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Keybot      1'228 Results   230 Domains   Page 5
  15 Hits www.dailysummit.net  
GaAs nanowires
Nanofils de GaAs
  2 Hits www.czechleaders.com  
GaAs - Gallium Arsenide
GaAs - Galliumarsenid
  3 Hits www.iis.fraunhofer.de  
SiGe and III-V for professional applications: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT
SiGe and III-V für professionelle Anwendungen: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT
  32 Hits www.kyosemi.co.jp  
GaAs Photodiodes
GaAs光电二极管
  childalert.be  
In future, spectroscopic methods such as ICP-OES, FAAS and GAAS will predominate in the determination of heavy metals.
À l’avenir, le dosage des métaux lourds se fera essentiellement à l’aide de méthodes spectroscopiques de type ICP-OES, FAAS ou GAAS.
  4 Hits akitauinfo.akita-u.ac.jp  
GaAs-pin/Ferroelectric liguid crystal spatial light modulator and its applications
Thresholding Characteristics of an Optically Addressable GaAs-pin/Ferroelectric Liquid Crystal Spatial Light Modulator and Its Applications
  2 Hits www.sunplazahotel.co.jp  
Highly productive compound semiconductor crystals such as GaAs, InP, germanium or CaF2
hoch produktiven Verbindungshalbleiterkristallen, wie GaAs, InP, Germanium oder CaF2
  energia.elmedia.net  
International experts from public and private sectors will gather at the 4th Annual Baltic Energy Summit sponsored by Gasum, Eesti Gaas, Roedl & Partner, Fortum, E.ON Ruhrgas, ABB and Vopak ...
Топлофикация София ЕАД предлага в бизнес плана за тази година програма за стабилизиране на производството и модернизация на съоръженията в топлоизточниците. ...
  3 Hits www.izm.fraunhofer.de  
Process steps for GaAs TC bonding
Thermocompression Bonding
  5 Hits researchers.adm.konan-u.ac.jp  
English , “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” (共著) , Phys. Rev. B , vol.61 (8) (p.5535 - 5539) , 2000 , T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
英語 、 “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” (共著) 、 Phys. Rev. B 、 61巻 8号 (頁 5535 ~ 5539) 、 2000年 、 T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
  www.soitec.com  
Acquisition by IntelliEPI of the gallium arsenide (GaAs) epitaxy business from Soitec's Specialty Electronics subsidiary
IntelliEPI acquiert l’activité épitaxie d'arséniure de gallium (GaAs) de la filiale Specialty Electronics de Soitec
  67 Hits www.brl.ntt.co.jp  
Optical Properties of GaAs Quantum Dots Formed in (Al,Ga)As Nanowires
(Al,Ga)Asナノワイヤ中に形成されたGaAs量子ドットの光学特性
  4 Hits www.deib.polimi.it  
analytical and experimental studies of elemental and compound semiconductor devices (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) and organic devices
studi teorico-sperimentali di dispositivi a semiconduttore semplice e composto (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) e organici
  6 Hits www.nims.go.jp  
COHERENT PHONONS: GaAs
コヒーレントフォノン:ガリウム砒素
  2 Hits www.hkfw.org  
Gaas Oleg
Гаас Олег
  www.st-barths.com  
Kick-off Les Voiles de Saint Barth 2012 Caribbean regatta in the magical French West Indies sailing paradise! Today the pres­ti­gious and top-class Caribbean sail­ing regatta Les Voiles de St. Barth 2012 with Gaas­tra Sports­wear as the offi­cial part­ner starts: At the third edi­tion run...
Tempête Tropicale MARIA : St Barth et St Martin en vigilance ORANGE. A 11 heures locales, le centre est localisé par 14.2 Nord et 57.5 Ouest soit à environ 717 km au sud est de l’archipel des îles du nord.. Caractéristiques du cyclone Maria : Intensité du cyclone : Tempête Tropicale Vent...
  12 Hits www.caminosurf.com  
Luminescent properties of GaAsBi /GaAs double quantum well heterostructures
Strain Engineering of Monoclinic Domains in KxNa1-xNbO3 Epitaxial Layers: A Pathway to Enhanced Piezoelectric Properties
  4 Hits parl.gc.ca  
Rather than being given the ability to override GAAP and GAAS, OSFI can, we believe, continue to receive information to make decisions relative to capital adequacy through the provision of separate reporting.
Plutôt que de donner au BSIF la possibilité de déroger aux PCGR et aux NVGR, nous pensons qu'on devrait au contraire lui permettre de continuer à recevoir des informations lui permettant de se prononcer sur le caractère adéquat ou non du capital sous forme de rapports distincts.
  7 Hits www.akm.com  
GaAs (Low Drift)
GaAs(低ドリフト)
  2 Hits www.acoa-apeca.gc.ca  
ACOA will ensure consistency in the understanding and application of the annual reviews related to external auditors’ management letters from CBDCs which are a requirement of generally accepted auditing standards (GAAS) and also our contribution agreements.
Réponse de la direction:  Accueillie favorablement.  L’APECA assurera l’uniformité concernant la compréhension et l’application des examens annuels liés aux lettres des vérificateurs externes à l’intention de la direction provenant des CBDC, lesquelles sont exigées en vertu des normes de vérification généralement reconnues (NVGR) et aussi des ententes de contribution.
  www.croftport.com  
The extremely high process stability realized by this way of working is the supposition for high First Pass Yields (FPY) and volume on one side, but for TESAT the decisive point is to satisfy highest quality requirements in space projects with low volume. Existing production experience is 67,000 highly integrated TRX-RF-modules using LTCC-multilayer-technology and includes attach of roughly 890,000 GaAs-MMICs.
Die bestehende Produktionserfahrung umfasst 67.000 hoch integrierte TRX-RF-Module in LTCC-Mehrlagen-Technologie und die Verarbeitung von 890.000 Gallium-Arsenid-MMICs. Dieses Volumen wurde bei einem First Pass Yield (FPY) von >90 % gefertigt. Neueste Prozessentwicklungsschritte versprechen einen stabilen FPY von >95 %.
  11 Hits posada-real-puerto-escondido-puerto-escondido.hotelspuertoescondido.com  
Cruising in Gaas
Drague à Gaas
Homosexuell Cruising in Gaas
Cruising en Gaas
Battuage a Gaas
Pegação em Gaas
Cruisen in Gaas
  2 Hits www.tobelisa.be  
Strong electric fields: Reheating electron gas. Drift velocity saturation in Ge, Si. Interband transitions in GaAs, negative differential conductivity. Drift velocity “splash”. Gunn effect. Electrostatic ionization.
ПРОЦЕССЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ: Разогрев электронного газа. Насыщение дрейфовой скорости в Ge, Si. Междолинные переходы в GaAs, отрицательная дифференциальная проводимость. "Всплеск" дрейфовой скорости. Эффект Ганна. Электростатическая ионизация, эффект Зинера. Термоэлектронная ионизация. Автоэлектронная эмиссия, острийные катоды. Лавинные процессы:
  2 Hits www.nj-chishun.com  
Strong electric fields: Reheating electron gas. Drift velocity saturation in Ge, Si. Interband transitions in GaAs, negative differential conductivity. Drift velocity “splash”. Gunn effect. Electrostatic ionization.
ПРОЦЕССЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ: Разогрев электронного газа. Насыщение дрейфовой скорости в Ge, Si. Междолинные переходы в GaAs, отрицательная дифференциальная проводимость. "Всплеск" дрейфовой скорости. Эффект Ганна. Электростатическая ионизация, эффект Зинера. Термоэлектронная ионизация. Автоэлектронная эмиссия, острийные катоды. Лавинные процессы:
  2 Hits www.perimeterinstitute.ca  
quantum Hall effect (FQHE). The materials in question include GaAs wide quantum
interactions in a number of low-dimensional systems exhibiting the fractional
  www.hepp.ch  
Unintentional High-Density p-Type Modulation Doping of a GaAs/AlAs Core–Multishell Nanowire
Fort dopage en trous de coeurs/nanofils multicouches GaAs/AlAs
  www.emeriti-of-excellence.tum.de  
The mainfocus areas of recent work in this field is on the possible uses of spin propertiesin semiconductors, as well as in the realization of hetero-nanowires. Abstreiter’steam succeeded in giving a functional demonstration of a GaAs based nanowirelaser built directly on silicon.
Als Autor von über 600 wissenschaftlichen Publikationen ist Gerhard Abstreiter ein international bekannter Spitzenforscher im Bereich der Halbleiterphysik. Von ihm stammen bahnbrechende Beiträge zur Bestimmung der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von Halbleiter-Nanostrukturen sowie zur Molekularstrahlepitaxie für die Realisierung höchstreiner Hetero- und Nanostrukturen. Seit der Gründung des Walter Schottky Instituts durch Gerhard Abstreiter (1988) gilt seine Arbeitsgruppe als weltweit führend in der Erforschung von Halbleiter-Nanostrukturen. Er hat das Gebiet der niederdimensionalen Elektronensysteme begründet und weltweit anerkannte Pionierarbeit auf vielen Gebieten geleistet. Dies gilt für die ersten Bestimmungen der Ladungsträgereigenschaften in Silizium MOSSystemen ebenso wie für seine bahnbrechende Entdeckung, dass sich in Silizium- Germanium durch Verspannung hochbewegliche Elektrongase erzeugen lassen. Gerhard Abstreiters Erkenntnisse werden heute in fast allen komplexen mikroelektronischen Schaltkreisen ausgenutzt und waren Basis seiner Erfindung eines Heterostruktur-Feldeffekt-Transistors, der z. B. als rauscharmer Vorverstärker in Satellitenantennen und mobilen Telefonen Anwendung findet. Das Gebiet der Halbleiter-Quantenpunkte hat er durch den ersten spektroskopischen Nachweis der diskreten Schalenstruktur der Elektronen und Exzitonen begründet und zur Blüte gebracht. Schwerpunkte neuerer Arbeiten liegen in möglichen Anwendungen von Spineigenschaften in Halbleitern, sowie der Realisierung von Hetero-Nanodrähten. Abstreiters Arbeitsgruppe gelang die Demonstration eines GaAs basierten Nanowire Lasers, der direkt auf Silizium aufgewachsen wurde. Seine vielfältigen Aktivitäten umfassen auch die Manipulation von DNA auf Goldoberflächen sowie die Entwicklung halbleiterbasierender Bauteile zur Anwendung in der Biosensorik und der molekularen Elektronik. Für seine Leistungen auf dem Gebiet der Halbleiterphysik und der Nanowissenschaften wurde Gerhard Abstreiter vielfach ausgezeichnet und weltweit hohe Anerkennung zuteil.
  4 Hits www.futaba-ac.com  
Broadband GaAs amplifier technology
支持 PBN NMSE 网管软件和 ASMM Web 界面远程管理
  www.cap.ca  
The high precision light scattering technique has been important in advancing the physics of low-dimensional semiconductor structures in Canada. Lockwood’s measurements demonstrated opening of gaps in phonon bands in Si/SiGe and GaAs/GaAlAs superlattices grown at the NRC.
M. Lockwood a largement contribué au domaine de la diffusion inélastique de la lumière appliquée à l’élucidation des excitations électroniques des solides magnétiques. Le livre sur la diffusion de la lumière dans les solides magnétiques (Light scattering in magnetic solids), dont M. Cottam est coauteur, est devenu un ouvrage de référence en ce domaine. La technique de diffusion de la lumière à haute précision a été importante pour l’avancement de la physique des structures de semi-conducteurs de faibles dimensions au Canada. Les mesures de M. Lockwood ont démontré l’ouverture d’intervalles de bande de phonons dans les super-réseaux Si/SiGe et GaAs/GaAlAs, mis au point au CNRC. Ses expériences électroniques de résonance Raman étaient parmi les premières à démontrer les phonons et les excitations électroniques quantifiées dans des structures de dimension zéro, points quantiques des semiconducteurs.
  2 Hits nb.lv  
ABTF's mandate is to carry out all of your audit and year end financial statement needs efficiently in accordance with French GAAS and International Audit Standards (ISAs). In doing so, we tailor our services to each client's individual needs.
ABTF garantiert Ihnen eine effiziente Durchführung der Jahresabschlussprüfung nach französischem und internationalem Recht. Dabei orientieren wir uns an den Belangen jedes einzelnen Mandanten und betreuen Sie somit das ganze Jahr und nicht nur zur Jahresabschlussprüfung.
  breathefree.com  
G. Bussone, H. Schäfer-Eberwein, E. Dimakis, A. Biermanns, D. Carbone, A. Tahraoui, L. Geelhaar, P. Haring Bolívar, T. U. Schülli, and U. Pietsch "Correlation of Electrical and Structural Properties of Single As-Grown GaAs Nanowires on Si (111) Substrates," Nano Letters vol.
G. Bussone, H. Schäfer-Eberwein, E. Dimakis, A. Biermanns, D. Carbone, A. Tahraoui, L. Geelhaar, P. Haring Bolívar, T. U. Schülli, and U. Pietsch "Correlation of Electrical and Structural Properties of Single As-Grown GaAs Nanowires on Si (111) Substrates," Nano Letters vol. 15, 2 , pp. 981-989 (2015) [doi.org] [www] [BibTeX]
  3 Hits www.amerikanistik.uni-bayreuth.de  
German Association for American Studies (GAAS)
Deutsche Gesellschaft für Amerikastudien (DGfA)
  www.adco.gr  
There is a great breadth of semiconductors on the market. The most important features here include: Silicon (Si), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) or gallium arsenide (GaAs). Which of these semiconductors are best will be determined by the material properties, the requirements to the device and the costs.
Il existe un très grand éventail de semi-conducteurs sur le marché. Les matériaux les plus importants comprennent ici : Le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC), le nitrure de gallium (GaN) ou l’arséniure de gallium (GaAs). Les caractéristiques du matériau, les exigences de l’appareil et les coûts déterminent quel semi-conducteur est le plus adapté. Chacune de ces matières s’est établie dans sa propre niche.
Auf dem Markt gibt es eine sehr große Bandbreite von Halbleitern. Zu den wichtigsten Materialien gehören hier: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) oder Galliumarsenid (GaAs). Welche dieser Halbeiter am besten geeignet sind, entscheiden die Materialeigenschaften, die Anforderungen des Geräts und die Kosten. Jeder dieser Stoffe hat sich in seiner Nische etabliert.
Existe una gama muy amplia de semiconductores en el mercado. Los materiales más importantes incluyen: Silicio (Si), carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN) o arseniuro de galio (GaAs). Cuál de estos materiales es el más adecuado, lo deciden las propiedades del material, los requisitos del dispositivo y los costes. Cada una de estas sustancias se ha consolidado en su nicho.
La gamma dei semiconduttori disponibili sul mercato è molto ampia. I materiali più importanti sono silicio (Si), carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN) o arseniuro di gallio (GaAs). L'individuazione dei semiconduttori più adeguati dipende dalle proprietà del materiale, dai requisiti dell'apparecchio e dai costi. Ognuno di questi materiali si è affermato in una propria nicchia.
Existe uma gama muito ampla de semicondutores no mercado. Os materiais mais importantes incluem: Silício (Si), carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN) ou arsenieto de gálio (GaAs). As propriedades do material, os requisitos do dispositivo e o custo decidem quais destes materiais são os mais adequados. Cada uma destas substâncias tem o seu próprio nicho de mercado.
На рынке представлен очень большой выбор полупроводников. Наиболее важными материалами являются: кремний (Si), карбид кремний (SiC), нитрид галлия (GaN) или арсенид галлия (GaAs). Какие из этих полупроводников подходят лучше всего, зависит от свойств материала, требований к устройству и стоимости. Каждый из этих материалов нашел признание в своей области.
  2 Hits www.alphaitalia.com  
In 1994 Eesti Gaas sold the shares of the state-owned company Propaan to a joint-stock company BKM Kamma, which was dealing with an import of liquefied gas to Estonia at that time.
1994. a müüs Eesti Gaas riikliku aktsiaseltsi Propaan aktsiad aktsiaseltsile BKM Kamma, kes tegeles tollal vedelgaasi sisseveoga Eestisse.
В 1994г Eesti Gaas продал акции государственного предприятия Propaan акционерному обществу BKM Kamma, которое на тот момент занималось импортом сжиженного газа в Эстонию.
  15 Hits petroleleger.ca  
Information Gaas (Eberau)
Información Gaas (Eberau)
Informazione Gaas (Eberau)
Információ Gaas (Eberau)
Informacja Gaas (Eberau)
Информа́ция Gaas (Eberau)
Informácie Gaas (Eberau)
Informacija Gaas (Eberau)
Enformasyon Gaas (Eberau)
信息 Gaas (Eberau)
  www.cfpc.ca  
Gaas, Masoud
Edmonton, AB
  4 Hits www.lumasenseinc.com  
FOT and GaAs Probes
Instruments and Packages
Instrumentos e componentes
Tank Wall Plate
  5 Hits www.chemie.de  
Direct integration of subwavelength structure on a GaAs solar cell by using colloidal lithography and dry etching process
04.04.2013 | Dae-Seon Kim, Sung-Hwa Eo, and Jae-Hyung Jang, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2013
  2 Hits www.irdq.ca  
Si <111>, Oxide, Nitride, GaAs
Si <111>, Oxide, Nitrure, GaAs
  www.saltmoney.org  
Dr. Christoph Hassel received one of the Sparkasse Duisburg awards for outstanding dissertations. The title of his dissertation was “Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf GaAs(110)”.
Einen der Preise der Sparkasse Duisburg für herausragende Dissertationen hat Dr. Christoph Hassel erhalten. Das Thema der Dissertation 
lautet „Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf GaAs(110)“.
  14 Hits www.scubaqua.com  
Electrical Transport in Low Dimensional Systems Fabricated in a (110) GaAs Quantum Well, Tomohiro Nakagawa, Rio Fukai, Yuji Sakai, Haruki Kiyama, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,and Akira Oiwa,International School and Symposium on nanoscale transport and photonics (ISNTT2017), NTT Atsugi R&D Center, Atsugi Kanagawa, JAPAN, Nov 13-17, 2017, 2017.11, International Conference(Non Proceeding)
Electrical Transport in Low Dimensional Systems Fabricated in a (110) GaAs Quantum Well,Tomohiro Nakagawa, Rio Fukai, Yuji Sakai, Haruki Kiyama, Julian Ritzmann, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck,and Akira Oiwa,International School and Symposium on nanoscale transport and photonics (ISNTT2017), NTT Atsugi R&D Center, Atsugi Kanagawa, JAPAN, Nov 13-17, 2017,2017年11月,国際会議(proceedingsなし)
  2 Hits www.unibas.ch  
Art view of a semiconductor InAs/GaAs quantum dot (In, Ga and As respectively in yellow, blue and purple). Two remote nuclear spins (yellow arrows) are coupled via the spin of an electron delocalized over the quantum dot (red).
Illustration eines Halbleiter-Quantenpunkts aus Indiumarsenid/Galliumarsenid (Indium, Gallium, Arsen in gelb, blau und lila). Zwei entferne Kernspins (gelbe Pfeile) sind durch den Spin eines Elektrons miteinander gekoppelt, das um die Atome im roten Bereich kreist. (Bild: Universität Basel, Departement Physik)
  4 Hits www.ioap.tu-berlin.de  
Atomic structure of closely stacked InAs submonolayer depositions in GaAs
T. Niermann, F. Kießling, M. Lehmann, J.-H. Schulze, T.D. Germann, K. Pötschke, A. Strittmatter, and U.W. Pohl
  www.reviveourhearts.com  
Activities of the department are focused on the characterization of materials and structures destined for use in optoelectronics and microelectronics. Major attention has been paid to III-V materials, binaries GaP, InP, GaAs and GaSb, ternaries InGaP, AlGaAs and quaternary InGaAsP.
Výzkumný tým se zaměřuje na studium elektronických a optických jevů na povrchu a rozhraní nanomateriálů vyvolané dopadem fotonů, iontů, elektronů a adsorbcí plynů za účelem jejich využití pro senzorické aplikace, jako zdrojů světelného záření a pro vylepšení nanodiagnostických schopností analytických metod.
  www.labussola.mo.it  
Today, ASELSAN’s radar product portfolio includes air defense, reconnaissance and surveillance, airborne imaging and weapon locating radar systems. ASELSAN radar system expertise covers frequency bands L through Ka Band and encompasses advanced radar technologies such as active phased array, GaAs and GaN based Transmit/Receive Modules.
ASELSAN, 1991 yılında alınmış olan Savunma Sanayi İcra Komitesi kararı doğrultusunda ülkemizin Radar Teknoloji Merkezi olarak Silahlı Kuvvetlerimizin radar ihtiyaçlarının gelişmiş teknolojiye sahip radar sistemleri ile karşılanması için bu alandaki faaliyetlerini artırarak sürdürmektedir.
  4 Hits ackordscentralen.se  
The speed of optical switches is limited by the properties of the underlying materials. In modern science and technology, cavities fabricated from semiconductor materials such as GaAs and AlAs have become highly popular.
De snelheid van de optische schakelaars wordt beperkt door de eigenschappen van de onderliggende materialen. In moderne wetenschap en technologie worden vaak halfgeleidende materialen zoals GaAs en AlAs gebruikt met kleine holtes erin. Die kunnen op een schaal van enkele micrometers gemaakt worden (slechts één honderdste van de dikte van een mensenhaar). Deze 'microholtes' kunnen geïntegreerd worden op chips, maar ze worden ook gebruikt om e-mail, internet en Tv-signalen te verzenden als optische signalen.
  6 Hits www.lar.lu  
klienditugi@gaas.ee
Вся энергия из одного источника
  www.hc-sc.gc.ca  
Gallium arsenide (GaAs)
Arseniure de gallium
  5 Hits www.lelieuunique.com  
Highly uniform, multi-stacked InGaAs/GaAs quantum dots embedded in a GaAs nanowire
Effect of metal side claddings on emission decay rates of single quantum dots embedded in a sub-wavelength semiconductor waveguide
  hc-sc.gc.ca  
Gallium arsenide (GaAs)
Arseniure de gallium
  40 Hits toshiba.semicon-storage.com  
C-Band Internally Matched Power GaAs FETs
Comunicaciones inalámbricas
Komunikacja bezprzewodowa
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