cce – -Translation – Keybot Dictionary

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Toshiba propose les e ·MMC™ et UFS, une famille de mémoires flash NAND de grande capacité qui intègre un contrôleur dans un boîtier. Ces solutions NAND offrent le Code de correction d'erreurs (CCE) et d'autres fonctions de commande, optimisés par Toshiba pour chaque génération de technologie NAND.
Toshiba offre e MMC™ e UFS, una famiglia di memorie NAND Flash di elevata capacità, che integrano un controller in un unico package. Queste soluzioni NAND forniscono ECC e altre funzioni di controllo, ottimizzate da Toshiba per ciascuna generazione della tecnologia NAND.
由于在技术规格和ECC要求上的变化,几乎每一代工艺的NAND闪存在操作方面都会随之发生相应的变化,特别是对MLC NAND闪存而言。东芝专门针对每一代NAND闪存开发的集成控制器芯片能够为这些必要操作提供解决方案。使用带有集成控制器芯片的NAND闪存解决方案,可以更轻松地构建主机内存应用系统。
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Si vous optez pour des puces NAND (mémoire flash NAND) brutes, CCE (Code de correction d'erreurs), la gestion des blocs défectueux, la conversion d'adresse logique en adresse physique, la répartition de l'usure (une technique permettant de répartir uniformément les ré-écritures sur un réseau de mémoires) et d'autres fonctions de commande doivent être mises en œuvre côté hôte.
If you opt for raw NAND(NAND Flash Memory) chips, ECC(Error Correction Code), bad-block management, logical-to-physical address conversion, wear leveling (a technique for distributing re-writes evenly across a memory array) and other control functions must be implemented on the host side. With evolving NAND manufacturing processes, ECC is becoming notably more sophisticated, imposing heavier burdens on the host processor, especially for large-capacity NAND.
Se si opta per chip NAND raw (memoria NAND flash), ECC (Error Correction Code), gestione blocchi guasti, conversione dell'indirizzo da logico a fisico, wear leveling (una tecnica per distribuire le riscritture uniformemente nell'array di memoria) e altre funzioni di controllo devono essere implementate sul lato host. Con l'evoluzione dei processi di produzione delle memorie NAND, ECC sta diventando sempre più sofisticato, imponendo oneri più gravosi sul processore host, in particolare per le NAND di grande capacità.
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Si vous optez pour des puces NAND (mémoire flash NAND) brutes, CCE (Code de correction d'erreurs), la gestion des blocs défectueux, la conversion d'adresse logique en adresse physique, la répartition de l'usure (une technique permettant de répartir uniformément les ré-écritures sur un réseau de mémoires) et d'autres fonctions de commande doivent être mises en œuvre côté hôte.
If you opt for raw NAND(NAND Flash Memory) chips, ECC(Error Correction Code), bad-block management, logical-to-physical address conversion, wear leveling (a technique for distributing re-writes evenly across a memory array) and other control functions must be implemented on the host side. With evolving NAND manufacturing processes, ECC is becoming notably more sophisticated, imposing heavier burdens on the host processor, especially for large-capacity NAND.
Se si opta per chip NAND raw (memoria NAND flash), ECC (Error Correction Code), gestione blocchi guasti, conversione dell'indirizzo da logico a fisico, wear leveling (una tecnica per distribuire le riscritture uniformemente nell'array di memoria) e altre funzioni di controllo devono essere implementate sul lato host. Con l'evoluzione dei processi di produzione delle memorie NAND, ECC sta diventando sempre più sofisticato, imponendo oneri più gravosi sul processore host, in particolare per le NAND di grande capacità.