|
|
The U-MOSⅧ-H Series provides the industry's most extensive portfolio of low on-resistance MOSFETs and the best-in-class trade-off between on-resistance and capacitance. Because of its fast operation, the U-MOSⅧ-H Series helps reduce switching loss, making it possible to increase the power supply efficiency.
|
|
|
La línea U-MOSⅨ-H está específicamente diseñada para aplicaciones de rectificación síncrona, incluida la parte secundaria de las fuentes de alimentación de conmutación aisladas. Ofrece un rendimiento de Qoss (calidad de servicio)*1 mejorado, una de las causas de la pérdida de alimentación de la rectificación síncrona. La línea U-MOSⅨ-H ofrece un 27 % menos de Ron•Qoss (el promedio entre la resistencia de encendido (Ron) y Qoss) que los últimos productos de otros proveedores de semiconductores*2. Como Ron tiene un impacto significativo sobre Qoss, Toshiba va a ampliar el catálogo de U-MOSⅨ-H con transistores MOSFET con Ron ultrabajo a fin de complementar la gama de la línea U-MOSⅧ-H.
|
|
|
La serie U-MOSⅨ-H è progettata specificamente per applicazioni di rettificazione sincrona, tra cui il lato secondario di alimentatori switching isolati. Offre prestazioni migliorate Qoss*1, uno dei fattori della perdita di potenza della rettificazione sincrona. La serie U-MOSⅨ-H offre una riduzione del 27% del valore Ron•Qoss, il compromesso tra resistenza di conduzione (Ron) e Qoss, rispetto ai più recenti prodotti di altri fornitori di semiconduttori*2. Dato che il valore di Ron ha un impatto significativo sul Qoss, Toshiba estenderà il portfolio di U-MOSⅨ-H con MOSFET dotati di Ron ultra basso per completare la lineup della serie U-MOSⅧ-H.
|
|
|
Серия U-MOSⅨ-H предназначена для синхронного выпрямления, включая сторону второго контура источников питания с разъединителем. Продукты этой серии обладают улучшенными характеристиками Qoss *1, благодаря чему устраняются потери электроэнергии при синхронном выпрямлении. В решениях U-MOSⅨ-H величина Ron•Qoss (соотношение сопротивления во включенном состоянии Ron и Qoss) на 27 % ниже, чем в новейших продуктах других производителей полупроводников *2. Так как величина Ron значительно влияет на Qoss, Toshiba расширит модельный ряд U-MOSⅨ-H полевыми транзисторами с изолированным затвором с ультранизким значением Ron, чтобы дополнить линейку U-MOSⅧ-H.
|
|
|
U-MOSⅨ-H Serisi, yalıtılmış anahtarlamalı güç kaynaklarının ikincil tarafı dahil olmak üzere, eş zamanlı doğrultma uygulamaları için özel olarak tasarlanmıştır. Eş zamanlı doğrultma güç kaybı sebeplerinden biri olan gelişmiş Qoss*1 performansı sağlar. U-MOSⅨ-H Serisi, diğer yarı iletken satıcılarının*2 en son ürünlerine göre %27 daha az Ron•Qoss (direnç (Ron) ve Qoss arasındaki takas özelliği) sağlar. Ron, Qoos üzerinde önemli ölçüde etkiye sahip olduğu için, Toshiba U-MOSⅨ-H serisini desteklemek amacıyla U-MOSⅨ-H portföyünü daha düşük Ron'a sahip MOSFET'lerle genişletecektir.
|
