichsten Apparaturen der jeweiligen Anwendung.
  Tandem Accelerator ...  
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The facility consists of three different ion sources, the tandem accelerator itself and a variety of magnets for filtering and guiding the ion beam to the desired position. In a first stage negative ions are generated in one of the ion sources.
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Als Erstes werden negative Ionen in einer der Ionenquellen erzeugt. Die geladenen Atome oder Moleküle werden mit einem elektrischen und magnetischen Feld in den Beschleuniger transportiert und dabei auf die gewünschte Sorte gefiltert. Nun werden die Teilchen in der ersten Hälfte des Beschleunigers mit einer positiven Spannung von bis zu 4 Millionen Volt (4 MV) elektrostatisch angezogen. Eine Umladung der negativen in positive Ionen durch Abstreifen von Elektronen in dem sogenannten "Strippergas" im Zentrum des Beschleunigers führt darauf hin zu einer Abstoßung der Ionen. Somit werden die Ionen mit der gleichen Spannung ein zweites Mal beschleunigt, woher der Name "Tandem" für diese Art des Beschleunigers herrührt. Im Fall von Molekülen sorgt der Stripper zusätzlich für das Aufbrechen in die einzelnen Atome. Um einen monoenergetischen Strahl einer bestimmten Ionensorte zu erhalten, schließt sich dem Beschleuniger ein Analysiermagnet an, der für die Filterung des gewünschten Ionenstrahls sorgt. Fokussierende und strahlkontrollierende Elemente transportieren die Ionen schließlich zu den unterschiedlichsten Apparaturen der jeweiligen Anwendung.
  NRRA - Nuclear Resonant...  
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Therefore, a 15N beam of higher energy does not probe the surface of the sample. However, the sample is probed in a certain depth, because the ions are loosing energy when penetrating the sample material.
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Ein großer Vorteil dieser Methode liegt darin, dass kein probenspezifischer Standard erforderlich ist. Die Kernreaktion des Sickstoff-Isotops 15N eines Ionenstrahls mit den in Probenmaterialien enthaltenen Wasserstoff erzeugt charakteristische Gammastrahlung, die bei dieser Methode detektiert wird.  Die Reaktion findet fast ausschließlich bei einer Ionenenergie von 6,4 MeV (Resonanzenergie) statt. Daher wird bei höherer Ionenstrahlenergie nicht die Oberfläche sondiert. Allerdings erreichen die Ionen beim Durchdringen des Probenmaterials aufgrund des Energiverlustes in einer bestimmten Tiefe die Resonanzenergie. Somit wird für eine gewählte Strahlenergie das Material in einer festgelegten Tiefe sondiert. Durch schrittweises Verändern der Ionenenergie wird die Tiefenverteilung der H-Konzentration erstellt.
  Tandem Accelerator ...  
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The facility consists of three different ion sources, the tandem accelerator itself and a variety of magnets for filtering and guiding the ion beam to the desired position. In a first stage negative ions are generated in one of the ion sources.
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Als Erstes werden negative Ionen in einer der Ionenquellen erzeugt. Die geladenen Atome oder Moleküle werden mit einem elektrischen und magnetischen Feld in den Beschleuniger transportiert und dabei auf die gewünschte Sorte gefiltert. Nun werden die Teilchen in der ersten Hälfte des Beschleunigers mit einer positiven Spannung von bis zu 4 Millionen Volt (4 MV) elektrostatisch angezogen. Eine Umladung der negativen in positive Ionen durch Abstreifen von Elektronen in dem sogenannten "Strippergas" im Zentrum des Beschleunigers führt darauf hin zu einer Abstoßung der Ionen. Somit werden die Ionen mit der gleichen Spannung ein zweites Mal beschleunigt, woher der Name "Tandem" für diese Art des Beschleunigers herrührt. Im Fall von Molekülen sorgt der Stripper zusätzlich für das Aufbrechen in die einzelnen Atome. Um einen monoenergetischen Strahl einer bestimmten Ionensorte zu erhalten, schließt sich dem Beschleuniger ein Analysiermagnet an, der für die Filterung des gewünschten Ionenstrahls sorgt. Fokussierende und strahlkontrollierende Elemente transportieren die Ionen schließlich zu den unterschiedlichsten Apparaturen der jeweiligen Anwendung.
  500 kV accelerator ...  
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The 500 kV accelerator can be operated with three ion sources namely a Duoplasmatron source, a Penning source and a hollow cathode ion source. This allows to accelerate a large variety of ions. In particular, the acceleration of noble gas ions is possible also.
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Der 500 kV Beschleunigers kann mit drei Ionenquellen betrieben werden, einer Duoplasmatron-Quelle, einer Penning-Quelle und einer Holkathodenquelle. Dadurch können eine Vielzahl von Ionensorten beschleunigt werden. Insbesondere ist auch die Beschleunigung von Edelgas-Ionen möglich. Die Ionen werden mit einer Extraktionsspannung von bis zu 30 kV aus der Quelle extrahiert und noch auf dem Hochspannungspotential durch einen 90° Magneten analysiert. Dadurch wird durch die Beschleunigungsspannung nur die gewünschte Ionensorte beschleunigt.
  Tandem Accelerator ...  
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The facility consists of three different ion sources, the tandem accelerator itself and a variety of magnets for filtering and guiding the ion beam to the desired position. In a first stage negative ions are generated in one of the ion sources.
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Als Erstes werden negative Ionen in einer der Ionenquellen erzeugt. Die geladenen Atome oder Moleküle werden mit einem elektrischen und magnetischen Feld in den Beschleuniger transportiert und dabei auf die gewünschte Sorte gefiltert. Nun werden die Teilchen in der ersten Hälfte des Beschleunigers mit einer positiven Spannung von bis zu 4 Millionen Volt (4 MV) elektrostatisch angezogen. Eine Umladung der negativen in positive Ionen durch Abstreifen von Elektronen in dem sogenannten "Strippergas" im Zentrum des Beschleunigers führt darauf hin zu einer Abstoßung der Ionen. Somit werden die Ionen mit der gleichen Spannung ein zweites Mal beschleunigt, woher der Name "Tandem" für diese Art des Beschleunigers herrührt. Im Fall von Molekülen sorgt der Stripper zusätzlich für das Aufbrechen in die einzelnen Atome. Um einen monoenergetischen Strahl einer bestimmten Ionensorte zu erhalten, schließt sich dem Beschleuniger ein Analysiermagnet an, der für die Filterung des gewünschten Ionenstrahls sorgt. Fokussierende und strahlkontrollierende Elemente transportieren die Ionen schließlich zu den unterschiedlichsten Apparaturen der jeweiligen Anwendung.
  Rare-earth-based single...  
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The project aims at the realization of single photon sources in the telecom wavelength regime, based on single rare-earth ions (like erbium or ytterbium) precisely doped into optical crystals by means of ion implantation (up to 200nm below the surface).
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Das Projekt zielt auf die Herstellung von Einzelphotonenquellen im Telekom Wellenlängenbereich ab, basierend auf einzelnen seltene Erd Ionen (insbesondere Erbium, Ytterbium) als Emitter, welche mittels Ionen-Implantation präzise in optische Kristalle dotiert werden (bis zu 200nm unter der Oberfläche). Die entscheidenden Vorteile der vorgeschlagenen Einzelphotonenquellen sind deren tatsächliche Einzelphotonenemission, deren Fourier limitierte Linienbreite, sowie die Möglichkeit emittierte Photonen direkt wieder in optischen Medien zu speichern, welche auf seltenen Erden basieren. Die normalerweise geringe Helligkeit von Erbium/Ytterbium Ionen kann hierbei um mehrere Größenordnungen zunehmen, indem diese an optische Resonatoren (angefertigt aus dünnen Lithiumniobat Filmen) mit hohen Gütefaktoren koppeln. Das Verhalten der Einzelphotonenquelle wird anhand ihrer Helligkeit und der Ununterscheidbarkeit der emittierten Photonen mit Hilfe eines Hong-Ou-Mandel Experiments beurteilt.
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Als Erstes werden negative Ionen in einer der Ionenquellen erzeugt. Die geladenen Atome oder Moleküle werden mit einem elektrischen und magnetischen Feld in den Beschleuniger transportiert und dabei auf die gewünschte Sorte gefiltert. Nun werden die Teilchen in der ersten Hälfte des Beschleunigers mit einer positiven Spannung von bis zu 4 Millionen Volt (4 MV) elektrostatisch angezogen. Eine Umladung der negativen in positive Ionen durch Abstreifen von Elektronen in dem sogenannten "Strippergas" im Zentrum des Beschleunigers führt darauf hin zu einer Abstoßung der Ionen. Somit werden die Ionen mit der gleichen Spannung ein zweites Mal beschleunigt, woher der Name "Tandem" für diese Art des Beschleunigers herrührt. Im Fall von Molekülen sorgt der Stripper zusätzlich für das Aufbrechen in die einzelnen Atome. Um einen monoenergetischen Strahl einer bestimmten Ionensorte zu erhalten, schließt sich dem Beschleuniger ein Analysiermagnet an, der für die Filterung des gewünschten Ionenstrahls sorgt. Fokussierende und strahlkontrollierende Elemente transportieren die Ionen schließlich zu den unterschiedlichsten Apparaturen der jeweiligen Anwendung.
  Ion implantation for th...  
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Those range from the widespread doping pf semiconductors such as the doping of Silicon with Boron or Phosphorus, the generation of defects or buried layers and structures, the functionalizing of photonic layers by implanting optical active rare earth elements like Erbium, the production of magnetic clusters by the implantation of magnetic ions like Cobalt, investigations of radiation hardness and radiation induced failures of electronic components and many more.
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Diese umfassen die weitverbreitete Dotierung von Halbleitern, wie z.B. die Dotierung von Silizium mit Phosphor oder Bor, die Erzeugung von Defekten oder vergrabenen Schichte und Strukturen, die Funktionalisierung von photonischen Schichten durch Implantation von optisch aktiven Seltene Erdelement wie Erbium, die Erzeugung vom magnetischen Clustern durch die Implantation von magnetischen Ionen wie Cobalt, Untersuchungen zur Strahlungshärte und strahlungsbedingten Ausfallraten von elektronischen Bauelementen und vieles mehr. Durch die Wahl von Ionensorte, Ionenenergie und Fluenz können ganz unterschiedliche Bedingungen erfüllt werden.
  HVEC Endstation ...  
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The implanted spot was kept as small as possible to keep neutron production at a low level and save implantation time. Calibration standards have been established for various ions, energies and charge states.
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Es wurde ein austauschbares Dosismesssystem zur Implantation von Leistungsbauteilen entwickelt, die relativ hohe Dosen (> 10 E14 cm-2) und hohe Teilchenenergien, (C12 bis 25 MeV) erfordern. Das Dosismesssystem besteht hierbei aus einer strahldefinierenden Öffnung von 15 mm Durchmesser und einem Swinging-Faraday-Cup dahinter. Die auf dem Draht angesammelte Ladung wird für die Dosismessung verwendet. Die Implantation war nur in einem kleinen Ring um das Zentrum notwendig. Spezielle Tantalmasken wurden hergestellt. Der implantierte Fleck wurde so klein wie möglich gehalten, um die Neutronenproduktion auf einem niedrigen Niveau zu halten und Implantationszeit zu sparen. Kalibrierungsstandards wurden für verschiedene Ionen, Energien und Ladungszustände aufgestellt.