bast – Traduction – Dictionnaire Keybot

Spacer TTN Translation Network TTN TTN Login Deutsch English Spacer Help
Langues sources Langues cibles
Keybot 3 Résultats  toshiba.semicon-storage.com
  LDO Regülatörleri | TOS...  
Yüksek dalgalanma bastırma oranı:
Taux élevé de réjection des ondulations :
Hohe Dämpfung der Restwelligkeit:
Alta relación de rechazo al rizado (RR):
Rapporto di reiezione ripple elevato:
VNO = 20 µVrms (標準) @ 3.0 V 出力、IOUT = 10 mA、10 Hz < f < 100 kHz
Wysoki współczynnik tłumienia tętnień:
Высокий коэффициент подавления пульсаций:
  LDO Regülatörleri | TOS...  
Düşük gürültü çıkışı, yüksek dalgalanma bastırma oranı, yüksek hızlı yüklerde mükemmel tepkisellik ve düşük yitim özelliklerine sahip ve yeni geliştirilen mikro CMOS işlemi kullanan 200mA çıkış tekli LDO regülatör.
Régulateur LDO 200 mA mono à faible niveau de bruit en sortie, taux de réjection des ondulations élevé, excellente réponse à grande vitesse et faible perte de niveau et qui utilise un tout nouveau procédé micro-CMOS.
LDO-Regler mit einem 200-mA-Ausgang verfügt über geräuscharmen Ausgang, hohe Dämpfung der Restwelligkeit, hervorragendes Reaktionsverhalten bei Highspeed-Lasten und geringem Dropout. Dabei kommt ein neu entwickelter Mikro-CMOS-Prozess zum Einsatz.
Regulador LDO único con salida de 200 mA y baja en ruido, alta relación de rechazo del rizado, excelente respuesta bajo cargas de alta velocidad y bajo voltaje drop-out; utiliza un nuevo micro-proceso CMOS, recientemente desarrollado.
Regolatore LDO singolo con uscita 200 mA con a basso rumore, rapporto di reiezione di ripple elevata, eccellente reattività sotto carichi ad alta velocità e basso drop-out, e che utilizza un processo micro CMOS di recente realizzazione.
Pojedynczy regulator LDO z wyjściem 200 mA, z niskim poziomem szumów wyjściowych, wysokim współczynnikiem tłumienia tętnień, doskonałą responsywnością przy dużych obciążeniach i niskim napięciem drop-out, wykorzystujący nowo opracowany proces technologiczny micro CMOS.
Регуляторы с малым падением напряжения имеют выходное напряжение 200 мА и один выход, отличаются низким уровнем шума, высоким коэффициентом подавления пульсаций, превосходной чувствительностью при высокоскоростной нагрузке и низким напряжением отпускания. В них используется новая технология микро-КМОП.
  LDO Regülatörleri | TOS...  
Bu ürün, 18μVrms'lik düşük gürültü çıkışı (2,5 V çıkış), yüksek frekansta (2,5 V çıkış, f = 10 kHz) 62 dB'lik mükemmel kıpırtı bastırma oranı, yüksek ΔVOUT = ± 65 mV yüklerinde (IOUT = 1 mA ⇔ 150 mA, COUT = 1,0 μF) mükemmel tepkisellik ve 80 mV'luk düşük yitim özellikleri (2,5 V çıkışı, IOUT = 100 mA) elde eder.
200mA output single LDO regulator featuring low-noise output, high ripple rejection ratio, excellent responsiveness under high-speed loads and low drop-out, and that uses a newly developed micro CMOS process.
Ce produit offre un niveau de bruit de seulement 18 µVrms (2,5 V en sortie), un excellent taux de réjection des ondulations de 62 dB à une fréquence élevée (2,5 V en sortie, f = 10 kHz), une excellente réactivité à des vitesses atteignant ΔVOUT = ± 65 mV (IOUT = 1 mA ⇔ 150 mA, COUT = 1,0 μF), ainsi que des caractéristiques de perte de niveau de 80 mV (2,5 V en sortie, IOUT = 100 mA).
Dieses Produkt erzielt einen geräuscharmen Ausgang von 18 μVrms (2,5-V-Ausgang), eine hervorragende Dämpfung der Restwelligkeit von 62 dB bei hohen Frequenzen (2,5-V-Ausgang, f = 10 kHz), ein hervorragendes Reaktionsverhalten bei Highspeed-Lasten ΔVOUT = ±65 mV (IOUT = 1 mA ⇔ 150 mA, COUT = 1,0 μF) sowie einen geringen Dropout von 80 mV (2,5 V Ausgang, IOUT = 100 mA).
Este producto logra un salida de bajo ruido de 18 μVrms (salida de 2,5 V), una excelente relación de rechazo del rizado, 62 dB a alta frecuencia (salida de 2,5 V, f = 10 kHz), excelente respuesta ante cargas de alta velocidad ΔVOUT = ± 65 mV (IOUT = 1 mA ⇔ 150 mA, COUT = 1,0 μF) y bajo voltaje drop-out, de 80 mV (salida de 2,5 V, IOUT = 100 mA).
Questo prodotto riesce ad offrire un'uscita a basso rumore di 18 μVrms (uscita 2,5 V), un'eccellente rapporto di reiezione ripple di 62 dB ad alte frequenze (uscita 2,5 V, f = 10 kHz), eccellente reattività sotto carichi ad alta velocità di ΔVOUT = ± 65 mV (IOUT = 1 mA ⇔ 150 mA, COUT = 1.0 μF), e caratteristiche di basso drop-out di 80 mV (uscita 2,5 V, IOUT = 100 mA).
Produkt charakteryzuje się niskim poziomem szumów wyjściowych 18 μVrms (wyjście 2,5 V), doskonałym współczynnikiem tłumienia tętnień 62 dB przy dużej częstotliwości (wyjście 2,5 V, f = 10 kHz), doskonałą responsywnością przy dużych szybkościach ΔVOUT = ± 65 mV (IOUT = 1 mA ⇔ 150 mA, COUT = 1,0 μF), a także niską wartością napięcia drop-out 80 mV (wyjście 2,5 V, IOUT = 100 mA).
Данный продукт обеспечивает низкий уровень шума 18 мкВрмс (выходное напряжение 2,5 В), отличный коэффициент подавления пульсаций 62 дБ при высокой частоте (выходное напряжение 2,5 В, f = 10 кГц), превосходную чувствительность при высокоскоростной нагрузке ΔVOUT = ±65 мВ (IOUT = 1 мА ⇔ 150 мА, COUT = 1,0 мкF) и низкий уровень напряжения отпускания 80 мА (выходное напряжение 2,5 В, IOUT = 100 мА).