mos – Traduction – Dictionnaire Keybot

Spacer TTN Translation Network TTN TTN Login Deutsch English Spacer Help
Langues sources Langues cibles
Keybot 4 Résultats  www.elu.sav.sk
  Insulation_EN  
Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source
Fig. 1 Self-aligned AlGaN/GaN MOS HEMT.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir elu.sav.sk comme domaine prioritaire
Obr. 1 Samozákrytový AlGaN/GaN MOS HEMT.
  Insulation_EN  
Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source
One of the major factors that limits the performance and reliability of III-N high electron mobility transistors (HEMTs) for high power radio-frequency (RF) and high temperature applications is the high gate leakage due to the surface defects and a finite barrier height. To solve this problem, significant progress has been made on metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors (MOS HEMTs) using SiO2, Si3N4, Al2O3 and other oxides.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir elu.sav.sk comme domaine prioritaire
Jeden z hlavných faktorov určujúcich vlastnosti a spolahlivosť III-N tranzistorov pre výkonové a vysokofrekvenčné aplikácie je úroveň zvodov cez hradlo dôsledkom povrchových defektov a konečnej výšky bariéry. Na riešenie problému vysokých zvodov cez hradlo je výhodné pripraviť tranzistor typu kov-oxid-polovodič s vysokou pohyblivosťou elektrónov (MOS HEMTs) použitím SiO2, Si3N4, Al2O3 alebo iných hradlových oxidov. Vyšetrovali sme Al2O3 vrstvy pripravené depozíciou po atomárnych úrovniach (ALD) pri nízkej teplote. Táto technika nám umožňuje použiť fotorezist v samozákrytovom procese. Naviac, je tu možnosť použitia rozličných materiálov pre izoláciu hradla a pasiváciu povrchu v prístupových oblastiach tranzistora (obr. 1).
  Insulation_EN  
Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source
One of the major factors that limits the performance and reliability of III-N high electron mobility transistors (HEMTs) for high power radio-frequency (RF) and high temperature applications is the high gate leakage due to the surface defects and a finite barrier height. To solve this problem, significant progress has been made on metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors (MOS HEMTs) using SiO2, Si3N4, Al2O3 and other oxides.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir elu.sav.sk comme domaine prioritaire
Jeden z hlavných faktorov určujúcich vlastnosti a spolahlivosť III-N tranzistorov pre výkonové a vysokofrekvenčné aplikácie je úroveň zvodov cez hradlo dôsledkom povrchových defektov a konečnej výšky bariéry. Na riešenie problému vysokých zvodov cez hradlo je výhodné pripraviť tranzistor typu kov-oxid-polovodič s vysokou pohyblivosťou elektrónov (MOS HEMTs) použitím SiO2, Si3N4, Al2O3 alebo iných hradlových oxidov. Vyšetrovali sme Al2O3 vrstvy pripravené depozíciou po atomárnych úrovniach (ALD) pri nízkej teplote. Táto technika nám umožňuje použiť fotorezist v samozákrytovom procese. Naviac, je tu možnosť použitia rozličných materiálov pre izoláciu hradla a pasiváciu povrchu v prístupových oblastiach tranzistora (obr. 1).
  Insulation_EN  
Montrer texteMontrer source en cacheMontrer URL avec texte source
Other attractive III-V material systems for MOS HEMTs are heterostructures based on GaAs or InP. Technology for preparation of gate-insulating oxide layer and engineering of the oxide/semiconductor interface represents one of the major challenges as it is in tight relation with density of trap states.
Comparer pages textesComparer pages HTMMontrer URL avec texte sourceMontrer URL avec langue cibleDéfinir elu.sav.sk comme domaine prioritaire
Ďalším materiálovým systémom pre tranzistory typu MOS HEMT sú III-V polovodiče na báze GaAs, resp. InP. Technológia oxidov pre izoláciu hradla a inžinierstvo rozhrania oxid/polovodič predstavuje jednu z hlavných výziev nakolko priamo súvisí so stavmi rozhrania. Viaceré slubné možnosti boli študované, napr. depozícia rôznych pasivačných (AlP, InP, AlOx, Ga2O3/Gd2O3), alebo oxidových (Al2O3) vrstiev pomocou ALD. Náš výskum zahŕňa GaAs/InGaAs MOS HEMT-y s dôrazom na optimalizáciu rozhrania oxide/GaAs. Nedávno sme študovali efekty neinváznej oxidácie povrchu GaAs, t.j. plazmatickej oxidácie a mokrej oxidácie pri UV osvetlení a taktiež pasivácie GaAs povrchu pomocou AlOx vrstvy pripravenej oxidáciou in-situ Al vrstvy narastenej v procese MOCVD, viď. obr. 2. Tieto vrstvy majú vytvoriť vysoko-kvalitné rozhranie oxid/GaAs, ktoré môže slúžiť ako pasivácia alebo izolácia hradla po prekrytí high-κ materiálom.