gaas – Übersetzung – Keybot-Wörterbuch

  11 Treffer posada-real-puerto-escondido-puerto-escondido.hotelspuertoescondido.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Cruising in Gaas
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigengays-cruising.com als Prioritätsdomäne definieren	Drague à Gaas
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigengays-cruising.com als Prioritätsdomäne definieren	Homosexuell Cruising in Gaas
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigengays-cruising.com als Prioritätsdomäne definieren	Cruising en Gaas
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigengays-cruising.com als Prioritätsdomäne definieren	Battuage a Gaas
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigengays-cruising.com als Prioritätsdomäne definieren	Pegação em Gaas
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  32 Treffer photo-art-hofmann.fotograf.de  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	For the detection a 1m additive double monochromator as well as a 0.75 m single UV-monochromator can be used at which, depending on the spectral range, a GaAs-photodiode, a Bi-Alkali-photomultiplier or a multi-channel-plate (MCP) with different cathode materials can be mounted.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenifkp.tu-berlin.de als Prioritätsdomäne definieren	Für die Detektion wird ein 1 m additiver Doppelmonochromator, sowie ein 0,75 m einfach UVMonochromator verwendet, an welche je nach Spektralbereich eine GaAs-Photodiode, ein Bi-Alkali-Photmultiplier oder eine Multi-Channel-Plate (MCP) mit verschiedenen Kathodenmaterialien angeschlossen werden kann.

  www.airwatec.be  

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Very critical are the thermal processes, as for the processing of SiC circuits very high temperature is required, especially for electrical activation of dopants Al, B (p-doping), N or P (n-doping). The furnaces for silicon carbide processing must be able to reach up to 2000°C, while for the production of circuits from silicon or GaAs temperatures up to 1200°C are usually sufficient.

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Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse, da für die Prozessierung von SiC-Schaltkreisen sehr hohe Temperaturen erforderlich sind, insbesondere für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung). Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es Hochtemperatur-Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi2-Heizern bzw. Graphit-Heizern erreichen können.

  36 Treffer postmaster.gmx.com  

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Most of the previous experiments were conducted at low temperatures because, even though strong coupling can be achieved up to room temperature in GaAs and CdTe systems, their low excitonic stability greatly limits their applications at ambient temperature and / or high density.

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La plupart des expériences précédentes ont été menées à basse température car, même si le couplage fort peut être obtenu jusqu’à température ambiante dans les systèmes GaAs et CdTe, leur faible stabilité excitonique limite fortement leurs applications à température ambiante et/ou sous forte densité de particules. Pour y remédier, il faut développer des matériaux à grande force de liaison excitonique, comme le GaN et le ZnO, qui sont les matériaux de choix au CRHEA.

  www.aaaglassbeads.com  

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The study of semiconductor materials has been an important issue since the beginning of CMAM and a large list of IV, III-V and II-VI systems have been analyzed: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc.

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El estudio de materiales semiconductores ha sido un tema importante desde el inicio del CMAM y se han analizado hasta la actualidad un extenso número de sistemas IV, III-V y II-VI: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc. En los últimos años, el CMAM ha estado especialmente involucrado en proyectos para el desarrollo de semiconductores de gap ancho, en colaboración con el ISOM de la Universidad Politécnica de Madrid.

  www.truenorthinsight.org  

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Established semiconductor materials like GaAs, InP, and GaN, silicon-based (Si, SiGe) are of special interest, as they allow the additional integration of electronic read-out circuitry and signal processing.

Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigengrk1564.uni-siegen.de als Prioritätsdomäne definieren

Ziel dieses Teilprojektes ist die Entwicklung und grundlegende Evaluierung von THz-Detektoren, die eine Realisierung von kompakten THz-Kamerasystemen ermöglichen. Dabei sollen transistorbasierte Konzepte und bolometrische Ansätze untersucht werden. Entsprechende Detektoren und Hochfrequenzschaltungen werden es erlauben, THz-Signale mit hoher Effizienz und Bandbreite zu detektieren. Es sollen neuartige Detektionskonzepte für bildgebende THz-Systeme realisiert werden. Neben Halbleitermaterialien wie GaAs, InP, GaN sind besonders Silizium-basierte (Si, SiGe) Bauelemente von Interesse, die eine kosteneffiziente Integration von Ausleseelektronik und Signalverarbeitung ermöglichen. Silizium-basierte Sensoren erlauben eine hohe System-Integration und ermöglichen Single-Chip Lösungen bei niedrigen Kosten.

  2 Treffer www.bacatec.de  

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This project focuses on the further development of integrated semiconductor quantum optical circuits in which quantum dot single photon sources, passive optical elements (cavities, waveguides, beam splitters) and superconducting single photon detectors (SSPDs) are combined on a single semiconductor chip. The participating groups at TUM and Stanford pool their expertise in the development of NbN SSPDs (TUM) and the design and realization of GaAs based photonic nanostructures (Stanford).

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Das Ziel dieses Projekts ist die Weiterentwicklung eines auf Halbleiter basierten, quanten-photonischen Schaltkreises, in dem Quantenpunkt-Einzelphotonenemitter, passive optische Elemente (Resonatoren, Wellenleiter, Strahlteiler) und supraleitende, Einzelphotonendetektoren (SSPDs) auf einem gemeinsamen Chip kombiniert werden. Die beiden Partner dieses Projekts, TU München und Stanford University, vereinen darin ihre jeweilige Expertise in der Entwicklung von NbN SSPDs (TUM) und in Design und Entwicklung von GaAs-basierten photonischen Nanostrukturen (Stanford). Die SSPD-Technologie vereint hierbei mehrere Vorteile, wie etwa geringe Größe, hohe Quanteneffizienz, hohe Zeitauflösung, niedrige Dunkelzählrate und große Wellenlängen-Bandbreite. Die grundlegende Machbarkeit dieser NbN/GaAs-Quantenphotonischen-Hybridtechnologie wurde bereits in einem vorangehenden BaCaTeC-Projekt demonstriert. Die Partner werden nun im Rahmen des gegenwärtigen Projekts versuchen den nächsten Schritt, nämlich die deterministische Erzeugung eines photonischen Quantenzustands auf einem gemeinsamen Chip, in Angriff zu nehmen.

  7 Treffer www.akm.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	GaAs (Low Drift)
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenakm.com als Prioritätsdomäne definieren	GaAs（低ドリフト）

  12 Treffer www.caminosurf.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Luminescent properties of GaAsBi /GaAs double quantum well heterostructures
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenikz-berlin.de als Prioritätsdomäne definieren	Strain Engineering of Monoclinic Domains in KxNa1-xNbO3 Epitaxial Layers: A Pathway to Enhanced Piezoelectric Properties

  4 Treffer parl.gc.ca  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Rather than being given the ability to override GAAP and GAAS, OSFI can, we believe, continue to receive information to make decisions relative to capital adequacy through the provision of separate reporting.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenparl.gc.ca als Prioritätsdomäne definieren	Plutôt que de donner au BSIF la possibilité de déroger aux PCGR et aux NVGR, nous pensons qu'on devrait au contraire lui permettre de continuer à recevoir des informations lui permettant de se prononcer sur le caractère adéquat ou non du capital sous forme de rapports distincts.

  www.st-barths.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Kick-off Les Voiles de Saint Barth 2012 Caribbean regatta in the magical French West Indies sailing paradise! Today the pres­ti­gious and top-class Caribbean sail­ing regatta Les Voiles de St. Barth 2012 with Gaas­tra Sports­wear as the offi­cial part­ner starts: At the third edi­tion run...
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenst-barths.com als Prioritätsdomäne definieren	Tempête Tropicale MARIA : St Barth et St Martin en vigilance ORANGE. A 11 heures locales, le centre est localisé par 14.2 Nord et 57.5 Ouest soit à environ 717 km au sud est de l’archipel des îles du nord.. Caractéristiques du cyclone Maria : Intensité du cyclone : Tempête Tropicale Vent...

  3 Treffer www.amerikanistik.uni-bayreuth.de  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	German Association for American Studies (GAAS)
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenamerikanistik.uni-bayreuth.de als Prioritätsdomäne definieren	Deutsche Gesellschaft für Amerikastudien (DGfA)

  2 Treffer www.acoa-apeca.gc.ca  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	ACOA will ensure consistency in the understanding and application of the annual reviews related to external auditors’ management letters from CBDCs which are a requirement of generally accepted auditing standards (GAAS) and also our contribution agreements.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenacoa-apeca.gc.ca als Prioritätsdomäne definieren	Réponse de la direction:  Accueillie favorablement.  L’APECA assurera l’uniformité concernant la compréhension et l’application des examens annuels liés aux lettres des vérificateurs externes à l’intention de la direction provenant des CBDC, lesquelles sont exigées en vertu des normes de vérification généralement reconnues (NVGR) et aussi des ententes de contribution.

  www.croftport.com  

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The extremely high process stability realized by this way of working is the supposition for high First Pass Yields (FPY) and volume on one side, but for TESAT the decisive point is to satisfy highest quality requirements in space projects with low volume. Existing production experience is 67,000 highly integrated TRX-RF-modules using LTCC-multilayer-technology and includes attach of roughly 890,000 GaAs-MMICs.

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Die bestehende Produktionserfahrung umfasst 67.000 hoch integrierte TRX-RF-Module in LTCC-Mehrlagen-Technologie und die Verarbeitung von 890.000 Gallium-Arsenid-MMICs. Dieses Volumen wurde bei einem First Pass Yield (FPY) von >90 % gefertigt. Neueste Prozessentwicklungsschritte versprechen einen stabilen FPY von >95 %.

  4 Treffer www.futaba-ac.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Broadband GaAs amplifier technology
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenpbnglobal.com als Prioritätsdomäne definieren	支持 PBN NMSE 网管软件和 ASMM Web 界面远程管理

  www.cap.ca  

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The high precision light scattering technique has been important in advancing the physics of low-dimensional semiconductor structures in Canada. Lockwood’s measurements demonstrated opening of gaps in phonon bands in Si/SiGe and GaAs/GaAlAs superlattices grown at the NRC.

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M. Lockwood a largement contribué au domaine de la diffusion inélastique de la lumière appliquée à l’élucidation des excitations électroniques des solides magnétiques. Le livre sur la diffusion de la lumière dans les solides magnétiques (Light scattering in magnetic solids), dont M. Cottam est coauteur, est devenu un ouvrage de référence en ce domaine. La technique de diffusion de la lumière à haute précision a été importante pour l’avancement de la physique des structures de semi-conducteurs de faibles dimensions au Canada. Les mesures de M. Lockwood ont démontré l’ouverture d’intervalles de bande de phonons dans les super-réseaux Si/SiGe et GaAs/GaAlAs, mis au point au CNRC. Ses expériences électroniques de résonance Raman étaient parmi les premières à démontrer les phonons et les excitations électroniques quantifiées dans des structures de dimension zéro, points quantiques des semiconducteurs.

  10 Treffer www.bavariaworldwide.de  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Goals of the GAAS
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigengaas.dsl.ge als Prioritätsdomäne definieren	gaasgeorgia@gmail.com

  www.vanwylick.de  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Promotion of local initiatives for natural resource protection (PILPRN project), implemented by the NGO GAAS MALI.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenstaging.gcca.eu als Prioritätsdomäne definieren	Le Développement de la filière gomme arabique dans la région de Kayes est mis en œuvre par l’ONG AVSF.

  www.reviveourhearts.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Activities of the department are focused on the characterization of materials and structures destined for use in optoelectronics and microelectronics. Major attention has been paid to III-V materials, binaries GaP, InP, GaAs and GaSb, ternaries InGaP, AlGaAs and quaternary InGaAsP.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenufe.cz als Prioritätsdomäne definieren	Výzkumný tým se zaměřuje na studium elektronických a optických jevů na povrchu a rozhraní nanomateriálů vyvolané dopadem fotonů, iontů, elektronů a adsorbcí plynů za účelem jejich využití pro senzorické aplikace, jako zdrojů světelného záření a pro vylepšení nanodiagnostických schopností analytických metod.

  2 Treffer www.zumsteinbock.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	After the antenna input two MGA-81 GaAs MMIC amplifiers follow, one serves the input, the other the output path. The amplifiers ICs can be selected in and out of the signal path by RF switches (SKY13317).
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenwimo.de als Prioritätsdomäne definieren	Après l'entrée de l'antenne, deux amplificateurs MMIC MGA-81 GaAs se suivent, l'un sert à l'entrée, l'autre la sortie. Les circuits intégrés des amplificateurs peuvent être sélectionnés dans et hors du parcours du signal par des commutateurs HF (SKY13317).
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenwimo.de als Prioritätsdomäne definieren	Dopo l'ingresso dell'antenna sono presenti due amplificatori GaAs MMIC MGA-81, uno serve l'ingresso, l'altro il percorso di uscita. Gli IC amplificatori possono essere inseriti o esclusi dal percorso del segnale tramite gli interruttori RF (SKY13317).

  salanguages.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) overcome the limitations of silicon microchips and opens a new era in the design of electronic components, which are integrated circuits that operate in the microwave frequency. These types of circuits are based on semiconductor compounds, such as Gallium Arsenide (GaAs), which downsize dramatically, up to 1 - 10 mm2.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenteleves.es als Prioritätsdomäne definieren	As far as TV distribution, Televes will complete the range of successful T.0X headends with the presentation of HEXA, compact transmodulators that can allocate up to six satellite transponders into six independent QAM channels. The company will also announce new references for NevoSwitch multiswitches for potential scenarios involving the transition from DBV-T to DVB-T2.

  signon-project.eu  

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His key contributions are development of the Poisson brackets method of design of nonimaging optics, the development of the SMS design method for nonimaging optics, the first rigorous proof of the Edge Ray Principle for continuous systems, the introduction of a new etendue invariant in the field (for 2D-subdomains of phase space) in nonimaging optics, the calculation of the thermodynamic limits of concentration for non-homogeneous extended sources, and development of the theory and applications of internal and external confinement limits in solar cells, which allowed the construction of a concentration system with GaAs and Si cells

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Miñano ha hecho muchas contribuciones significativas al campo de la óptica sin formación de imagen. Sus trabajos en el área de ópticas para iluminación y concentración son incontables, innovadores y prácticos. Su investigación ha tenido un enorme impacto en el área de los concentradores solares, y en la eficiencia de la iluminación con fuentes LED. Sus contribuciones principales son: el desarrollo del método de diseño de ópticas sin formación de imágenes de lodsparéntesis de Poisson el desarrollo del sistema de diseño SMS para ópticas sin formación de imagen, la primera demostración rigurosa del principio del rayo del borde para sistemas continuos, la introducción de una nueva invariancia en el campo de la eficacia óptica (para subdominios 2D del espacio de fases) en ópticas sin formación de imagen, el cálculo de los límites termodinámicos de la concentración para fuentes extensas no homogéneas, y el desarrollo de la teoría y aplicaciones de los límites de confinamiento interno y externo en células solares, que ha hecho posible la construcción de un sistema de concentración con células de GaAs y Si.

  www.lenntech.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Analog integrated circuits are the most common application for gallium, with optoelectronic devices (mostly laser diodes and light-emitting diodes) as the second largest end use. Gallium has semiconductor properties, especially as gallium arsendite (GaAs).
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenlenntech.com als Prioritätsdomäne definieren	Reines Gallium ist keine schädliche Substanz bei Hautkontakt durch den Menschen. Es wird häufig berührt, weil man davon beeindruckt ist, dass es in der Hand schmilzt, woraufhin es Flecken auf dieser hinterlässt. Die radioaktive Verbindung 67-Ga-Citrat kann sogar in den Körper eingespritzt werden und für Galliumabtastung ohne schädliche Effekte benutzt werden. Obgleich es nicht schädlich ist, sollte Gallium nicht in großen Dosen gebraucht werden.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenlenntech.com als Prioritätsdomäne definieren	El galio es semejante químicamente al aluminio. Es anfótero, pero poco más ácido que el aluminio. La valencia normal del galio es 3+ y forma hidróxidos, óxidos y sales. El galio funde al contacto con el aire cuando se calienta a 500ºC (930ºF). Reacciona vigorosamente con agua hirviendo, pero ligeramente con agua a temperatura ambiente. Las sales de galio son incoloras; se preparan de manera directa a partir del metal, dado que la purificación de éste es más simple que la de sus sales.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenlenntech.com als Prioritätsdomäne definieren	Circuiti integrati analogici costituiscono l'impiego più comune del gallio, insieme ai dispositivi optoelettronici (soprattutto diodi laser e diodi luminescenti) che sono il secondo inpiego piu' diffuso del gallio. Il gallio ha proprietà semiconduttrici, particolarmente in forma di arsendite di gallio (GaAs), che e' in grado di convertire elettricita' in luce ed è usata nei diodi luminescenti (LED) per la visualizzazione elettronica e di orologi.

  4 Treffer laurencejenk.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	13. M. M. de Lima, Jr., W. Seidel, F. Alsina and P. V. Santos. Focusing of surface-acoustic-wave fields on [100] GaAs surfaces. Journal of Applied Physics. 94, 7848-7855 (2003).
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenejta.org als Prioritätsdomäne definieren	9. A. Gantner, Mathematical modeling and numerical simulation of piezoelectrical agitated surface acoustic waves. Ph.D. Thesis. Faculty of Mathematics and Natural Sciences, University of Augsburg, Germany (2005).

  2 Treffer j-deite.jp  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	KU PA 10201050-30 A, GaAs-FET Power Amplifier
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenkuhne-electronic.de als Prioritätsdomäne definieren	KU PA 510590-10 A, Leistungsverstärker

  2 Treffer www.philhist.uni-augsburg.de  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	German Association for American Studies (GAAS)
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenphilhist.uni-augsburg.de als Prioritätsdomäne definieren	Deutsches Gesellschaft für Amerikastudien (DGfA)

  www.jaxa.jp  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	GaAs Solar Cell - Flexible Solar Paddle: Approx. 5.3kW(EOL)
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenjaxa.jp als Prioritätsdomäne definieren	楕円軌道：2日9周回準回帰軌道（当初計画：静止衛星軌道（東経121度））

  10 Treffer research02.jimu.kyutech.ac.jp  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	English , Photoluminescence dynamics due to exciton and free carrier transport in GaAs/AlAs superlattices , Physica E , vol.42 (10) (p.2655 - 2657) , 2010.09 , R. Kido,A. Satake,and K. Fujiwara
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenresearch02.jimu.kyutech.ac.jp als Prioritätsdomäne definieren	英語 、 Photoluminescence dynamics due to exciton and free carrier transport in GaAs/AlAs superlattices 、 Physica E 、 42巻 10号 （頁 2655 ～ 2657） 、 2010年09月 、 R. Kido,A. Satake,and K. Fujiwara

  16 Treffer nutritionstudies.org  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Hybrid GaAs/AlGaAs nanowire --- quantum dot system for single photon sources
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenman.dtu.dk als Prioritätsdomäne definieren	Presented at: Nanostructures: Physics and Technology

  www.frontier.phys.nagoya-u.ac.jp  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	GaAs Triple Junction cell
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenfrontier.phys.nagoya-u.ac.jp als Prioritätsdomäne definieren	GaAsトリプルジャンクション型セル