i but – Japanese Translation – Keybot Dictionary

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This trip began at the end, Sources for Blue Nile south of Lake Tana, in Ethiopia (http://www.viajesalpasado.com/de-etiopia-a-uganda-viaje-a-las-fuentes-del-nilo-i/), but had to end, necessarily, in Olmeda de las Fuentes. One winter morning sky Velazquez finally headed there from Madrid on the A-3 (Valencia Road). Past the turnoff to Perales Tajunya Take the M-204 in the direction of Tiel, Carabaña and Oruscoby a plain rich in vineyards and olive trees that runs parallel to the course of Tajunya. And Villar del Olmo is the final detour to Olmeda, five miles in which is gaining altitude toward the hill where sits the birthplace of Paez. After a roundabout, surprisingly, burst into the landscape of the town of white houses on the hillside overlooking the valley of the Arroyo, a mirage of Andalusia a step of Alcarria. Among elms, dwarf poplars and get to the foot of the village, siesta now the sun desktop.
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この旅行は終わりに始まった, タナ湖の青ナイル南のソース, エチオピアの (http://www.viajesalpasado.com/de-etiopia-a-uganda-viaje-a-las-fuentes-del-nilo-i/), しかし、終了していた, 必ずしも, Olmedaデラスフエンテスで. ある冬の朝空ベラスケスは、最終的に3日にマドリードからそこに向かって (バレンシアの道). にターンオフ過去 ペラレスTajunya の方向にM-204を取る Tielの, カラバニャとOruscoTajunyaのコースに平行に実行されるブドウ畑やオリーブの木で平野が豊富で. の ヴィラー·デル·オルモ Olmedaへの最終的な回り道です, パエスの発祥の地を座って丘に向かって高度を増している5マイル. ラウンドアバウトの後, 驚くほど, アロヨの谷を見下ろす丘の上の白い家の町の風景にバースト, の蜃気楼 アンダルシア アルカリアのステップ. ニレの間で, ポプラを矮小、村のふもとに着く, 今昼寝太陽のデスクトップ.
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The SiO2/Si(001) has been one of the most important interfaces in silicon semiconductors and related silicon nanotechnologies. Due to its significance, therefore, much works have been done to understand the roughening mechanism of silicon oxidation not only on surface [1], but also at interface [2]. In this work, morphological evolution at the interface between the Si(001) substrate and the thermal SiO2 film grown at the oxidation temperature between 1000 and 1380oC in a dilute oxygen/Ar atmosphere were systematically studied by atomic force microscopy (AFM) and synchrotron radiation X-ray reflectivity (XRR) measurements as a function of oxidation temperature and time, and miscut angle of the substrates. The AFM results show that thermal oxidation causes interface roughening with forming step-terrace structures (Region II in Fig. 1) between 1150-1250oC and then smoothened during the thermal oxidation above 1250oC (Region III in Fig. 1) independent of miscut angles below 4 deg. The interface roughening and smoothening possibly relates to the temperatures of which determine the viscosity of the growing SiO2 film. The XRR measurements on the as-grown silicon oxide films support the presence of the temperature dependences. As seen in Fig. 2, σi-s is constant in region (I), but it becomes extremely rough from Tox = 1150oC with the roughness (RMS) reaching a maximum at Tox = 1250oC in region (II). It then gradually becomes smaller in region (III), in accordance with the AFM results in Fig. 1. The temperature dependence of interface and surface roughening in Fig. 2 indicates that there is an apparent temperature dependent mechanism of how the strain induced by oxidation relives at the growing interface between Si and silicon oxide film and in the whole region of silicon oxide films.
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SiO2/Si (001) 界面はシリコンおよびシリコン関連のナノテクノロジおいて最も重要な界面の1つである。したがって、その重要性のゆえに酸化により引き起こされるシリコン表面および酸化膜界面でのラフネスのメカニズムを解明するために多くの研究がなされてきている[1, 2]。この研究では、アルゴン酸素ガス雰囲気中で高温熱酸化した酸化膜とシリコン基板との界面の形態を酸化温度、酸化時間、基板のミスカットを関数として、原子間力顕微鏡 (AFM) と放射光X線反射率測定 (XRR) により系統的に調べた[3]。熱酸化後エッチングにより熱酸化膜を除去したSi (100) 基板をAFM観察した結果から、熱酸化温度が1150oC以下で界面ラフネスは顕著に変化しないこと［図1の領域(I)：安定化領域］、1150-1250oCでステップテラス構造が界面に形成することによりラフネス (RMS) が急激に増加すること［図1の領域(II)：不安定化領域］、酸化温度が1250oC以上では基板のミスカット (< 4o) に依存せず平坦化する［図1の領域(III)：安定化領域］ことが分かった。この酸化温度に依存した反応界面の安定化－不安定化転移の現象は熱酸化膜の粘性温度に密接に関連している。すなわち、熱酸化膜全体の歪み量、界面領域の歪み量により界面のラフネスが変化することを示唆している。XRRによる非破壊測定の結果はこの温度に依存性した界面形態の不安定化－安定化転移が酸化膜内の歪みの緩和機構に依存していることを支持している。確かに、図2に見られるようにXRRで求めたラフネスは、AFMで得られた結果と同様に酸化温度1150oCから1250oCまで急激に増加し［図2の領域(II)］、1250oCで最大となり、その後徐々に減少する［図2の領域(III)］。さらに、XRR測定では酸化膜の表面、酸化膜と中間層の界面のラフネスの酸化膜依存性を同時に求めることができ、その結果はシリコンとシリコン酸化膜の界面のラフネスが酸化膜内での歪み解放の機構に支配されていることを示している。