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Keybot 1'228 Ergebnisse 230 Domänen Seite 6

2 Treffer www.czechleaders.com

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	GaAs - Gallium Arsenide
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen crystec.de als Prioritätsdomäne definieren	GaAs - Galliumarsenid

www.airwatec.be

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Very critical are the thermal processes, as for the processing of SiC circuits very high temperature is required, especially for electrical activation of dopants Al, B (p-doping), N or P (n-doping). The furnaces for silicon carbide processing must be able to reach up to 2000°C, while for the production of circuits from silicon or GaAs temperatures up to 1200°C are usually sufficient.

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Besonders kritisch sind dabei die thermischen Prozesse, da für die Prozessierung von SiC-Schaltkreisen sehr hohe Temperaturen erforderlich sind, insbesondere für die elektrische Aktivierung implantierter Dotierstoffe Al, B (p-Dotierung), N or P (n-Dotierung). Die Öfen für Siliciumkarbid-Prozessierung müssen bis zu 2000°C erreichen können, während für die Herstellung von Schaltkreisen aus Silicium oder GaAs Temperaturen bis 1200°C normalerweise ausreichen. Erst seit kurzer Zeit gibt es Hochtemperatur-Vertikalöfen, die solche Temperaturen mit Hilfe von MoSi2-Heizern bzw. Graphit-Heizern erreichen können.

www.aaaglassbeads.com

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The study of semiconductor materials has been an important issue since the beginning of CMAM and a large list of IV, III-V and II-VI systems have been analyzed: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc.

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El estudio de materiales semiconductores ha sido un tema importante desde el inicio del CMAM y se han analizado hasta la actualidad un extenso número de sistemas IV, III-V y II-VI: Si, Ge, GaN, GaAs, InAs, ZnO, CdTe, TiO2, etc. En los últimos años, el CMAM ha estado especialmente involucrado en proyectos para el desarrollo de semiconductores de gap ancho, en colaboración con el ISOM de la Universidad Politécnica de Madrid.

36 Treffer postmaster.gmx.com

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Most of the previous experiments were conducted at low temperatures because, even though strong coupling can be achieved up to room temperature in GaAs and CdTe systems, their low excitonic stability greatly limits their applications at ambient temperature and / or high density.

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La plupart des expériences précédentes ont été menées à basse température car, même si le couplage fort peut être obtenu jusqu’à température ambiante dans les systèmes GaAs et CdTe, leur faible stabilité excitonique limite fortement leurs applications à température ambiante et/ou sous forte densité de particules. Pour y remédier, il faut développer des matériaux à grande force de liaison excitonique, comme le GaN et le ZnO, qui sont les matériaux de choix au CRHEA.

8 Treffer www.win-archery.com

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Photoluminescence and electroluminescence are also widely used characterisation technique, providing a fast spatial distribution of key properties of semiconductors samples. It was successfully employed to characterise different defects present in SiC pin diodes and to study the uniformity of opto-electronics properties in CIGS, CIS and GaAs solar cells.

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La photoluminescence et l’électroluminescence sont également des techniques de caractérisation largement utilisées, ces dernières peuvent fournir rapidement la distribution spatiale des principales propriétés des échantillons à base de semi-conducteurs. Ces méthodes ont été utilisé avec succès pour caractériser différents défauts présents dans des diodes PIN de SiC et afin d'étudier l'uniformité des propriétés opto-électroniques de cellules solaire à base de CIGS, de CIS et de GaAs.

3 Treffer actu.epfl.ch

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	GaAs nanowires are grown by a catalyst-free method that guarantees the formation of high quality crystal structures and avoids the use of external metal-catalysts (like Au) that would endanger any device application.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen actu.epfl.ch als Prioritätsdomäne definieren	La fonctionnalité de cette hétérostructure originale, qui combine points quantiques et nanofils, a été démontrée par des expériences de photoluminescence à basse température révélant l’activation d’excitons simples et doubles dans les points quantiques.

7 Treffer goldenbyte.org

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Tags: blue corridor @enblue corridor eesti gaascng stationeesti gaaseesti gaas cngeesti gaas estoniaeesti gaas gazpromRaul KotovRaul Kotov eesti gaasTallinn cngTartu cng
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen ngvjournal.com als Prioritätsdomäne definieren	Tags: blue corridor 2014 @esEesti Gaas @esEesti Gaas estonia @esEesti Gaas gnvestacion de biometano @esestacion de gasestacion de gnv @esestonia gnv @esRaul Kotov @esRaul Kotov eesti gaas @estallin gnvtartu gnv

32 Treffer photo-art-hofmann.fotograf.de

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	For the detection a 1m additive double monochromator as well as a 0.75 m single UV-monochromator can be used at which, depending on the spectral range, a GaAs-photodiode, a Bi-Alkali-photomultiplier or a multi-channel-plate (MCP) with different cathode materials can be mounted.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen ifkp.tu-berlin.de als Prioritätsdomäne definieren	Für die Detektion wird ein 1 m additiver Doppelmonochromator, sowie ein 0,75 m einfach UVMonochromator verwendet, an welche je nach Spektralbereich eine GaAs-Photodiode, ein Bi-Alkali-Photmultiplier oder eine Multi-Channel-Plate (MCP) mit verschiedenen Kathodenmaterialien angeschlossen werden kann.

5 Treffer researchers.adm.konan-u.ac.jp

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	English , “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著） , Phys. Rev. B , vol.61 (8) (p.5535 - 5539) , 2000 , T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen researchers.adm.konan-u.ac.jp als Prioritätsdomäne definieren	英語、 “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著）、 Phys. Rev. B 、 61巻 8号（頁 5535 ～ 5539）、 2000年、 T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.

childalert.be

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	In future, spectroscopic methods such as ICP-OES, FAAS and GAAS will predominate in the determination of heavy metals.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen ufag-laboratorien.ch als Prioritätsdomäne definieren	À l’avenir, le dosage des métaux lourds se fera essentiellement à l’aide de méthodes spectroscopiques de type ICP-OES, FAAS ou GAAS.

2 Treffer www.hkfw.org

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Gaas Oleg
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen bigbilet.ru als Prioritätsdomäne definieren	Гаас Олег

energia.elmedia.net

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	International experts from public and private sectors will gather at the 4th Annual Baltic Energy Summit sponsored by Gasum, Eesti Gaas, Roedl & Partner, Fortum, E.ON Ruhrgas, ABB and Vopak ...
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen energia.elmedia.net als Prioritätsdomäne definieren	Топлофикация София ЕАД предлага в бизнес плана за тази година програма за стабилизиране на производството и модернизация на съоръженията в топлоизточниците. ...

2 Treffer www.bacatec.de

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This project focuses on the further development of integrated semiconductor quantum optical circuits in which quantum dot single photon sources, passive optical elements (cavities, waveguides, beam splitters) and superconducting single photon detectors (SSPDs) are combined on a single semiconductor chip. The participating groups at TUM and Stanford pool their expertise in the development of NbN SSPDs (TUM) and the design and realization of GaAs based photonic nanostructures (Stanford).

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Das Ziel dieses Projekts ist die Weiterentwicklung eines auf Halbleiter basierten, quanten-photonischen Schaltkreises, in dem Quantenpunkt-Einzelphotonenemitter, passive optische Elemente (Resonatoren, Wellenleiter, Strahlteiler) und supraleitende, Einzelphotonendetektoren (SSPDs) auf einem gemeinsamen Chip kombiniert werden. Die beiden Partner dieses Projekts, TU München und Stanford University, vereinen darin ihre jeweilige Expertise in der Entwicklung von NbN SSPDs (TUM) und in Design und Entwicklung von GaAs-basierten photonischen Nanostrukturen (Stanford). Die SSPD-Technologie vereint hierbei mehrere Vorteile, wie etwa geringe Größe, hohe Quanteneffizienz, hohe Zeitauflösung, niedrige Dunkelzählrate und große Wellenlängen-Bandbreite. Die grundlegende Machbarkeit dieser NbN/GaAs-Quantenphotonischen-Hybridtechnologie wurde bereits in einem vorangehenden BaCaTeC-Projekt demonstriert. Die Partner werden nun im Rahmen des gegenwärtigen Projekts versuchen den nächsten Schritt, nämlich die deterministische Erzeugung eines photonischen Quantenzustands auf einem gemeinsamen Chip, in Angriff zu nehmen.

32 Treffer www.kyosemi.co.jp

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Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen kyosemi.co.jp als Prioritätsdomäne definieren	GaAs光电二极管

4 Treffer akitauinfo.akita-u.ac.jp

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Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen akitauinfo.akita-u.ac.jp als Prioritätsdomäne definieren	Thresholding Characteristics of an Optically Addressable GaAs-pin/Ferroelectric Liquid Crystal Spatial Light Modulator and Its Applications

3 Treffer www.izm.fraunhofer.de

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Process steps for GaAs TC bonding
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen izm.fraunhofer.de als Prioritätsdomäne definieren	Thermocompression Bonding

www.truenorthinsight.org

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Established semiconductor materials like GaAs, InP, and GaN, silicon-based (Si, SiGe) are of special interest, as they allow the additional integration of electronic read-out circuitry and signal processing.

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Ziel dieses Teilprojektes ist die Entwicklung und grundlegende Evaluierung von THz-Detektoren, die eine Realisierung von kompakten THz-Kamerasystemen ermöglichen. Dabei sollen transistorbasierte Konzepte und bolometrische Ansätze untersucht werden. Entsprechende Detektoren und Hochfrequenzschaltungen werden es erlauben, THz-Signale mit hoher Effizienz und Bandbreite zu detektieren. Es sollen neuartige Detektionskonzepte für bildgebende THz-Systeme realisiert werden. Neben Halbleitermaterialien wie GaAs, InP, GaN sind besonders Silizium-basierte (Si, SiGe) Bauelemente von Interesse, die eine kosteneffiziente Integration von Ausleseelektronik und Signalverarbeitung ermöglichen. Silizium-basierte Sensoren erlauben eine hohe System-Integration und ermöglichen Single-Chip Lösungen bei niedrigen Kosten.

2 Treffer www.nj-chishun.com

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Strong electric fields: Reheating electron gas. Drift velocity saturation in Ge, Si. Interband transitions in GaAs, negative differential conductivity. Drift velocity “splash”. Gunn effect. Electrostatic ionization.

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ПРОЦЕССЫ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ: Разогрев электронного газа. Насыщение дрейфовой скорости в Ge, Si. Междолинные переходы в GaAs, отрицательная дифференциальная проводимость. "Всплеск" дрейфовой скорости. Эффект Ганна. Электростатическая ионизация, эффект Зинера. Термоэлектронная ионизация. Автоэлектронная эмиссия, острийные катоды. Лавинные процессы:

www.lovail.ca

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	GaAs and GaP Wafer Scribing
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen ipgphotonics.com als Prioritätsdomäne definieren	Ritzen von GaAs- und GaP-Wafern
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen ipgphotonics.com als Prioritätsdomäne definieren	およびGaPウェハーのスクライビング
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen ipgphotonics.com als Prioritätsdomäne definieren	GaAs 和 GaP晶圆划线

4 Treffer www.futaba-ac.com

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Broadband GaAs amplifier technology
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen pbnglobal.com als Prioritätsdomäne definieren	支持 PBN NMSE 网管软件和 ASMM Web 界面远程管理

2 Treffer www.irdq.ca

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Si <111>, Oxide, Nitride, GaAs
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen irdq.ca als Prioritätsdomäne definieren	Si <111>, Oxide, Nitrure, GaAs

2 Treffer www.alphaitalia.com

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	In 1994 Eesti Gaas sold the shares of the state-owned company Propaan to a joint-stock company BKM Kamma, which was dealing with an import of liquefied gas to Estonia at that time.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen propaan.ee als Prioritätsdomäne definieren	1994. a müüs Eesti Gaas riikliku aktsiaseltsi Propaan aktsiad aktsiaseltsile BKM Kamma, kes tegeles tollal vedelgaasi sisseveoga Eestisse.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen propaan.ee als Prioritätsdomäne definieren	В 1994г Eesti Gaas продал акции государственного предприятия Propaan акционерному обществу BKM Kamma, которое на тот момент занималось импортом сжиженного газа в Эстонию.

www.cfpc.ca

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Gaas, Masoud
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen cfpc.ca als Prioritätsdomäne definieren	Edmonton, AB

7 Treffer www.akm.com

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	GaAs (Low Drift)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen akm.com als Prioritätsdomäne definieren	GaAs（低ドリフト）

40 Treffer toshiba.semicon-storage.com

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Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen toshiba.semicon-storage.com als Prioritätsdomäne definieren	Comunicaciones inalámbricas
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen toshiba.semicon-storage.com als Prioritätsdomäne definieren	Komunikacja bezprzewodowa

www.saltmoney.org

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Dr. Christoph Hassel received one of the Sparkasse Duisburg awards for outstanding dissertations. The title of his dissertation was “Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf GaAs(110)”.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen forschungsbericht.uni-due.de als Prioritätsdomäne definieren	Einen der Preise der Sparkasse Duisburg für herausragende Dissertationen hat Dr. Christoph Hassel erhalten. Das Thema der Dissertation  lautet „Spinabhängiger Transport in epitaktischen Fe-Leiterbahnen auf GaAs(110)“.

www.hepp.ch

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Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen lncmi.cnrs.fr als Prioritätsdomäne definieren	Fort dopage en trous de coeurs/nanofils multicouches GaAs/AlAs

breathefree.com

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	G. Bussone, H. Schäfer-Eberwein, E. Dimakis, A. Biermanns, D. Carbone, A. Tahraoui, L. Geelhaar, P. Haring Bolívar, T. U. Schülli, and U. Pietsch "Correlation of Electrical and Structural Properties of Single As-Grown GaAs Nanowires on Si (111) Substrates," Nano Letters vol.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen hqe.eti.uni-siegen.de als Prioritätsdomäne definieren	G. Bussone, H. Schäfer-Eberwein, E. Dimakis, A. Biermanns, D. Carbone, A. Tahraoui, L. Geelhaar, P. Haring Bolívar, T. U. Schülli, and U. Pietsch "Correlation of Electrical and Structural Properties of Single As-Grown GaAs Nanowires on Si (111) Substrates," Nano Letters vol. 15, 2 , pp. 981-989 (2015) [doi.org] [www] [BibTeX]

2 Treffer www.unibas.ch

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Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen unibas.ch als Prioritätsdomäne definieren	Illustration eines Halbleiter-Quantenpunkts aus Indiumarsenid/Galliumarsenid (Indium, Gallium, Arsen in gelb, blau und lila). Zwei entferne Kernspins (gelbe Pfeile) sind durch den Spin eines Elektrons miteinander gekoppelt, das um die Atome im roten Bereich kreist. (Bild: Universität Basel, Departement Physik)

2 Treffer nb.lv

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	ABTF's mandate is to carry out all of your audit and year end financial statement needs efficiently in accordance with French GAAS and International Audit Standards (ISAs). In doing so, we tailor our services to each client's individual needs.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen abtf-france.com als Prioritätsdomäne definieren	ABTF garantiert Ihnen eine effiziente Durchführung der Jahresabschlussprüfung nach französischem und internationalem Recht. Dabei orientieren wir uns an den Belangen jedes einzelnen Mandanten und betreuen Sie somit das ganze Jahr und nicht nur zur Jahresabschlussprüfung.

2 Treffer www.tobelisa.be

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5 Treffer www.morinagamilk.co.jp

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	The resulting structure is free from dislocations at the interfaces as long as the liquid gold nanodroplet measures less than 40 nm. The researchers are now working on growing GaAs on InAs. They plan to use the technique to grow nanowires with integrated quantum dots that can be positioned at will for new photonic transmitters.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen minatec.org als Prioritätsdomäne definieren	La structure ne présente aucune dislocation aux interfaces quand le diamètre de la nanogoutte d’or est inférieur à 40 nm. Les chercheurs travaillent désormais sur la croissance de GaAs sur InAs. Ils réaliseraient ainsi des boites quantiques intégrées dans des nanofils, positionnées sur demande, pour de nouveaux émetteurs photoniques.

4 Treffer www.lumasenseinc.com

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Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen lumasenseinc.com als Prioritätsdomäne definieren	Instruments and Packages
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen lumasenseinc.com als Prioritätsdomäne definieren	Instrumentos e componentes
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen lumasenseinc.com als Prioritätsdomäne definieren	Tank Wall Plate

4 Treffer ackordscentralen.se

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The speed of optical switches is limited by the properties of the underlying materials. In modern science and technology, cavities fabricated from semiconductor materials such as GaAs and AlAs have become highly popular.

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De snelheid van de optische schakelaars wordt beperkt door de eigenschappen van de onderliggende materialen. In moderne wetenschap en technologie worden vaak halfgeleidende materialen zoals GaAs en AlAs gebruikt met kleine holtes erin. Die kunnen op een schaal van enkele micrometers gemaakt worden (slechts één honderdste van de dikte van een mensenhaar). Deze 'microholtes' kunnen geïntegreerd worden op chips, maar ze worden ook gebruikt om e-mail, internet en Tv-signalen te verzenden als optische signalen.

14 Treffer www.satohshuzo.co.jp

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Now accepting GAAS Scholarship applications!
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen aiacanada.com als Prioritätsdomäne definieren	Date limite : le 15 juin 2016

www.jaxa.jp

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	GaAs Solar Cell - Flexible Solar Paddle: Approx. 5.3kW(EOL)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen jaxa.jp als Prioritätsdomäne definieren	楕円軌道：2日9周回準回帰軌道（当初計画：静止衛星軌道（東経121度））

www.hc-sc.gc.ca

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Gallium arsenide (GaAs)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen hc-sc.gc.ca als Prioritätsdomäne definieren	Arseniure de gallium

2 Treffer www.philhist.uni-augsburg.de

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	German Association for American Studies (GAAS)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen philhist.uni-augsburg.de als Prioritätsdomäne definieren	Deutsches Gesellschaft für Amerikastudien (DGfA)

hc-sc.gc.ca

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Gallium arsenide (GaAs)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen hc-sc.gc.ca als Prioritätsdomäne definieren	Arseniure de gallium

5 Treffer www.lelieuunique.com

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Highly uniform, multi-stacked InGaAs/GaAs quantum dots embedded in a GaAs nanowire
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen qdot.iis.u-tokyo.ac.jp als Prioritätsdomäne definieren	Effect of metal side claddings on emission decay rates of single quantum dots embedded in a sub-wavelength semiconductor waveguide

www.reviveourhearts.com

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Activities of the department are focused on the characterization of materials and structures destined for use in optoelectronics and microelectronics. Major attention has been paid to III-V materials, binaries GaP, InP, GaAs and GaSb, ternaries InGaP, AlGaAs and quaternary InGaAsP.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen ufe.cz als Prioritätsdomäne definieren	Výzkumný tým se zaměřuje na studium elektronických a optických jevů na povrchu a rozhraní nanomateriálů vyvolané dopadem fotonů, iontů, elektronů a adsorbcí plynů za účelem jejich využití pro senzorické aplikace, jako zdrojů světelného záření a pro vylepšení nanodiagnostických schopností analytických metod.

www.eschsintzel.ch

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Since the width of the band gap represents a certain energy corresponding to a particular wavelength, one tries to alter the width selective in order to obtain certain colors of light emitting diodes (LED). This may be achieved by combining different materials. Gallium arsenide (GaAs) has a band gap of 1.4 eV (electron volts, at room temperature) and thus emits red light.

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Da die Breite der Bandlücke einer bestimmten Energie und somit einer bestimmten Wellenlänge entspricht, versucht man, die Bandlücke gezielt zu verändern um so bestimmte Farben bei Leuchtdioden zu erhalten. Dies kann u.a. durch Kombination verschiedener Stoffe erreicht werden. Galliumarsenid (GaAs) hat eine Bandlücke von 1,4 Elektronenvolt (eV, bei Raumtemperatur) und strahlt somit rotes Licht ab.

11 Treffer posada-real-puerto-escondido-puerto-escondido.hotelspuertoescondido.com

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Cruising in Gaas
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen gays-cruising.com als Prioritätsdomäne definieren	Drague à Gaas
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen gays-cruising.com als Prioritätsdomäne definieren	Homosexuell Cruising in Gaas
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen gays-cruising.com als Prioritätsdomäne definieren	Cruising en Gaas
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen gays-cruising.com als Prioritätsdomäne definieren	Battuage a Gaas
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen gays-cruising.com als Prioritätsdomäne definieren	Pegação em Gaas
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen gays-cruising.com als Prioritätsdomäne definieren	Cruisen in Gaas

2 Treffer www.zumsteinbock.com

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	After the antenna input two MGA-81 GaAs MMIC amplifiers follow, one serves the input, the other the output path. The amplifiers ICs can be selected in and out of the signal path by RF switches (SKY13317).
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen wimo.de als Prioritätsdomäne definieren	Après l'entrée de l'antenne, deux amplificateurs MMIC MGA-81 GaAs se suivent, l'un sert à l'entrée, l'autre la sortie. Les circuits intégrés des amplificateurs peuvent être sélectionnés dans et hors du parcours du signal par des commutateurs HF (SKY13317).
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen wimo.de als Prioritätsdomäne definieren	Dopo l'ingresso dell'antenna sono presenti due amplificatori GaAs MMIC MGA-81, uno serve l'ingresso, l'altro il percorso di uscita. Gli IC amplificatori possono essere inseriti o esclusi dal percorso del segnale tramite gli interruttori RF (SKY13317).

15 Treffer petroleleger.ca

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Information Gaas (Eberau)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen strassensuche.at als Prioritätsdomäne definieren	Información Gaas (Eberau)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen strassensuche.at als Prioritätsdomäne definieren	Informazione Gaas (Eberau)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen strassensuche.at als Prioritätsdomäne definieren	Információ Gaas (Eberau)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen strassensuche.at als Prioritätsdomäne definieren	Informacja Gaas (Eberau)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen strassensuche.at als Prioritätsdomäne definieren	Информа́ция Gaas (Eberau)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen strassensuche.at als Prioritätsdomäne definieren	Informácie Gaas (Eberau)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen strassensuche.at als Prioritätsdomäne definieren	Informacija Gaas (Eberau)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen strassensuche.at als Prioritätsdomäne definieren	Enformasyon Gaas (Eberau)
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen strassensuche.at als Prioritätsdomäne definieren	信息 Gaas (Eberau)

www.labussola.mo.it

Text zeigen Zeige Ausgangstext im Cache URL mit Ausgangstext zeigen	Today, ASELSAN’s radar product portfolio includes air defense, reconnaissance and surveillance, airborne imaging and weapon locating radar systems. ASELSAN radar system expertise covers frequency bands L through Ka Band and encompasses advanced radar technologies such as active phased array, GaAs and GaN based Transmit/Receive Modules.
Textseiten vergleichen HTM-Seiten vergleichen URL mit Ausgangstext zeigen URL mit Zielsprache zeigen aselsan.com.tr als Prioritätsdomäne definieren	ASELSAN, 1991 yılında alınmış olan Savunma Sanayi İcra Komitesi kararı doğrultusunda ülkemizin Radar Teknoloji Merkezi olarak Silahlı Kuvvetlerimizin radar ihtiyaçlarının gelişmiş teknolojiye sahip radar sistemleri ile karşılanması için bu alandaki faaliyetlerini artırarak sürdürmektedir.

www.emeriti-of-excellence.tum.de

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The mainfocus areas of recent work in this field is on the possible uses of spin propertiesin semiconductors, as well as in the realization of hetero-nanowires. Abstreiter’steam succeeded in giving a functional demonstration of a GaAs based nanowirelaser built directly on silicon.

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Als Autor von über 600 wissenschaftlichen Publikationen ist Gerhard Abstreiter ein international bekannter Spitzenforscher im Bereich der Halbleiterphysik. Von ihm stammen bahnbrechende Beiträge zur Bestimmung der strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften von Halbleiter-Nanostrukturen sowie zur Molekularstrahlepitaxie für die Realisierung höchstreiner Hetero- und Nanostrukturen. Seit der Gründung des Walter Schottky Instituts durch Gerhard Abstreiter (1988) gilt seine Arbeitsgruppe als weltweit führend in der Erforschung von Halbleiter-Nanostrukturen. Er hat das Gebiet der niederdimensionalen Elektronensysteme begründet und weltweit anerkannte Pionierarbeit auf vielen Gebieten geleistet. Dies gilt für die ersten Bestimmungen der Ladungsträgereigenschaften in Silizium MOSSystemen ebenso wie für seine bahnbrechende Entdeckung, dass sich in Silizium- Germanium durch Verspannung hochbewegliche Elektrongase erzeugen lassen. Gerhard Abstreiters Erkenntnisse werden heute in fast allen komplexen mikroelektronischen Schaltkreisen ausgenutzt und waren Basis seiner Erfindung eines Heterostruktur-Feldeffekt-Transistors, der z. B. als rauscharmer Vorverstärker in Satellitenantennen und mobilen Telefonen Anwendung findet. Das Gebiet der Halbleiter-Quantenpunkte hat er durch den ersten spektroskopischen Nachweis der diskreten Schalenstruktur der Elektronen und Exzitonen begründet und zur Blüte gebracht. Schwerpunkte neuerer Arbeiten liegen in möglichen Anwendungen von Spineigenschaften in Halbleitern, sowie der Realisierung von Hetero-Nanodrähten. Abstreiters Arbeitsgruppe gelang die Demonstration eines GaAs basierten Nanowire Lasers, der direkt auf Silizium aufgewachsen wurde. Seine vielfältigen Aktivitäten umfassen auch die Manipulation von DNA auf Goldoberflächen sowie die Entwicklung halbleiterbasierender Bauteile zur Anwendung in der Biosensorik und der molekularen Elektronik. Für seine Leistungen auf dem Gebiet der Halbleiterphysik und der Nanowissenschaften wurde Gerhard Abstreiter vielfach ausgezeichnet und weltweit hohe Anerkennung zuteil.

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gaas – Übersetzung – Keybot-Wörterbuch