gaas – Übersetzung – Keybot-Wörterbuch

  15 Treffer www.dailysummit.net  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	GaAs nanowires
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigentoulouse.lncmi.cnrs.fr als Prioritätsdomäne definieren	Nanofils de GaAs

  17 Treffer www.multiplica.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	IMA EL provides spectrally and spatially resolved electroluminescence images. It was successfully used to investigate spatial distribution of optoelectronic properties of CIS, CIGS, GaAs and perovskite solar cells.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenphotonetc.com als Prioritätsdomäne definieren	IMA EL fourni des images résolues spectralement et spatialement. Cette plateforme a déjà été employée pour l’étude de la distribution spatiale des propriétés opto-électroniques de cellules solaires à base de CIS, CIGS, GaAs et de pérovskite.

  7 Treffer goldenbyte.org  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Tags: blue corridor @enblue corridor eesti gaascng stationeesti gaaseesti gaas cngeesti gaas estoniaeesti gaas gazpromRaul KotovRaul Kotov eesti gaasTallinn cngTartu cng
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenngvjournal.com als Prioritätsdomäne definieren	Tags: blue corridor 2014 @esEesti Gaas @esEesti Gaas estonia @esEesti Gaas gnvestacion de biometano @esestacion de gasestacion de gnv @esestonia gnv @esRaul Kotov @esRaul Kotov eesti gaas @estallin gnvtartu gnv

  4 Treffer www.deib.polimi.it  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	analytical and experimental studies of elemental and compound semiconductor devices (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) and organic devices
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigendeib.polimi.it als Prioritätsdomäne definieren	studi teorico-sperimentali di dispositivi a semiconduttore semplice e composto (Si, SiC, GaN, GaAs, CdTe, CdZnTe) e organici

  32 Treffer www.kyosemi.co.jp  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	GaAs Photodiodes
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenkyosemi.co.jp als Prioritätsdomäne definieren	GaAs光电二极管

  3 Treffer www.izm.fraunhofer.de  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Process steps for GaAs TC bonding
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenizm.fraunhofer.de als Prioritätsdomäne definieren	Thermocompression Bonding

  4 Treffer akitauinfo.akita-u.ac.jp  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	GaAs-pin/Ferroelectric liguid crystal spatial light modulator and its applications
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenakitauinfo.akita-u.ac.jp als Prioritätsdomäne definieren	Thresholding Characteristics of an Optically Addressable GaAs-pin/Ferroelectric Liquid Crystal Spatial Light Modulator and Its Applications

  5 Treffer researchers.adm.konan-u.ac.jp  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	English , “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著） , Phys. Rev. B , vol.61 (8) (p.5535 - 5539) , 2000 , T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenresearchers.adm.konan-u.ac.jp als Prioritätsdomäne definieren	英語 、 “Spin-transport dynamics of optically spin-polarized electrons in GaAs quantum wires,” （共著） 、 Phys. Rev. B 、 61巻 8号 （頁 5535 ～ 5539） 、 2000年 、 T. Sogawa, H. Ando, and S. Ando.

  3 Treffer actu.epfl.ch  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	GaAs nanowires are grown by a catalyst-free method that guarantees the formation of high quality crystal structures and avoids the use of external metal-catalysts (like Au) that would endanger any device application.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenactu.epfl.ch als Prioritätsdomäne definieren	La fonctionnalité de cette hétérostructure originale, qui combine points quantiques et nanofils, a été démontrée par des expériences de photoluminescence à basse température révélant l’activation d’excitons simples et doubles dans les points quantiques.

  67 Treffer www.brl.ntt.co.jp  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Optical Properties of GaAs Quantum Dots Formed in (Al,Ga)As Nanowires
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenbrl.ntt.co.jp als Prioritätsdomäne definieren	(Al,Ga)Asナノワイヤ中に形成されたGaAs量子ドットの光学特性

  3 Treffer www.iis.fraunhofer.de  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	SiGe and III-V for professional applications: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigeniis.fraunhofer.de als Prioritätsdomäne definieren	SiGe and III-V für professionelle Anwendungen: BiCMOS / SiGe, GaAs MESFET, HEMT und HBT

  2 Treffer www.hkfw.org  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Gaas Oleg
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenbigbilet.ru als Prioritätsdomäne definieren	Гаас Олег

  www.soitec.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Acquisition by IntelliEPI of the gallium arsenide (GaAs) epitaxy business from Soitec's Specialty Electronics subsidiary
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigensoitec.com als Prioritätsdomäne definieren	IntelliEPI acquiert l’activité épitaxie d'arséniure de gallium (GaAs) de la filiale Specialty Electronics de Soitec

  6 Treffer www.nims.go.jp  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	COHERENT PHONONS: GaAs
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigennims.go.jp als Prioritätsdomäne definieren	コヒーレントフォノン：ガリウム砒素

  childalert.be  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	In future, spectroscopic methods such as ICP-OES, FAAS and GAAS will predominate in the determination of heavy metals.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenufag-laboratorien.ch als Prioritätsdomäne definieren	À l’avenir, le dosage des métaux lourds se fera essentiellement à l’aide de méthodes spectroscopiques de type ICP-OES, FAAS ou GAAS.

  2 Treffer www.czechleaders.com  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	GaAs - Gallium Arsenide
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigencrystec.de als Prioritätsdomäne definieren	GaAs - Galliumarsenid

  2 Treffer www.sunplazahotel.co.jp  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Highly productive compound semiconductor crystals such as GaAs, InP, germanium or CaF2
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenpvatepla.com als Prioritätsdomäne definieren	hoch produktiven Verbindungshalbleiterkristallen, wie GaAs, InP, Germanium oder CaF2

  energia.elmedia.net  

Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	International experts from public and private sectors will gather at the 4th Annual Baltic Energy Summit sponsored by Gasum, Eesti Gaas, Roedl & Partner, Fortum, E.ON Ruhrgas, ABB and Vopak ...
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenenergia.elmedia.net als Prioritätsdomäne definieren	Топлофикация София ЕАД предлага в бизнес плана за тази година програма за стабилизиране на производството и модернизация на съоръженията в топлоизточниците. ...

  8 Treffer www.win-archery.com  

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Photoluminescence and electroluminescence are also widely used characterisation technique, providing a fast spatial distribution of key properties of semiconductors samples. It was successfully employed to characterise different defects present in SiC pin diodes and to study the uniformity of opto-electronics properties in CIGS, CIS and GaAs solar cells.

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La photoluminescence et l’électroluminescence sont également des techniques de caractérisation largement utilisées, ces dernières peuvent fournir rapidement la distribution spatiale des principales propriétés des échantillons à base de semi-conducteurs. Ces méthodes ont été utilisé avec succès pour caractériser différents défauts présents dans des diodes PIN de SiC et afin d'étudier l'uniformité des propriétés opto-électroniques de cellules solaire à base de CIGS, de CIS et de GaAs.