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SkyFlash 262890 FP7 Project aims to develop a strong rad hard by design (RHBD) metholodology for the realization of non volatile flash memories based on standard CMOS 180nm processes using memory cells based on floating trap ONO (Oxide-Nitride-Oxide) approach (Flash memories). The methodology will be focused on environments affected by radiation due to protons, electrons and high energy ions (heavy ions) such as low and high orbits (satellites) or deep space (probes).
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El proyecto SkyFlash 262890 del séptimo programa marco está dedicado al desarrollo de memorias resistentes a la radiación por diseño (RHBD) no volátiles de tipo flash basadas en el proceso estándard CMOS 180 nm . Estas memorias usan celdas basadas en trampas flotantes ONO (Oxide-Nitride-Oxide). Este diseño se realiza para el uso en entornos sometidos a radiación con protones, electrones e iones de alta energía, que pueden encontrarse en orbita terrestre (satélites) o bien en misiones de sondas espaciales. El GIR contribuye a la verificación de los componentes mediante pruebas en dosis total.
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O proxecto SkyFlash 262890 do séptimo programa marco está adicado o desenvolvemento de memorias resistentes a radiación por diseño (RHBD) non volátiles de tipo flash baseadas no proceso estándard CMOS 180 nm . Estas memorias usan celdas baseadas en trampas flotantes ONO (Oxide-Nitride-Oxide). Este deseño realiza-se para ouso en entornos sometidos a radiación con protons, electrons e ions de alta enerxía, que podense atopar naorbita terrestre (satélites) ou ben en misions de sondas espaciais. O GIR contribue a verificación dos compoñentes mediante probas en dose total.
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