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Cependant, la crise pétrolière s’étant éloignée, le solaire cesse d’être une priorité dans les années 90. En outre, les cellules tandem à base de GaAs ne répondent pas aux besoins terrestres car trop coûteuses, et le marché spatial reste assez limité. Le CNRS réoriente donc son activité vers le milieu des années 90 et le laboratoire se lance dans l’exploration des nouveaux matériaux semi-conducteurs, dits à large bande interdite. Alors que GaAs à une bande interdite de 1.4 eV correspondant à l’infrarouge proche et bien adaptée au solaire et aux télécommunications, d’autres matériaux comme GaN, ZnSe et SiC ont des bandes interdites de 3-3.5 eV, bien adaptées pour l’émission dans le proche UV et le visible, et pour des transistors de forte puissance. Le laboratoire en profite pour changer de nom en 1992 et devient le CRHEA, Centre de Recherches sur l’HétéroEpitaxie et ses Applications. Derrière ce changement de thématique, le laboratoire conserve son expertise de base, qui est l’épitaxie, c’est-à-dire la croissance cristalline de couches minces sur un substrat, le plus souvent de nature différente des couches, d’où l’appellation HétéroEpitaxie.
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